4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备

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4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备

王守国, 张义门, 张玉明

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王守国, 张义门, 张玉明. 4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(2): 203-206.

引用本文:

王守国, 张义门, 张玉明. 4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(2): 203-206.

Wang Shouguo, Zhang Yimen, Zhang Yuming. Fabrication of Ohmic Contacts to 4H-SiC Created by Ion-Implantation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(2): 203-206.

Citation:

Wang Shouguo, Zhang Yimen, Zhang Yuming. Fabrication of Ohmic Contacts to 4H-SiC Created by Ion-Implantation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(2): 203-206.

4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备

1.
西安电子科技大学微电子所西安 710071;
2.
西北大学电子系西安 710069

基金项目:

国防预研基金资助项目,编号:8.1.7.3

作者简介:
王守国男 31岁博士生讲师主要从事半导体器件模拟方面的研究

中图分类号: TN405

Fabrication of Ohmic Contacts to 4H-SiC Created by Ion-Implantation

1.
Institute of Microelectronics,Xidian University Xi'an 710071;
2.
Department of Electronics,Northwest University Xi'an 710069

Funds:

The research was supported by Advanced Research Foundation, No: 8.1.7.3

摘要: 用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30 kΩ/square,Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻ρc为7.1×10-4Ωcm2。
- SiC /
- 离子注入 /
- 欧姆接触 /
- 方块电阻
Abstract: Doping by nitrogen ion-implantation is used to fabricate the Ohmic contacts of 4H-SiC. The implantation depth profile is simulated with the Monte Carlo simulator TRIM. Ni/Cr/Si-face 4H-SiC Ohmic contacts are measured by Transfer Length Method structures. The result for sheet resistance Rsh of the implanted layers is 30 kΩ/square. The specific contact resistances ρc of Ohmic contacts is 7.1×10-4 Ωcm2.
- Silicon carbide /
- ion implantation /
- Ohmic contact /
- sheet resis tance

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4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备

1. 西安电子科技大学微电子所西安 710071;

2. 西北大学电子系西安 710069

基金项目:

国防预研基金资助项目,编号:8.1.7.3

作者简介:
王守国男 31岁博士生讲师主要从事半导体器件模拟方面的研究

收稿日期: 2002-09-26
刊出日期: 2003-04-15

中图分类号: TN405

关键词:

摘要: 用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30 kΩ/square,Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻ρc为7.1×10-4Ωcm2。

English Abstract

王守国, 张义门, 张玉明. 4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(2): 203-206.

引用本文:

王守国, 张义门, 张玉明. 4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(2): 203-206.

Wang Shouguo, Zhang Yimen, Zhang Yuming. Fabrication of Ohmic Contacts to 4H-SiC Created by Ion-Implantation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(2): 203-206.

Citation:

Wang Shouguo, Zhang Yimen, Zhang Yuming. Fabrication of Ohmic Contacts to 4H-SiC Created by Ion-Implantation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(2): 203-206.

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