普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

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普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

齐海涛, 郭维廉, 张世林

文章导航 > 电子科技大学学报 > 2007 > 36(1): 129-131,136

齐海涛, 郭维廉, 张世林. 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 129-131,136.

引用本文:

齐海涛, 郭维廉, 张世林. 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 129-131,136.

QI Hai-tao, GUO Wei-lian, ZHANG Shi-lin. Novel Ultra-Thin Base NDR HBT Fabricated by Common Mesa Process[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(1): 129-131,136.

Citation:

QI Hai-tao, GUO Wei-lian, ZHANG Shi-lin. Novel Ultra-Thin Base NDR HBT Fabricated by Common Mesa Process[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(1): 129-131,136.

普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

1.
天津大学电子信息工程学院天津南开区 300072;
2.
中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄 050051

基金项目:

国家重点基础研究计划项目(973)(2002CB311905);中国博士后科学基金

作者简介:
齐海涛(1975-),男,博士后,讲师,主要从事新型半导体器件与集成技术方面的研究.

中图分类号: TN321

Novel Ultra-Thin Base NDR HBT Fabricated by Common Mesa Process

1.
School of Electronic Information Engineering,Tianjin University Nankai Tianjin 300072;
2.
The 13 th Research Institute of China Electronic Technology Group Corporation Shijiazhuang 050051

摘要: 负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8 nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。
- 异质结双极晶体管 /
- 负阻 /
- 超薄基区 /
- 体势垒晶体管
Abstract: Negative Differential Resistance (NDR) Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) holds high speed, high frequency characteristics of HBT and bistability, self-latching characteristics derived from NDR, is compatible with HBT manufacture technique, and has good research and application value. Based on the thought that Early effect causes very thin base reach-through, bipolar operation mode changes to barrier transistor operation mode and NDR appears, a novel 8 nm base NDR HBT has been fabricated through special design of device structure and common HBT mesa process, which has distinct and special variable voltage-controlled NDR characteristic and current-controlled NDR characteristic. The Peak to Valley Current Ratio(PVCR)voltage-controlled NDR character is higher than 1 000. All of phenomena are reported for the first time.
- heterojunction bipolar transistor /
- negative differential resistance /
- ultra-thin base /
- barrier transistor

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[4]	刘海, 邵齐元, 张砚曾, 赵嘉, 陈聪, 白冰冰. 基于VO₂热相变的光子晶体波导开关 . 电子科技大学学报, 2021, 50(2): 267-271, 293. doi: 10.12178/1001-0548.2019288
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普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT

1. 天津大学电子信息工程学院天津南开区 300072;

2. 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄 050051

基金项目:

国家重点基础研究计划项目(973)(2002CB311905);中国博士后科学基金

作者简介:
齐海涛(1975-),男,博士后,讲师,主要从事新型半导体器件与集成技术方面的研究.

收稿日期: 2005-11-20
刊出日期: 2007-02-15

中图分类号: TN321

关键词:

摘要: 负阻型HBT既保持了原HBT高频、高速的特点,同时又具有负阻、双稳、自锁等特性,是一种极具研究价值的新型负阻器件。该文从Early效应造成超薄基区穿通,器件由双极工作状态向体势垒管工作状态转变从而形成负阻特性的思路出发,通过对材料结构的特殊设计,采用普通台面工艺研制出了基区厚度为8 nm的负阻型HBT。该器件具有独特且显著的可变电压控制型负阻特性,其电流峰谷比大于1000,并伴有电流控制型负阻。

English Abstract

齐海涛, 郭维廉, 张世林. 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 129-131,136.

引用本文:

齐海涛, 郭维廉, 张世林. 普通台面工艺制作新型超薄基区负阻HBT[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 129-131,136.

QI Hai-tao, GUO Wei-lian, ZHANG Shi-lin. Novel Ultra-Thin Base NDR HBT Fabricated by Common Mesa Process[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(1): 129-131,136.

Citation:

QI Hai-tao, GUO Wei-lian, ZHANG Shi-lin. Novel Ultra-Thin Base NDR HBT Fabricated by Common Mesa Process[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(1): 129-131,136.

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