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动态偏置射频功率放大器研究

何松柏 游飞

何松柏, 游飞. 动态偏置射频功率放大器研究[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(2): 190-193. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08
引用本文: 何松柏, 游飞. 动态偏置射频功率放大器研究[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(2): 190-193. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08
HE Song-bai, YOU Fei. Investigation of RF Power Amplifiers in Dynamic Bias Operation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(2): 190-193. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08
Citation: HE Song-bai, YOU Fei. Investigation of RF Power Amplifiers in Dynamic Bias Operation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(2): 190-193. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08

动态偏置射频功率放大器研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08
基金项目: 

国家863计划(2007AA01Z283)

详细信息
    作者简介:

    何松柏(1972-),男,博士,副教授,主要从事射频微波电路与无线通信系统等方面的研究.

  • 中图分类号: TN7

Investigation of RF Power Amplifiers in Dynamic Bias Operation

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出版历程
  • 收稿日期:  2008-08-14
  • 修回日期:  2008-12-20
  • 刊出日期:  2009-04-15

动态偏置射频功率放大器研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08
    基金项目:

    国家863计划(2007AA01Z283)

    作者简介:

    何松柏(1972-),男,博士,副教授,主要从事射频微波电路与无线通信系统等方面的研究.

  • 中图分类号: TN7

摘要: 分析了功率放大器输入输出响应特性与栅极偏置电路时间常数的关系,以及信号通过功率放大器后的矢量幅度误差(EVM)和邻信道功率抑制比(ACPR)。并基于MW4IC2230设计了工作于2 GHz频段,输出33 dBm的TD-SCDMA三载波射频功率放大器,以验证该关系。当动态偏置电路时间常数为1 ms时,功率放大器输出EVM为2.5%,ACPR为?43 dB。根据TD-SCDMA物理信道特点,提出对偏置电路的控制可以比传输信号起始时刻提前,当该提前量为1.5 μs、动态偏置电路时间常数为1 ms时,功率放大器输出EVM为1.8%,ACPR为?45 dB,满足TD-SCDMA系统标准要求。

English Abstract

何松柏, 游飞. 动态偏置射频功率放大器研究[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(2): 190-193. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08
引用本文: 何松柏, 游飞. 动态偏置射频功率放大器研究[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(2): 190-193. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08
HE Song-bai, YOU Fei. Investigation of RF Power Amplifiers in Dynamic Bias Operation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(2): 190-193. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08
Citation: HE Song-bai, YOU Fei. Investigation of RF Power Amplifiers in Dynamic Bias Operation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(2): 190-193. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08

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