留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

衬底效应对LiTaO3薄膜制备的影响

张德银 黄大贵 李金华 但迪迪 董政

张德银, 黄大贵, 李金华, 但迪迪, 董政. 衬底效应对LiTaO3薄膜制备的影响[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 660-662,669.
引用本文: 张德银, 黄大贵, 李金华, 但迪迪, 董政. 衬底效应对LiTaO3薄膜制备的影响[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 660-662,669.
ZHANG De-yin, HUANG Da-gui, LI Jin-hua, DAN Di-di, DONG Zheng. Substrate Effects on Preparation of LiTaO3 Thin Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(4): 660-662,669.
Citation: ZHANG De-yin, HUANG Da-gui, LI Jin-hua, DAN Di-di, DONG Zheng. Substrate Effects on Preparation of LiTaO3 Thin Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(4): 660-662,669.

衬底效应对LiTaO3薄膜制备的影响

基金项目: 

国家自然科学基金资助项目(60572007)

详细信息
    作者简介:

    张德银(1971-),男,在职博士生,副教授,主要从事传感器设计、制造和与应用方面的研究.

  • 中图分类号: TN215

Substrate Effects on Preparation of LiTaO3 Thin Films

计量
  • 文章访问数:  3417
  • HTML全文浏览量:  133
  • PDF下载量:  99
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-05-15
  • 刊出日期:  2006-08-15

衬底效应对LiTaO3薄膜制备的影响

    基金项目:

    国家自然科学基金资助项目(60572007)

    作者简介:

    张德银(1971-),男,在职博士生,副教授,主要从事传感器设计、制造和与应用方面的研究.

  • 中图分类号: TN215

摘要: 用溶胶凝胶法在N型硅、P型硅、石英、铂、镍衬底上制备了钽酸锂(LiTaO3)薄膜,用XRD和SEM对钽酸锂薄膜性能参数进行了表征;发现掺杂少量环氧树脂能提高钽酸锂薄膜的均匀性,改善薄膜与衬底的粘附性;研究了衬底效应与薄膜厚度的关系,薄膜厚度超过0.2 μm,Ni衬底的XRD峰值强度几乎不再出现,说明衬底对薄膜初始结晶取向有重要影响;利用不同衬底上生长钽酸锂薄膜,XRD研究结果表明:N型硅、P型硅、石英衬底上只能制备多晶钽酸锂薄膜,铂衬底上制备的钽酸锂薄膜在(012)晶向有强大的择优取向性,镍衬底上制备的钽酸锂薄膜有更好的C轴择优取向性,C轴择优取向系数可达0.082。

English Abstract

张德银, 黄大贵, 李金华, 但迪迪, 董政. 衬底效应对LiTaO3薄膜制备的影响[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 660-662,669.
引用本文: 张德银, 黄大贵, 李金华, 但迪迪, 董政. 衬底效应对LiTaO3薄膜制备的影响[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 660-662,669.
ZHANG De-yin, HUANG Da-gui, LI Jin-hua, DAN Di-di, DONG Zheng. Substrate Effects on Preparation of LiTaO3 Thin Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(4): 660-662,669.
Citation: ZHANG De-yin, HUANG Da-gui, LI Jin-hua, DAN Di-di, DONG Zheng. Substrate Effects on Preparation of LiTaO3 Thin Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(4): 660-662,669.

目录

    /

    返回文章
    返回