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PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征

谢光忠 王永 叶芸 蒋亚东

谢光忠, 王永, 叶芸, 蒋亚东. PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 443-445,449.
引用本文: 谢光忠, 王永, 叶芸, 蒋亚东. PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 443-445,449.
XIE Guang-zhong, WANG Yong, YE Yun, JIANG Ya-dong. Preparation and Characterization of PVDF/PDDA Static Self-Assembly Ultrathin Film[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 443-445,449.
Citation: XIE Guang-zhong, WANG Yong, YE Yun, JIANG Ya-dong. Preparation and Characterization of PVDF/PDDA Static Self-Assembly Ultrathin Film[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 443-445,449.

PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征

基金项目: 

国家高技术研究发展专项经费(2007AA03Z422);国家自然科学基金(60425101、60736005)

详细信息
    作者简介:

    谢光忠(1968-),男,博士,副教授,主要从事敏感薄膜与传感器方面的研究.

  • 中图分类号: TQ050.4

Preparation and Characterization of PVDF/PDDA Static Self-Assembly Ultrathin Film

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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-25
  • 修回日期:  2007-04-20
  • 刊出日期:  2008-06-15

PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征

    基金项目:

    国家高技术研究发展专项经费(2007AA03Z422);国家自然科学基金(60425101、60736005)

    作者简介:

    谢光忠(1968-),男,博士,副教授,主要从事敏感薄膜与传感器方面的研究.

  • 中图分类号: TQ050.4

摘要: 提出了一种制备纳米量级铁电聚合物PVDF/PDDA超薄膜的新方法。聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDDA)和极化处理后的聚偏氟乙烯(PVDF)复合超薄膜是通过层与层的静电自组装(LbL-SA)方法制备的,厚度约30~150 nm,每层膜厚度约为9 nm。PVDF/PDDA多层膜通过石英晶振微天平(QCM)、红外频谱仪、原子力显微镜(AFM)进行了测试与表征。QCM表征结果表明,PVDF与PDDA超薄膜能较好地交替组装;AFM表明PVDF/PDDA聚合物超薄膜的表面均匀、薄膜致密。与PVDF厚膜的电阻性能相比,PVDF/PDDA复合超薄膜的电阻性能有了很大提高。

English Abstract

谢光忠, 王永, 叶芸, 蒋亚东. PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 443-445,449.
引用本文: 谢光忠, 王永, 叶芸, 蒋亚东. PVDF/PDDA静电自组装超薄膜的制备与表征[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 443-445,449.
XIE Guang-zhong, WANG Yong, YE Yun, JIANG Ya-dong. Preparation and Characterization of PVDF/PDDA Static Self-Assembly Ultrathin Film[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 443-445,449.
Citation: XIE Guang-zhong, WANG Yong, YE Yun, JIANG Ya-dong. Preparation and Characterization of PVDF/PDDA Static Self-Assembly Ultrathin Film[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 443-445,449.

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