多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

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多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

孙家讹, 陈军宁, 柯导明, 代月花, 徐超

文章导航 > 电子科技大学学报 > 2006 > 35(6): 967-969,984

孙家讹, 陈军宁, 柯导明, 代月花, 徐超. 多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 967-969,984.

引用本文:

孙家讹, 陈军宁, 柯导明, 代月花, 徐超. 多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 967-969,984.

SUN Jia-e, CHEN Jun-ning, KE Dao-ming, DAI Yue-hua, XU Chao. Polysilicon Quantization and Its Effects on MOSFET'S Threshold Voltage[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 967-969,984.

Citation:

SUN Jia-e, CHEN Jun-ning, KE Dao-ming, DAI Yue-hua, XU Chao. Polysilicon Quantization and Its Effects on MOSFET'S Threshold Voltage[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 967-969,984.

多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

1.
安徽大学电子科学与技术学院合肥 230039

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(60276042);安徽省自然科学基金资助项目(01044104)

作者简介:
孙家讹(1983-),男,硕士生,主要从事微电子学方面的研究.

中图分类号: TN386.1

Polysilicon Quantization and Its Effects on MOSFET'S Threshold Voltage

1.
School of Electronic Science and Technology,Anhui University Hefei 230039

摘要: 根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。
- 多晶硅 /
- 量子效应 /
- MOSFET /
- 阈值电压
Abstract: Based on the approximation for the charge distribution, by solving poisson equations, this paper found the distributions of electric field and electrostatic potential. Then the shift of threshold voltages due to polysilicon quantization with different polysilicon doping concentrations is calculated. The calculated results are compared with the numerical simulation results.
- polysilicon /
- quantization /
- MOSFET /
- threshold voltage

[1]	专栏编委会. 本期“量子信息”专栏评述 . 电子科技大学学报, 2023, 52(2): 161-161. doi: 10.12178/1001-0548.2023020001
[2]	专栏编委会. 本期“量子信息”专栏评述 . 电子科技大学学报, 2023, 52(1): 1-1. doi: 10.12178/1001-0548.202301001
[3]	专栏编委会. 本期“量子信息”专栏评述 . 电子科技大学学报, 2022, 51(2): 161-161.
[4]	专栏编委会. 本期“量子信息”专栏评述 . 电子科技大学学报, 2022, 51(3): 321-321.
[5]	专栏编委会. 本期“量子信息”专栏评述 . 电子科技大学学报, 2022, 51(6): 801-801. doi: 10.12178/1001-0548.20220600
[6]	专栏编委会. 本期“量子信息”专栏评述 . 电子科技大学学报, 2022, 51(4): 481-481.
[7]	专栏编委会. 本期“量子信息”专栏评述 . 电子科技大学学报, 2022, 51(5): 641-641. doi: 10.12178/1001-0548.20220051
[8]	专栏编委会. 本期“量子信息”专栏评述 . 电子科技大学学报, 2022, 51(1): 1-1.
[9]	. [量子信息专栏] 开篇词 . 电子科技大学学报, 2021, 50(5): 641-643.
[10]	专栏编委会. 本期“量子信息”专栏评述 . 电子科技大学学报, 2021, 50(6): 801-801.
[11]	文译, 陈致宇, 邓小川, 柏松, 李轩, 张波. 10 kV SiC LBD-MOSFET结构设计与特性研究 . 电子科技大学学报, 2021, 50(4): 520-526. doi: 10.12178/1001-0548.2021084
[12]	周郁明, 穆世路, 蒋保国, 王兵, 陈兆权. SiC/SiO₂界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究 . 电子科技大学学报, 2019, 48(6): 947-953. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2019.06.021
[13]	徐洁, 李青, 林慧, 王洪. MoO₃源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响 . 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 941-943. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024
[14]	屈江涛, 张鹤鸣, 胡辉勇, 徐小波, 王晓艳. 小尺寸应变Si/SiGe PMOSFET阈值电压及其电流电压特性的研究 . 电子科技大学学报, 2012, 41(2): 311-316. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.02.026
[15]	田银, 尧德中. 线索化效应的返回抑制研究 . 电子科技大学学报, 2010, 39(6): 944-947. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.06.029
[16]	梁麦林, 张文清, 袁兵. 非共振阻尼介观耦合电路中的量子效应 . 电子科技大学学报, 2005, 34(2): 202-205.
[17]	何进, 王新, 陈星弼. 硅-硅直接键合界面上SiO₂的非稳定性 . 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 494-497.
[18]	周蓉, 胡思福, 张庆中. 硅双极功率晶体管镇流技术的改进 . 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 486-489.
[19]	何进, 杨传仁. AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性 . 电子科技大学学报, 1998, 27(1): 47-50.
[20]	张怀武, 刘颖力, 王豪才. 紫蓝磁光材料的量子法拉第效应 . 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 610-613.

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多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响

1. 安徽大学电子科学与技术学院合肥 230039

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(60276042);安徽省自然科学基金资助项目(01044104)

作者简介:
孙家讹(1983-),男,硕士生,主要从事微电子学方面的研究.

收稿日期: 2005-01-17
刊出日期: 2006-12-15

中图分类号: TN386.1

关键词:

摘要: 根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,得到了多晶硅中电场及其电势的分布,计算了在不同掺杂浓度下多晶硅量子效应所引起的MOSFET阈值电压的偏移,并与数值模拟的结果进行了比较,表明其具有较好的准确性。

English Abstract

孙家讹, 陈军宁, 柯导明, 代月花, 徐超. 多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 967-969,984.

引用本文:

孙家讹, 陈军宁, 柯导明, 代月花, 徐超. 多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 967-969,984.

SUN Jia-e, CHEN Jun-ning, KE Dao-ming, DAI Yue-hua, XU Chao. Polysilicon Quantization and Its Effects on MOSFET'S Threshold Voltage[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 967-969,984.

Citation:

SUN Jia-e, CHEN Jun-ning, KE Dao-ming, DAI Yue-hua, XU Chao. Polysilicon Quantization and Its Effects on MOSFET'S Threshold Voltage[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 967-969,984.

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