低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制

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低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制

于奇, 杨谟华, 李竞春, 王向展, 肖海燕

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于奇, 杨谟华, 李竞春, 王向展, 肖海燕. 低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(2): 146-148,163.

引用本文:

于奇, 杨谟华, 李竞春, 王向展, 肖海燕. 低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(2): 146-148,163.

Yu Qi, Yang Mohua, Li Jingchun, Wang Xiangzhan, Xiao Haiyan. Design and Fabrication of a Low-Noise CMOS Charge Sensitive Amplifier[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(2): 146-148,163.

Citation:

Yu Qi, Yang Mohua, Li Jingchun, Wang Xiangzhan, Xiao Haiyan. Design and Fabrication of a Low-Noise CMOS Charge Sensitive Amplifier[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(2): 146-148,163.

低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制

1.
电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金资助项目,编号:60072004

作者简介:
于奇男 29岁硕士讲师主要从事超深亚微米数模混合信号集成电路/系统设计技术方面的研究

中图分类号: TN431.1

Design and Fabrication of a Low-Noise CMOS Charge Sensitive Amplifier

1.
School of Microelectronics and Solid-State Electronics,UEST of China Chengdu 610054

Funds:

The Project is supported by the Natural Science Foundation of China, No: 60072004

摘要: 提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9°,低频下输出噪声频谱密度为1.5μV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。
- 低噪声 /
- 电荷放大器 /
- 低功耗设计 /
- 低电压
Abstract: A new design of low-noise low-power consumption charge sensitive amplifier is presented. Simulated by EDA software Cadence, the results obtained are satisfied. The DC open-loop gain is 82.9 dB with a 28 kHz -3 dB bandwidth and its phase margin is 46.9°. The maximum output noise spectral density is 1.5 μV/Hz2 at very low frequency. Using standard 3mm P-Well CMOS technology, the proposed amplifier is fabricated, and the measurement results are closed to the simulation.
- low-noise /
- charge amplifier /
- low power design /
- low voltage

[1]	来晋明, 马晓华, 王海龙, 王超杰, 李志友. 基于GaN-FET大功率、超低功耗移相器设计 . 电子科技大学学报, 2023, 52(2): 209-213. doi: 10.12178/1001-0548.2021208
[2]	何松柏, 陈金虎, 童仁彬, 彭瑞敏. 基于Sweet Spot的线性高效率功率放大器设计 . 电子科技大学学报, 2015, 44(2): 190-194. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.02.005
[3]	刘雯, 徐连明. 一种用于低频微弱信号采集的通用放大器设计 . 电子科技大学学报, 2014, 43(2): 222-225. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.02.012
[4]	胡剑浩, 唐青. 面向低电压供电数字电路的容错计算系统结构设计 . 电子科技大学学报, 2013, 42(6): 831-835. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.06.004
[5]	杨骁, 齐骋, 王亮, 谢应辉. 无共模反馈电路的低功耗可变增益放大器 . 电子科技大学学报, 2013, 42(6): 857-861. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.06.009
[6]	严君美, 褚庆昕, 龚志. 平面链式功率合成放大器 . 电子科技大学学报, 2012, 41(5): 702-705. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.05.012
[7]	徐力, 史少波, 王沁. 面向SDR应用的多核DSP低功耗设计 . 电子科技大学学报, 2012, 41(1): 136-141. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.01.026
[8]	何松柏, 游飞. 动态偏置射频功率放大器研究 . 电子科技大学学报, 2009, 38(2): 190-193. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.02.08
[9]	吴志明, 杨鹏, 吕坚, 蒋亚东. 非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计 . 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 137-140.
[10]	黄勇, 李宏福, 喻胜, 罗勇, 牛新建, 徐勇, 雷朝军. 3 mm低电压回旋管设计与模拟 . 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 79-82.
[11]	刘布民, 蔡伟, 陆铁军, 王宗民. 低功耗无损电流检测技术的分析与设计 . 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 393-396.
[12]	鲍景富, 郭伟, 李源. WCDMA线性功率放大器设计 . 电子科技大学学报, 2008, 37(1): 1-3.
[13]	徐骏宇, 高正平. 一种高效率低电压3倍负压电荷泵的设计 . 电子科技大学学报, 2005, 34(1): 73-76.
[14]	陈海燕, 戴基智, 曾雪飞, 黄绣江, 刘永智. 宽带集成光波导放大器的结构设计 . 电子科技大学学报, 2003, 32(3): 264-266.
[15]	杨俊华, 张大彪. 双增益对数中频放大器 . 电子科技大学学报, 2002, 31(6): 566-570.
[16]	史宗君, 杨梓强, 梁正. 同轴波导FEL放大器的非线性分析 . 电子科技大学学报, 2002, 31(3): 245-249.
[17]	薛飞, 邱昆, 张宏斌. 一种混合光纤放大器的设计 . 电子科技大学学报, 2002, 31(1): 15-18,23.
[18]	李大治, 梁正. FEM放大器非线性特性研究 . 电子科技大学学报, 2000, 29(1): 73-76.
[19]	彭拥军, 邱昆, 邱琪. 掺铒先纤放大器放大的自发辐射噪声的研究 . 电子科技大学学报, 1998, 27(4): 362-366.
[20]	延波, 徐静, 薛良金. 微波放大器增益与噪声关系的分析方法 . 电子科技大学学报, 1997, 26(5): 483-486.

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低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制

1. 电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金资助项目,编号:60072004

作者简介:
于奇男 29岁硕士讲师主要从事超深亚微米数模混合信号集成电路/系统设计技术方面的研究

收稿日期: 2002-07-05
刊出日期: 2003-04-15

中图分类号: TN431.1

关键词:

摘要: 提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9°,低频下输出噪声频谱密度为1.5μV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。

English Abstract

于奇, 杨谟华, 李竞春, 王向展, 肖海燕. 低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(2): 146-148,163.

引用本文:

于奇, 杨谟华, 李竞春, 王向展, 肖海燕. 低噪声CMOS电荷敏放大器设计与研制[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(2): 146-148,163.

Yu Qi, Yang Mohua, Li Jingchun, Wang Xiangzhan, Xiao Haiyan. Design and Fabrication of a Low-Noise CMOS Charge Sensitive Amplifier[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(2): 146-148,163.

Citation:

Yu Qi, Yang Mohua, Li Jingchun, Wang Xiangzhan, Xiao Haiyan. Design and Fabrication of a Low-Noise CMOS Charge Sensitive Amplifier[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(2): 146-148,163.

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