InGaAs/InP APD探测器光电特性检测

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InGaAs/InP APD探测器光电特性检测

肖雪芳, 杨国华, 归强, 王国宏, 马晓宇, 陈朝, 陈良惠

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肖雪芳, 杨国华, 归强, 王国宏, 马晓宇, 陈朝, 陈良惠. InGaAs/InP APD探测器光电特性检测[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 460-463.

引用本文:

肖雪芳, 杨国华, 归强, 王国宏, 马晓宇, 陈朝, 陈良惠. InGaAs/InP APD探测器光电特性检测[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 460-463.

XIAO Xue-fang, YANG Guo-hua, GUI qiang, WANG Guo-hong, MA Xiao-yu, CHEN Chao, CHEN Liang-hui. Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics of InGaAs/InP Avalanche Photodiode[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 460-463.

Citation:

XIAO Xue-fang, YANG Guo-hua, GUI qiang, WANG Guo-hong, MA Xiao-yu, CHEN Chao, CHEN Liang-hui. Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics of InGaAs/InP Avalanche Photodiode[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 460-463.

InGaAs/InP APD探测器光电特性检测

1.
中国科学院半导体研究所北京海淀区 100083;
2.
厦门大学物理系厦门 361005

作者简介:
肖雪芳(1977-),女,博士,主要从事半导体光电探测器的研制与测试等方面的研究.

中图分类号: TN312+.7

Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics of InGaAs/InP Avalanche Photodiode

1.
Institute of Semiconductor of Chinese Academy of Science Haidian Beijing 100083;
2.
Department of Physics of Xiamen University Xiamen 361005

摘要: 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500 μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA,在直径500 μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InP APD器件最大倍增因子的典型值在10~100量级。
- 静态光电特性的自动测试系统 /
- 雪崩光电二极管 /
- 大面积APD /
- 倍增因子
Abstract: A measurement system is set up which could measure static optoelectronic characteristics of avalanche photodiodes (APDs). By using this system, the mesa-structure InP/InGaAs APDs is measured. The results show that the APDs have a relatively low dark current (~150 nA at 90% of breakdown) and a uniform photoresponse profile of about 500 μm diameter. A method of getting APDs's multiplication gain is also proposed. Through getting the photocurrent at the point where multiplication is beginning, the multiplication gain can be obtained by the simple current-voltage equipment. For InP/InGaAs APDs, the typical maximum multiplication gain measured by this method is about 10~100.
- auto-measurement system of static optoelectronic characteristics /
- avalanche photodiodes /
- large area APD /
- multiplication gain

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InGaAs/InP APD探测器光电特性检测

1. 中国科学院半导体研究所北京海淀区 100083;

2. 厦门大学物理系厦门 361005

作者简介:
肖雪芳(1977-),女,博士,主要从事半导体光电探测器的研制与测试等方面的研究.

收稿日期: 2006-10-24
修回日期: 2007-03-31
刊出日期: 2008-06-15

中图分类号: TN312+.7

关键词:

摘要: 建立了雪崩二极管的静态光电特性的自动测试系统。利用该系统对光敏面的直径为500 μm的台面型InGaAs/InP雪崩光电二极管(APDs)进行测试。测试结果表明,该APD器件在90%击穿电压下的暗电流为151 nA,在直径500 μm的光敏面上其光响应均匀性良好。提出一种测量雪崩二极管倍增因子的方法,只需利用普通的测量电流-电压的测试仪器,就可以获得开始倍增时的光电流,从而得到APD的倍增因子。通过该方法得到的InGaAs/InP APD器件最大倍增因子的典型值在10~100量级。

English Abstract

肖雪芳, 杨国华, 归强, 王国宏, 马晓宇, 陈朝, 陈良惠. InGaAs/InP APD探测器光电特性检测[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 460-463.

引用本文:

肖雪芳, 杨国华, 归强, 王国宏, 马晓宇, 陈朝, 陈良惠. InGaAs/InP APD探测器光电特性检测[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 460-463.

XIAO Xue-fang, YANG Guo-hua, GUI qiang, WANG Guo-hong, MA Xiao-yu, CHEN Chao, CHEN Liang-hui. Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics of InGaAs/InP Avalanche Photodiode[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 460-463.

Citation:

XIAO Xue-fang, YANG Guo-hua, GUI qiang, WANG Guo-hong, MA Xiao-yu, CHEN Chao, CHEN Liang-hui. Measurement of the Static Optoelectronic Characteristics of InGaAs/InP Avalanche Photodiode[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 460-463.

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