横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应

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横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应

李泽宏, 李肇基, 杨舰

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李泽宏, 李肇基, 杨舰. 横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(2): 149-153.

引用本文:

李泽宏, 李肇基, 杨舰. 横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(2): 149-153.

Li Zehong, Li Zhaoji, Yangjian. Transient Response of Single Ion Radiate the Lateral High-Voltage DMOS[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(2): 149-153.

Citation:

Li Zehong, Li Zhaoji, Yangjian. Transient Response of Single Ion Radiate the Lateral High-Voltage DMOS[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(2): 149-153.

横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应

1.
电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(60076030、60276040)

作者简介:
李泽宏(1970-),男,博士生,主要从事功率MOS器件的机理及基本参数辐照理论方面的研究.

中图分类号: TN386

Transient Response of Single Ion Radiate the Lateral High-Voltage DMOS

1.
School of Microelectronics and Solid-State Electronics,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果表明,横向高压DMOS的开态漏端峰值电流比关态的漏端峰值电流小,且漏端峰值电流和峰值电流出现的时间随入射粒子能量的增大而增加。
- 横向高压DMOS /
- 单粒子效应 /
- 等离子体 /
- 瞬态响应
Abstract: Based on the transport mechanism of the single ion radiate plasma, the transient response model of single ion radiate the lateral high-voltage DMOSis proposed. The transient response characters of DMOS at non-junction, single junction and double junction are obtained by the transient response numerical analysis result of the open and close state of the DMOS at different energy ion radiation. Indicated that the peak value drain current of the turn-on state is bigger than that of the turn-off state, the peak value drain current and the arisen time of the peak value drain current are increased while the energy of the ion is increased.
- lateral high-voltage DMOS /
- single event effect /
- plasma /
- transient response

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[2]	袁野, 张岩, 郭成, 刘玉献, 薄勇, 赵青. 小型化高密度可调控电感耦合等离子体发生器性能研究 . 电子科技大学学报, 2022, 51(5): 715-720. doi: 10.12178/1001-0548.2021356
[3]	邓江, 王小菊. 碳纳米管功能层在等离子体显示中的应用研究 . 电子科技大学学报, 2016, 45(1): 151-154. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.01.026
[4]	龚森, 胡旻, 钟任斌, 陈晓行, 张平, 赵陶, 刘盛纲. 电子注激励石墨烯表面等离子体激元的研究 . 电子科技大学学报, 2016, 45(1): 71-76. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.01.011
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[6]	吴松荣, 许建平, 何圣仲, 王金平, 周国华. 开关变换器多频率控制方法研究 . 电子科技大学学报, 2014, 43(6): 857-862. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.06.011
[7]	张平, 张雅鑫, 周俊, 刘盛纲. 电子平行金属表面运动激励表面等离子体波研究 . 电子科技大学学报, 2013, 42(2): 234-238. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.02.011
[8]	张雅鑫, 贾佳, 付强. 带电粒子在磁化等离子体中辐射模拟研究 . 电子科技大学学报, 2009, 38(4): 549-552. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.04.018
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横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应

1. 电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(60076030、60276040)

作者简介:
李泽宏(1970-),男,博士生,主要从事功率MOS器件的机理及基本参数辐照理论方面的研究.

收稿日期: 2003-10-13
刊出日期: 2004-04-15

中图分类号: TN386

关键词:

摘要: 基于单粒子辐照的等离子体输运机理,提出了横向高压DMOS单粒子辐照的瞬态响应模型。借助对横向高压DMOS的关态和开态的不同能量粒子辐照瞬态响应的二维数值分析,获得了横向高压DMOS在双结、单结和无结情况下的瞬态响应特性。其计算结果表明,横向高压DMOS的开态漏端峰值电流比关态的漏端峰值电流小,且漏端峰值电流和峰值电流出现的时间随入射粒子能量的增大而增加。

English Abstract

李泽宏, 李肇基, 杨舰. 横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(2): 149-153.

引用本文:

李泽宏, 李肇基, 杨舰. 横向高压DMOS单粒子辐照瞬态响应[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(2): 149-153.

Li Zehong, Li Zhaoji, Yangjian. Transient Response of Single Ion Radiate the Lateral High-Voltage DMOS[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(2): 149-153.

Citation:

Li Zehong, Li Zhaoji, Yangjian. Transient Response of Single Ion Radiate the Lateral High-Voltage DMOS[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(2): 149-153.

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