MoO<sub>3</sub>源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响

徐洁; 李青; 林慧; 王洪

doi:10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024

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MoO₃源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响

徐洁, 李青, 林慧, 王洪

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徐洁, 李青, 林慧, 王洪. MoO3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 941-943. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024

引用本文:

徐洁, 李青, 林慧, 王洪. MoO₃源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 941-943. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024

XU Jie, LI Qing, LIN Hui, WANG Hong. Effect of MoO3 Buffer Layer on the Performance of Organic Thin Film Transistor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2012, 41(6): 941-943. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024

Citation:

XU Jie, LI Qing, LIN Hui, WANG Hong. Effect of MoO₃ Buffer Layer on the Performance of Organic Thin Film Transistor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2012, 41(6): 941-943. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024

MoO₃源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024

1.
电子科技大学光电信息学院电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

基金项目:

教育部留学归国基金(GGRYJJ08-05);中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2009J054)

详细信息

作者简介:
徐洁(1979-),女,主要从事电子薄膜与集成器件、有机电子材料方面的研究.

中图分类号: TN383⁺.1

Effect of MoO₃ Buffer Layer on the Performance of Organic Thin Film Transistor

1.
School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science and Technology of China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054

摘要: 以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率(μ)的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 μA,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。
- 空穴迁移率 /
- MoO3缓冲层 /
- 有机薄膜晶体管 /
- 阈值电压
Abstract: High field effect mobility (μ) organic thin film transistor (OTFT) was fabricated by using MoO3 buffer layer between organic semiconductor (pentacene) and source/drain electrodes (Ag). The hole mobility of OTFT reached 0.26 cm2/Vs and output current IDS achieved more than 50 μA when the gate voltage was 40 V. The detailed effect of MoO3 buffer layer was analyzed via output characteristics and physical mechanism.
- hole mobility /
- MoO3 buffer layer /
- organic thin film transistor (OTFT) /
- threshold voltage

[1]	王跃峰, 姜其畅, 马紫微, 贾明理, 苏振, 孙慧霞. PCB中耐高温有机可焊保护剂成膜机理及性能研究 . 电子科技大学学报, 2024, 53(4): 487-494. doi: 10.12178/1001-0548.2023256
[2]	袁柳, 张玮奇, 王家棋, 张瀚文, 王延良, 蒋亚东, 太惠玲. 短波红外有机光探测材料的发展 . 电子科技大学学报, 2024, 53(): 1-17. doi: 10.12178/1001-0548.2024177
[3]	陈姜龙, 王曾晖. 范德瓦尔斯异质结柔性晶体管在动态应变下的电学性能测量 . 电子科技大学学报, 2024, 53(3): 345-351. doi: 10.12178/1001-0548.2023104
[4]	毛远宏, 贺占庄, 马钟. 重构迁移学习的红外目标分类 . 电子科技大学学报, 2020, 49(4): 609-614. doi: 10.12178/1001-0548.2019162
[5]	孙斌玮, 杨明, 苟君, 王军, 蒋亚东. 溶胶凝胶法制备LiTaO₃薄膜 . 电子科技大学学报, 2020, 49(2): 283-286. doi: 10.12178/1001-0548.2019098
[6]	田东斌, 潘齐凤, 张选红, 马建华, 刘桥, 杨邦朝. 高压有机片式钽电容器高温可靠性研究 . 电子科技大学学报, 2018, 47(5): 761-765. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.05.019
[7]	谢光忠, 吴寸雪, 蒋亚东, 太惠玲, 苏元捷, 杜晓松. 有机薄膜晶体管气体传感器的研究进展 . 电子科技大学学报, 2016, 45(4): 664-673. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.04.019
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[10]	黄勇, 李宏福, 喻胜, 罗勇, 牛新建, 徐勇, 雷朝军. 3 mm低电压回旋管设计与模拟 . 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 79-82.
[11]	黄大贵, 谢明君, 张德银, 董政. LiTaO₃薄膜红外探测器热分析 . 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 637-640.
[12]	于军胜, 李青, 娄双玲, 李璐, 黎威志, 蒋亚东. TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究 . 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 618-620.
[13]	张德银, 黄大贵, 李金华, 但迪迪, 董政. 衬底效应对LiTaO₃薄膜制备的影响 . 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 660-662,669.
[14]	李军建, 成建波, 蒋泉, 陈守卫. CRT显示管分辨率自动测量系统 . 电子科技大学学报, 2007, 36(2): 288-290.
[15]	阳秀, 黎威志, 钟志有, 蒋亚东. 空穴传输层厚度对OLED性能的影响 . 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 958-961.
[16]	孙家讹, 陈军宁, 柯导明, 代月花, 徐超. 多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响 . 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 967-969,984.
[17]	徐骏宇, 高正平. 一种高效率低电压3倍负压电荷泵的设计 . 电子科技大学学报, 2005, 34(1): 73-76.
[18]	成建波, 王琼华, 林祖伦. 高亮度高分辨率YAG投影显示管 . 电子科技大学学报, 2000, 29(3): 289-293.
[19]	周蓉, 胡思福, 张庆中. 硅双极功率晶体管镇流技术的改进 . 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 486-489.
[20]	陈玲, 侯露莹. 微波晶体管噪声参数CAT . 电子科技大学学报, 1997, 26(4): 382-386.

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MoO₃源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024

1. 电子科技大学光电信息学院电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

基金项目:

教育部留学归国基金(GGRYJJ08-05);中央高校基本科研业务费专项资金(ZYGX2009J054)

作者简介:
徐洁(1979-),女,主要从事电子薄膜与集成器件、有机电子材料方面的研究.

收稿日期: 2011-01-17
修回日期: 2011-04-29
刊出日期: 2012-12-15

中图分类号: TN383⁺.1

关键词:

摘要: 以并五苯(pentacene)作为有机薄膜晶体管(OTFTs)的载流子传输层,采用比常用金电极(Au)廉价的Ag作为源漏电极,在pentacene与Ag之间添加MoO3超薄层作为缓冲层,制备了具有较高场效应迁移率(μ)的晶体管器件。结果表明,器件在栅极电压VG为40 V时,传输电流IDS超过了50 μA,空穴迁移率达到0.26 cm2/Vs。同时,从器件的输出特性与物理机制分析了MoO3缓冲层在器件中的作用。

English Abstract

徐洁, 李青, 林慧, 王洪. MoO3源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 941-943. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024

引用本文:

徐洁, 李青, 林慧, 王洪. MoO₃源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 941-943. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024

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作者简介:
徐洁(1979-),女,主要从事电子薄膜与集成器件、有机电子材料方面的研究.

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1. 电子科技大学光电信息学院电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

作者简介:
徐洁(1979-),女,主要从事电子薄膜与集成器件、有机电子材料方面的研究.

English Abstract

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1. School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science and Technology of China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054

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作者简介: 徐洁(1979-),女,主要从事电子薄膜与集成器件、有机电子材料方面的研究.

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doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024

1. 电子科技大学光电信息学院 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054

作者简介: 徐洁(1979-),女,主要从事电子薄膜与集成器件、有机电子材料方面的研究.

English Abstract

Effect of MoO3 Buffer Layer on the Performance of Organic Thin Film Transistor

1. School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science and Technology of China;State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054

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徐洁(1979-),女,主要从事电子薄膜与集成器件、有机电子材料方面的研究.

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MoO₃源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响

1. 电子科技大学光电信息学院电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

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徐洁(1979-),女,主要从事电子薄膜与集成器件、有机电子材料方面的研究.

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