高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

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高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

吴志明, 黄颖, 吕坚, 王靓, 李素

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吴志明, 黄颖, 吕坚, 王靓, 李素. 高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 453-456.

引用本文:

吴志明, 黄颖, 吕坚, 王靓, 李素. 高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 453-456.

WU Zhi-ming, HUANG Ying, Lü Jian, WANG Liang, LI Su. High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 453-456.

Citation:

WU Zhi-ming, HUANG Ying, Lü Jian, WANG Liang, LI Su. High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 453-456.

高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

1.
电子科技大学光电信息学院成都 610054

基金项目:

国家杰出青年基金(60425101)

作者简介:
吴志明(1964-),男,博士,教授,主要从事非制冷红外焦平面读出电路方面的研究.

中图分类号: TN432

High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference

1.
School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054

摘要: 介绍了一种采用0.5 μm CMOS N阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116 dB,在-40℃~85℃温度范围内温度系数为46 ppm/℃,功耗仅为1.45 mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。
- 带隙基准电压源 /
- 互补型金属氧化物半导体 /
- 电源抑制比 /
- 温度系数
Abstract: A bandgap voltage reference circuit using 0.5 μm complementary metal oxide semiconductor transistor (CMOS) N-well process is presented in the paper. The circuit has high power supply rejection ratio (PSRR) and low-temperature coefficient. The bias voltages of core circuit is independent to the power supply voltage, and the whole bandgap circuit has high PSRR through adding the power supply to the operational amplifier of which the output voltage is supplied for the core circuit. The simulation results for this circuit using SPECTRE show that the PSRR is 116 dB, the temperature coefficient from -40℃ to 85℃ temperature range is 46 ppm/℃ and the power consumption is only 1.45 mW. The bandgap discussed in this paper can be widely used in ADC, DAC, reference circuit and so on.
- bandgap voltage reference /
- complementary metal oxide semiconductor transistor /
- power supply rejection ratio /
- temperature coefficient

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高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

1. 电子科技大学光电信息学院成都 610054

基金项目:

国家杰出青年基金(60425101)

作者简介:
吴志明(1964-),男,博士,教授,主要从事非制冷红外焦平面读出电路方面的研究.

收稿日期: 2006-09-11
修回日期: 2007-03-18
刊出日期: 2008-06-15

中图分类号: TN432

关键词:

摘要: 介绍了一种采用0.5 μm CMOS N阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116 dB,在-40℃~85℃温度范围内温度系数为46 ppm/℃,功耗仅为1.45 mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。

English Abstract

吴志明, 黄颖, 吕坚, 王靓, 李素. 高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 453-456.

引用本文:

吴志明, 黄颖, 吕坚, 王靓, 李素. 高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 453-456.

WU Zhi-ming, HUANG Ying, Lü Jian, WANG Liang, LI Su. High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 453-456.

Citation:

WU Zhi-ming, HUANG Ying, Lü Jian, WANG Liang, LI Su. High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 453-456.

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