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TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究

于军胜 李青 娄双玲 李璐 黎威志 蒋亚东

于军胜, 李青, 娄双玲, 李璐, 黎威志, 蒋亚东. TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 618-620.
引用本文: 于军胜, 李青, 娄双玲, 李璐, 黎威志, 蒋亚东. TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 618-620.
YU Jun-sheng, LI Qing, LOU Shuang-ling, LI Lu, LI Wei-zhi, JIANG Ya-dong. Study of Green Organic Light-Emitting Diodes Based on TPBTSi Chelate[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(4): 618-620.
Citation: YU Jun-sheng, LI Qing, LOU Shuang-ling, LI Lu, LI Wei-zhi, JIANG Ya-dong. Study of Green Organic Light-Emitting Diodes Based on TPBTSi Chelate[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(4): 618-620.

TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究

基金项目: 

部级预研基金

详细信息
    作者简介:

    于军胜(1970-),男,博士,教授,博士生导师,主要从事有机光电子器件及技术方面的研究.

  • 中图分类号: TN383+1

Study of Green Organic Light-Emitting Diodes Based on TPBTSi Chelate

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出版历程
  • 收稿日期:  2006-12-31
  • 修回日期:  2007-03-11
  • 刊出日期:  2008-08-15

TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究

    基金项目:

    部级预研基金

    作者简介:

    于军胜(1970-),男,博士,教授,博士生导师,主要从事有机光电子器件及技术方面的研究.

  • 中图分类号: TN383+1

摘要: 利用2,2,3,3-tetraphenyl-4,4-bisthienylsilole (TPBTSi)作为发光材料,采用真空镀膜的方法制备双层器件ITO/N,bis (1-naphthyl)(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (NPB)/TPBTSi/Mg:Ag;在此基础上,利用N'-diphenyl-N,N'-tri-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3)作为电子传输材料,以TPBTSi为发光层制备了结构为ITO/NPB/TPBTSi/Alq3/Mg:Ag的三层有机发光器件。结果表明,与双层器件相比,三层器件的发光性能得到很大提高,发光光谱谱峰位于516 nm处,即TPBTSi的特征光谱,CIE坐标为(0.275,0.448),且不随电压的改变而变化。在15 V的驱动电压下,器件的最大亮度和流明效率分别为7 032 cd/m2和0.79 lm/W。

English Abstract

于军胜, 李青, 娄双玲, 李璐, 黎威志, 蒋亚东. TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 618-620.
引用本文: 于军胜, 李青, 娄双玲, 李璐, 黎威志, 蒋亚东. TPBTSi配合物的绿色有机发光器件研究[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(4): 618-620.
YU Jun-sheng, LI Qing, LOU Shuang-ling, LI Lu, LI Wei-zhi, JIANG Ya-dong. Study of Green Organic Light-Emitting Diodes Based on TPBTSi Chelate[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(4): 618-620.
Citation: YU Jun-sheng, LI Qing, LOU Shuang-ling, LI Lu, LI Wei-zhi, JIANG Ya-dong. Study of Green Organic Light-Emitting Diodes Based on TPBTSi Chelate[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(4): 618-620.

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