总剂量辐照加固的功率VDMOS器件

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总剂量辐照加固的功率VDMOS器件

李泽宏, 张磊, 谭开洲

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李泽宏, 张磊, 谭开洲. 总剂量辐照加固的功率VDMOS器件[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 621-623.

引用本文:

李泽宏, 张磊, 谭开洲. 总剂量辐照加固的功率VDMOS器件[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 621-623.

LI Ze-hong, ZHANG Lei, Tan Kai-zhou. Total Dose Radiation Hardened Power VDMOS Device[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(4): 621-623.

Citation:

LI Ze-hong, ZHANG Lei, Tan Kai-zhou. Total Dose Radiation Hardened Power VDMOS Device[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(4): 621-623.

总剂量辐照加固的功率VDMOS器件

1.
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054;
2.
中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆南坪区 400060

基金项目:

国防科技重点实验室基金项目(9140C904010606)

作者简介:
李泽宏(1970-),男,博士,副教授,主要从事功率半导体器件及智能功率IC方面的研究.

中图分类号: TN386

Total Dose Radiation Hardened Power VDMOS Device

1.
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054;
2.
The No. 24 Institute of,China Electronics Technology Group Corporation,Nanping Chongqing 400060

摘要: 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103 rad (Si)下,阈值电压仅漂移-1 V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。
- 功率VDMOS器件 /
- 薄栅氧化层 /
- 阈值电压漂移 /
- 总剂量辐照
Abstract: A total dose radiation hardened power VDMOS device is fabricated by growing the thin gate SiO2 after the P-body diffusion and using a double passivation layer (Si3N4-SiO2). The experimental results are presented and fit 2D simulation. For the specified power VDMOS device, the threshold voltage shifts is only -1 V at a x-ray total dose of 972×103 rad (Si). It is demonstrated that the total dose radiation tolerance of the power VDMOS device are improved significantly.
- power VDMOS device /
- thin gate SiO2 /
- threshold voltage shift /
- total dose radiation

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总剂量辐照加固的功率VDMOS器件

1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054;

2. 中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆南坪区 400060

基金项目:

国防科技重点实验室基金项目(9140C904010606)

作者简介:
李泽宏(1970-),男,博士,副教授,主要从事功率半导体器件及智能功率IC方面的研究.

收稿日期: 2007-01-23
修回日期: 2007-09-27
刊出日期: 2008-08-15

中图分类号: TN386

关键词:

摘要: 采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺,研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS器件。给出了该器件的常态参数和总剂量辐照的实验数据,通过和二维数值仿真比较,表明实验数据和仿真数据能较好吻合。对研制的功率VDMOS器件在X射线模拟源辐照总剂量972×103 rad (Si)下,阈值电压仅漂移-1 V。结果证明,工艺改善了功率VDMOS器件的抗总剂量辐照能力。

English Abstract

李泽宏, 张磊, 谭开洲. 总剂量辐照加固的功率VDMOS器件[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 621-623.

引用本文:

李泽宏, 张磊, 谭开洲. 总剂量辐照加固的功率VDMOS器件[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 621-623.

LI Ze-hong, ZHANG Lei, Tan Kai-zhou. Total Dose Radiation Hardened Power VDMOS Device[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(4): 621-623.

Citation:

LI Ze-hong, ZHANG Lei, Tan Kai-zhou. Total Dose Radiation Hardened Power VDMOS Device[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(4): 621-623.

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