InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究

林维涛, 阮成礼, 杨宏春

文章导航 > 电子科技大学学报 > 2003 > 32(6): 649-651

林维涛, 阮成礼, 杨宏春. InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(6): 649-651.

引用本文:

林维涛, 阮成礼, 杨宏春. InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(6): 649-651.

Lin Weitao, Ruan Chengli, Yang Hongchun. Experiment Investigation of Ultra-Short Electrical Pulse Generated by InP:Fe Photoconductive Semiconductor Switches[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(6): 649-651.

Citation:

Lin Weitao, Ruan Chengli, Yang Hongchun. Experiment Investigation of Ultra-Short Electrical Pulse Generated by InP:Fe Photoconductive Semiconductor Switches[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(6): 649-651.

InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究

1.
电子科技大学物理电子学院成都 610054

基金项目:

国家863基金资金资助项目,编号:2002AA837030;国家重点实验室基金资助项目,编号:514250201DZ02;总装武器装备预研基金资助项目

作者简介:
林维涛男 24岁硕士生主要从事超宽带电磁学方面的研究

中图分类号: TN201

Experiment Investigation of Ultra-Short Electrical Pulse Generated by InP:Fe Photoconductive Semiconductor Switches

1.
School of Physical Electronics,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 利用高阻特性的InP:Fe材料,制成间隙分别为2 mm和3 mm的横向型光导开关,在不同高压情况下,用ns和ps光脉冲触发进行实验研究,并对实验结果进行分析,得到了响应速度快、脉冲宽度窄、性能稳定的电脉冲信号。该实验不仅可以应用于超宽带电磁脉冲的产生方面,同时也为进一步的理论分析研究提供了依据。
- 光导开关 /
- 超短电脉冲 /
- 实验研究 /
- 横向型
Abstract: In this paper,2mm-gap and 3mm-gap lateral high resistive InP:Fe Photoconductive semiconductor switches are fabricated.These switches are triggered by nano-second and pico-second laser pulse. Experiment are given out and a fast time,narrow pulse duration and stable performance waveform is received.This experiment not only can be applied in Ultra-wideband signal's generation but also supplies important reference for the theory investigation.
- photoconductive switches /
- ultra-short electrical pulse /
- experiment investigation /
- lateral

[1]	彭宏伟, 曹梦玲, 黄天, 王青松, 朱少立, 徐大为. H型栅PMOS跨导双峰效应建模 . 电子科技大学学报, 2022, 51(6): 947-952. doi: 10.12178/1001-0548.2021368
[2]	黄文波, 陈科, 邱婷婷, 罗燕, 林江莉. 超声辐射力脉冲技术分级量化肝纤维化的实验研究 . 电子科技大学学报, 2017, 46(6): 942-948. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2017.06.025
[3]	尹德强, 邓兵, 王旭. 基于Pei采样型DFRFT算法的线性调频脉冲压缩 . 电子科技大学学报, 2013, 42(2): 225-228. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.02.009
[4]	张开春, 吴振华. 105 GHz折叠波导EIO的研究和初步实验 . 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 865-869. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.009
[5]	周郁明, 靳爱津, 冯德仁. 钒补偿度对SiC光导开关特性影响的研究 . 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 937-940. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.023
[6]	吴明和, 郑晓明, 孙云卿, 崔海娟, 曾刚. 储能电容与光导开关的工作模式 . 电子科技大学学报, 2011, 40(2): 227-230. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.02.014
[7]	熊红川, 罗程, 吕粟, 唐鹤菡, 吴岂柱, 龚启勇, 黄颖玲, 尧德中. 神经电流磁场的MRI实验研究 . 电子科技大学学报, 2010, 39(6): 948-951. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.06.030
[8]	李廷军, 孔令讲, 周正欧. 探地雷达横向等效变波速SAR成像算法研究 . 电子科技大学学报, 2010, 39(1): 16-20. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.01.004
[9]	肖建平. 高压开关电源的拓扑研究 . 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 726-729.
[10]	杨瑜, 杨宏春, 孙云卿. 超宽带电脉冲的慢衰减特性 . 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 924-926.
[11]	宫玉彬, 徐如清, 路志刚, 魏彦玉, 王冠军, 王文祥. 矩形栅慢波系统的理论与实验研究 . 电子科技大学学报, 2006, 35(3): 352-355.
[12]	杨芳, 何子述. MIMO实验系统中的数据缓冲应用研究 . 电子科技大学学报, 2005, 34(5): 577-580.
[13]	王彬, 谢文楷, 黎晓云, 鄢扬, 高昕艳. PASOTRON光控脉冲馈气系统及实验研究 . 电子科技大学学报, 2004, 33(1): 50-52.
[14]	刘鸿, 阮成礼, 吴明和. 光导开关产生的非线性电脉冲的传输特性 . 电子科技大学学报, 2004, 33(3): 262-265.
[15]	李绍才, 李克克. 吉诺竞争与横向合并 . 电子科技大学学报, 1999, 28(6): 618-620.
[16]	井润田. 关于实验经济学中理性假定的研究 . 电子科技大学学报, 1999, 28(6): 591-595.
[17]	庄圣贤, 李学宁, 李肇基. 改进型并联准谐振直流环逆变器及脉冲调制 . 电子科技大学学报, 1998, 27(3): 296-299.
[18]	刘华, 胡渝, 刘盛纲. 半导体激光器光束修正实验研究 . 电子科技大学学报, 1998, 27(1): 73-77.
[19]	袁晓, 虞厥邦. 一类脉冲发放型人工神经元 . 电子科技大学学报, 1997, 26(1): 63-66.
[20]	李慎. 在CdS热光OB中横向空间效应的机理探讨 . 电子科技大学学报, 1997, 26(5): 529-532.

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 3250
HTML全文浏览量: 90
PDF下载量: 73
被引次数: 0

InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究

1. 电子科技大学物理电子学院成都 610054

基金项目:

国家863基金资金资助项目,编号:2002AA837030;国家重点实验室基金资助项目,编号:514250201DZ02;总装武器装备预研基金资助项目

作者简介:
林维涛男 24岁硕士生主要从事超宽带电磁学方面的研究

收稿日期: 2003-08-29
刊出日期: 2003-12-15

中图分类号: TN201

关键词:

摘要: 利用高阻特性的InP:Fe材料,制成间隙分别为2 mm和3 mm的横向型光导开关,在不同高压情况下,用ns和ps光脉冲触发进行实验研究,并对实验结果进行分析,得到了响应速度快、脉冲宽度窄、性能稳定的电脉冲信号。该实验不仅可以应用于超宽带电磁脉冲的产生方面,同时也为进一步的理论分析研究提供了依据。

English Abstract

林维涛, 阮成礼, 杨宏春. InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(6): 649-651.

引用本文:

林维涛, 阮成礼, 杨宏春. InP:Fe光导开关产生超短电脉冲实验研究[J]. 电子科技大学学报, 2003, 32(6): 649-651.

Lin Weitao, Ruan Chengli, Yang Hongchun. Experiment Investigation of Ultra-Short Electrical Pulse Generated by InP:Fe Photoconductive Semiconductor Switches[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(6): 649-651.

Citation:

Lin Weitao, Ruan Chengli, Yang Hongchun. Experiment Investigation of Ultra-Short Electrical Pulse Generated by InP:Fe Photoconductive Semiconductor Switches[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2003, 32(6): 649-651.

全文HTML

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回

期刊在线

编辑办公

友情链接

电子科技大学

版权所有 © 《电子科技大学学报》编辑部

地址: 成都市建设北路二段四号电子科技大学主楼中350室电话: 028-83202308,83207559 Email: xuebao@uestc.edu.cn

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发