LiF和AgCl中四角的V<sup>2+</sup>中心的缺陷结构研究

高秀英; 邬劭轶; 魏望和; 颜微子

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LiF和AgCl中四角的V²⁺中心的缺陷结构研究

高秀英, 邬劭轶, 魏望和, 颜微子

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高秀英, 邬劭轶, 魏望和, 颜微子. LiF和AgCl中四角的V2+中心的缺陷结构研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(4): 500-502,506.

引用本文:

高秀英, 邬劭轶, 魏望和, 颜微子. LiF和AgCl中四角的V²⁺中心的缺陷结构研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(4): 500-502,506.

GAO Xiu-ying, WU Shao-yi, WEI Wang-he, YAN We-izi. Investigations on the Defect Structures for the Tetragonal V2+ Centers in LiF and AgCl[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(4): 500-502,506.

Citation:

GAO Xiu-ying, WU Shao-yi, WEI Wang-he, YAN We-izi. Investigations on the Defect Structures for the Tetragonal V²⁺ Centers in LiF and AgCl[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(4): 500-502,506.

LiF和AgCl中四角的V²⁺中心的缺陷结构研究

1.
电子科技大学物理电子学院成都 610054

详细信息

作者简介:
高秀英(1981-),女,硕士,主要从事晶体中过度离子的光谱和EPR谱的理论研究.

中图分类号: O737

Investigations on the Defect Structures for the Tetragonal V²⁺ Centers in LiF and AgCl

1.
School of Physical Electronics,Univ. of Electron. Sci. & Tech. of China Chengdu 610054

摘要: 基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2+在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上VC间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离△Z。根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好。
- 缺陷结构 /
- 电子顺磁共振 /
- 晶体场和配位场理论 /
- 重叠模型
Abstract: The defect structures for the tetragonal V2+ centers in LiF and AgCl are theoretically studied from the perturbation formulas of the Electron Paramagnetic Resonance (EPR) parameters for a 3d3 ion in tetragonal symmetry based on the cluster approach. The structure model proposed in this work suggests that the ligand intervening in the impurity V2+ and the next-nearest-neighbouring cation vacancy (VC) in the C4 axis is expected to suffer an off-center displacement △Z towards the former due to electrostatic repulsion. The theoretical EPR parameters based on the above defect structures show a good agreement with the observed values.
- defect structures /
- electron paramagnetic resonance /
- crystal-and ligand fields /
- superposition model

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LiF和AgCl中四角的V²⁺中心的缺陷结构研究

1. 电子科技大学物理电子学院成都 610054

作者简介:
高秀英(1981-),女,硕士,主要从事晶体中过度离子的光谱和EPR谱的理论研究.

收稿日期: 2005-01-24
刊出日期: 2006-08-15

中图分类号: O737

关键词:

摘要: 基于离子簇近似下四角场中3d3离子EPR参量的微扰公式,通过配位场方法对LiF和AgCl中四角V2+中心的缺陷结构和EPR参量进行了理论研究,提出V2+在LiF和AgCl中的缺陷结构模型,即处于杂质离子与C4轴方向上VC间的配体将由于VC的静电排斥作用而朝靠近杂质离子的方向上位移一段距离△Z。根据上述缺陷结构模型得到的EPR参量理论值与实验值吻合较好。

English Abstract

高秀英, 邬劭轶, 魏望和, 颜微子. LiF和AgCl中四角的V2+中心的缺陷结构研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(4): 500-502,506.

引用本文:

高秀英, 邬劭轶, 魏望和, 颜微子. LiF和AgCl中四角的V²⁺中心的缺陷结构研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(4): 500-502,506.

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作者简介:
高秀英(1981-),女,硕士,主要从事晶体中过度离子的光谱和EPR谱的理论研究.

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1. 电子科技大学物理电子学院成都 610054

作者简介:
高秀英(1981-),女,硕士,主要从事晶体中过度离子的光谱和EPR谱的理论研究.

English Abstract

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1. School of Physical Electronics,Univ. of Electron. Sci. & Tech. of China Chengdu 610054

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作者简介: 高秀英(1981-),女,硕士,主要从事晶体中过度离子的光谱和EPR谱的理论研究.

Investigations on the Defect Structures for the Tetragonal V2+ Centers in LiF and AgCl

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出版历程

LiF和AgCl中四角的V2+中心的缺陷结构研究

1. 电子科技大学物理电子学院 成都 610054

作者简介: 高秀英(1981-),女,硕士,主要从事晶体中过度离子的光谱和EPR谱的理论研究.

English Abstract

Investigations on the Defect Structures for the Tetragonal V2+ Centers in LiF and AgCl

1. School of Physical Electronics,Univ. of Electron. Sci. & Tech. of China Chengdu 610054

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作者简介:
高秀英(1981-),女,硕士,主要从事晶体中过度离子的光谱和EPR谱的理论研究.

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作者简介:
高秀英(1981-),女,硕士,主要从事晶体中过度离子的光谱和EPR谱的理论研究.

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