Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究

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Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究

张林, 肖剑, 邱彦章, 程鸿亮

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张林, 肖剑, 邱彦章, 程鸿亮. Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(3): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

引用本文:

张林, 肖剑, 邱彦章, 程鸿亮. Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(3): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

ZHANG Lin, XIAO Jian, QIU Yang-zhang, CHENG Hong-liang. Experiment Study of Ni/4H-SiC Schottky Diode Ionization Radiation Detector[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2012, 41(3): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

Citation:

ZHANG Lin, XIAO Jian, QIU Yang-zhang, CHENG Hong-liang. Experiment Study of Ni/4H-SiC Schottky Diode Ionization Radiation Detector[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2012, 41(3): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

1.
长安大学电子与控制工程学院西安 710064

基金项目:

中央高校基本科研业务费专项资金(CHD2012JC035)

作者简介:
张林(1981-),男,博士,主要从事新型半导体功率器件和可靠性的研究.

中图分类号: TL8

Experiment Study of Ni/4H-SiC Schottky Diode Ionization Radiation Detector

1.
School of Electronic and Control Engineering,Chang'an University Xi'an 710064

摘要: 研制了Ni/4H-SiC肖特基二极管电离辐照探测器,并采用不同的辐照源进行了测试。实验结果表明,对于低能电子和γ射线辐照,该探测器都有比较灵敏的电流响应。经过1 Mrad(Si)的γ射线辐照后,探测器的信号电流没有明显退化;分别经过1 Mrad(Si)的γ射线和100 Mrad(Si)的1 MeV电子辐照后,0 V和-30 V辐照偏压下的探测器的暗电流仅有较轻微的退化。说明了该文研制的探测器具有暗电流低、灵敏度高和抗辐射容限高等优点,可以在强辐射环境中长时间应用。
- 电离 /
- 辐照探测器 /
- 肖特基 /
- 碳化硅
Abstract: The Ni/4H-SiC Schottky diode ionization radiation detector was fabricated and measured with different radiation sources. Under radiation from 63Ni and gamma-ray, the detectors show sensitive current response. After 1 Mrad(Si) gamma-ray radiation, the signal current has no obvious degradation. After 1 Mrad(Si) gamma-ray and 100 Mrad(Si) electron radiation respectively, the dark current of detectors under different radiation bias voltage has slightly degradation. The resluts show that Ni/4H-SiC Schottky diode ionization radiation detector has low dark current, high sensitivity and high radiation hardness and can be applied in high radiation environment for a long time.
- ionization /
- radiation detector /
- schottky /
- SiC

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[3]	敬雅冉, 千奕, 蒲天磊, 赵红赟, 杨鸣宇, 孙志坤, 张家瑞, 孔洁, 佘乾顺, 颜俊伟, 孙志朋, 王长鑫. 塑闪阵列探测器读出ASIC阈值产生与调节电路的设计 . 电子科技大学学报, 2022, 51(3): 402-407. doi: 10.12178/1001-0548.2021243
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Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

1. 长安大学电子与控制工程学院西安 710064

基金项目:

中央高校基本科研业务费专项资金(CHD2012JC035)

作者简介:
张林(1981-),男,博士,主要从事新型半导体功率器件和可靠性的研究.

收稿日期: 2010-08-19
修回日期: 2011-05-03
刊出日期: 2012-06-15

中图分类号: TL8

关键词:

摘要: 研制了Ni/4H-SiC肖特基二极管电离辐照探测器,并采用不同的辐照源进行了测试。实验结果表明,对于低能电子和γ射线辐照,该探测器都有比较灵敏的电流响应。经过1 Mrad(Si)的γ射线辐照后,探测器的信号电流没有明显退化;分别经过1 Mrad(Si)的γ射线和100 Mrad(Si)的1 MeV电子辐照后,0 V和-30 V辐照偏压下的探测器的暗电流仅有较轻微的退化。说明了该文研制的探测器具有暗电流低、灵敏度高和抗辐射容限高等优点,可以在强辐射环境中长时间应用。

English Abstract

张林, 肖剑, 邱彦章, 程鸿亮. Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(3): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

引用本文:

张林, 肖剑, 邱彦章, 程鸿亮. Ni/4H-SiC SBD电离辐照探测器的实验研究[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(3): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

ZHANG Lin, XIAO Jian, QIU Yang-zhang, CHENG Hong-liang. Experiment Study of Ni/4H-SiC Schottky Diode Ionization Radiation Detector[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2012, 41(3): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

Citation:

ZHANG Lin, XIAO Jian, QIU Yang-zhang, CHENG Hong-liang. Experiment Study of Ni/4H-SiC Schottky Diode Ionization Radiation Detector[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2012, 41(3): 467-470. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.028

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