普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

齐海涛, 郭维廉, 张世林

文章导航 > 电子科技大学学报 > 2007 > 36(1): 129-131,136

齐海涛, 郭维廉, 张世林. 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 129-131,136.

引用本文:

齐海涛, 郭维廉, 张世林. 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 129-131,136.

QI Hai-tao, GUO Wei-lian, ZHANG Shi-lin. Novel Ultra-Thin Base NDR HBT Fabricated by Common Mesa Process[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(1): 129-131,136.

Citation:

QI Hai-tao, GUO Wei-lian, ZHANG Shi-lin. Novel Ultra-Thin Base NDR HBT Fabricated by Common Mesa Process[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(1): 129-131,136.

普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

1.
天津大学电子信息工程学院天津南开区 300072;
2.
中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄 050051

基金项目:

国家重点基础研究计划项目(973)(2002CB311905);中国博士后科学基金

作者简介:
齐海涛(1975-),男,博士后,讲师,主要从事新型半导体器件与集成技术方面的研究.

中图分类号: TN321

Novel Ultra-Thin Base NDR HBT Fabricated by Common Mesa Process

1.
School of Electronic Information Engineering,Tianjin University Nankai Tianjin 300072;
2.
The 13 th Research Institute of China Electronic Technology Group Corporation Shijiazhuang 050051

摘要: 负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8 nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。
- 异质结双极晶体管 /
- 负阻 /
- 超薄基区 /
- 体势垒晶体管
Abstract: Negative Differential Resistance (NDR) Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) holds high speed, high frequency characteristics of HBT and bistability, self-latching characteristics derived from NDR, is compatible with HBT manufacture technique, and has good research and application value. Based on the thought that Early effect causes very thin base reach-through, bipolar operation mode changes to barrier transistor operation mode and NDR appears, a novel 8 nm base NDR HBT has been fabricated through special design of device structure and common HBT mesa process, which has distinct and special variable voltage-controlled NDR characteristic and current-controlled NDR characteristic. The Peak to Valley Current Ratio(PVCR)voltage-controlled NDR character is higher than 1 000. All of phenomena are reported for the first time.
- heterojunction bipolar transistor /
- negative differential resistance /
- ultra-thin base /
- barrier transistor

[1]	陈姜龙, 王曾晖. 范德瓦尔斯异质结柔性晶体管在动态应变下的电学性能测量 . 电子科技大学学报, 2024, 53(3): 345-351. doi: 10.12178/1001-0548.2023104
[2]	刘益安, 马瑞辰, 李国, 于奇, 刘洋, 胡绍刚. 负阻态忆阻Hopfield神经网络动力学 . 电子科技大学学报, 2023, 52(1): 38-43. doi: 10.12178/1001-0548.2022294
[3]	党涛, 韩垒, 郭谨豪, 欧阳骏. 有源Non-Foster负阻匹配网络及其天线应用 . 电子科技大学学报, 2022, 51(6): 884-889. doi: 10.12178/1001-0548.2020307
[4]	刘海, 邵齐元, 张砚曾, 赵嘉, 陈聪, 白冰冰. 基于VO₂热相变的光子晶体波导开关 . 电子科技大学学报, 2021, 50(2): 267-271, 293. doi: 10.12178/1001-0548.2019288
[5]	白丽娜, 刘海东, 葛肖霞, 翟鸿启, 周渭. 晶体振荡器输出的精密频率改正技术 . 电子科技大学学报, 2019, 48(1): 58-61. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2019.01.010
[6]	邓江, 王小菊. 碳纳米管功能层在等离子体显示中的应用研究 . 电子科技大学学报, 2016, 45(1): 151-154. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.01.026
[7]	谢光忠, 吴寸雪, 蒋亚东, 太惠玲, 苏元捷, 杜晓松. 有机薄膜晶体管气体传感器的研究进展 . 电子科技大学学报, 2016, 45(4): 664-673. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.04.019
[8]	马奎, 杨发顺, 傅兴华. 基于超结结构的肖特基势垒二极管 . 电子科技大学学报, 2015, 44(1): 134-139. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.01.023
[9]	张振兴, 赵青, 宣银良, 薄勇, 何果. THz光子晶体天线仿真与设计 . 电子科技大学学报, 2014, 43(5): 696-699. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.05.011
[10]	徐洁, 李青, 林慧, 王洪. MoO₃源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响 . 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 941-943. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024
[11]	刘昶, 周激流, 何坤, 张健. 正交非负CP分解的图像表示和识别 . 电子科技大学学报, 2011, 40(6): 905-910. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.019
[12]	胡小方, 段书凯, 王丽丹, 李传东. 脉冲控制忆阻模拟存储器 . 电子科技大学学报, 2011, 40(5): 642-647. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.05.001
[13]	饶云江. 基于光子晶体光纤的法布里-珀罗干涉传感器 . 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 487-494. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.002
[14]	李斌, 杨中海, 李建清, 黄桃, 胡权, 朱小芳, 金晓林, 胡玉禄, 徐立, 梁献普, 马俊建, 彭维峰, 白春江. 微波管CAD技术进展 . 电子科技大学学报, 2009, 38(6): 897-903. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.06.001
[15]	刘頔威, 刘盛纲. THz光子晶体光纤的模式及色散特性分析 . 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 417-420.
[16]	谢光忠, 王永, 叶芸, 蒋亚东. PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征 . 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 443-445,449.
[17]	王茂琰, 徐军, 魏兵, 葛德彪. 双负介质覆盖导体球宽带散射特性分析 . 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 880-882.
[18]	杨健君, 李军建, 张有润, 王军, 林慧, 饶海波, 蒋泉, 成建波. 低阻ITO玻璃的制造工艺 . 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 261-263.
[19]	周蓉, 胡思福, 张庆中. 硅双极功率晶体管镇流技术的改进 . 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 486-489.
[20]	陈玲, 侯露莹. 微波晶体管噪声参数CAT . 电子科技大学学报, 1997, 26(4): 382-386.

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 4074
HTML全文浏览量: 109
PDF下载量: 76
被引次数: 0

普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

1. 天津大学电子信息工程学院天津南开区 300072;

2. 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄 050051

基金项目:

国家重点基础研究计划项目(973)(2002CB311905);中国博士后科学基金

作者简介:
齐海涛(1975-),男,博士后,讲师,主要从事新型半导体器件与集成技术方面的研究.

收稿日期: 2005-11-20
刊出日期: 2007-02-15

中图分类号: TN321

关键词:

摘要: 负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8 nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。

English Abstract

齐海涛, 郭维廉, 张世林. 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 129-131,136.

引用本文:

齐海涛, 郭维廉, 张世林. 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 129-131,136.

QI Hai-tao, GUO Wei-lian, ZHANG Shi-lin. Novel Ultra-Thin Base NDR HBT Fabricated by Common Mesa Process[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(1): 129-131,136.

Citation:

QI Hai-tao, GUO Wei-lian, ZHANG Shi-lin. Novel Ultra-Thin Base NDR HBT Fabricated by Common Mesa Process[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(1): 129-131,136.

全文HTML

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回

期刊在线

编辑办公

友情链接

电子科技大学

版权所有 © 《电子科技大学学报》编辑部

地址: 成都市建设北路二段四号电子科技大学主楼中350室电话: 028-83202308,83207559 Email: xuebao@uestc.edu.cn

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发