高速SOI-LIGBT的数值分析

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高速SOI-LIGBT的数值分析

杨健, 方健, 李肇基

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杨健, 方健, 李肇基. 高速SOI-LIGBT的数值分析[J]. 电子科技大学学报, 2000, 29(2): 153-157.

引用本文:

杨健, 方健, 李肇基. 高速SOI-LIGBT的数值分析[J]. 电子科技大学学报, 2000, 29(2): 153-157.

Yang Jian, Fang Jian, Li Zhaoji. Numerical Analysis of High Speed SOI-LIGBT[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2000, 29(2): 153-157.

Citation:

Yang Jian, Fang Jian, Li Zhaoji. Numerical Analysis of High Speed SOI-LIGBT[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2000, 29(2): 153-157.

高速SOI-LIGBT的数值分析

1.
电子科技大学微电子所成都 610054

基金项目:

国家“九五”预研基金资助项目和国防基金资助项目

作者简介:
杨健男 26岁博士

中图分类号: TN432

Numerical Analysis of High Speed SOI-LIGBT

1.
Research Institute of Microelectronics,UEST of China Chenghu 610054

摘要: 研制出He离子注入局域寿命控制SOI横向绝缘栅双极晶体管(SOI-LIGBT),有效地提高了器件的关断速度,且与集成电路工艺相兼容。数值模拟表明,该器件的tf~VF折衷关系优于采用非局域寿命控制的器件,在相同关断速度下其正向压降可降低0.6~1.4 V,避免了阳极短路结构的正向快速返回现象。
- 横向绝缘栅 /
- 双极晶体管 /
- 智能功率集成电路 /
- 局域寿命控制 /
- 关断速度 /
- 正向压降
Abstract: He ion implantation localized lifetime control SOI lateral insulated gate bipolar transistor (SOI-LIGBT) is proposed in this paper,which can effectively raise the turn-off speed of devices,which is compatibles with integrated circuit process.It is demonstrated by numerical simulation that the tf~VF trade-off is superior to the devices using unlocalized lifetime control,the forward on-state voltage can be reduced by 0.6-1.4 V at the same turn-off speed,and it can avoid the snap-back phenomena of anode-short structure.
- insulated gate /
- bipolar transistor /
- smart power integrated circuit /
- localized lifetime control /
- turn off time /
- forward voltage drop

[1]	陈姜龙, 王曾晖. 范德瓦尔斯异质结柔性晶体管在动态应变下的电学性能测量 . 电子科技大学学报, 2024, 53(): 1-7. doi: 10.12178/1001-0548.2023104
[2]	赵建明, 张宜尧, 刘炜恒, 李晓东, 徐银森, 李建全, 徐开凯. CP-PLL快速入锁集成电路方案设计 . 电子科技大学学报, 2021, 50(2): 180-185. doi: 10.12178/1001-0548.2019246
[3]	宫大鹏, 刘佳, 黄桃, 李建清, 杨中海. 空间行波管多目标智能调试系统 . 电子科技大学学报, 2020, 49(6): 848-853. doi: 10.12178/1001-0548.2020026
[4]	寇海霞, 安宗文, 刘波. 双应力同步步降加速寿命试验方法 . 电子科技大学学报, 2016, 45(2): 316-320.
[5]	谢光忠, 吴寸雪, 蒋亚东, 太惠玲, 苏元捷, 杜晓松. 有机薄膜晶体管气体传感器的研究进展 . 电子科技大学学报, 2016, 45(4): 664-673. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.04.019
[6]	吕卫民, 胡冬, 谢劲松. 基于失效物理的电路板寿命预测案例研究 . 电子科技大学学报, 2013, 42(4): 635-640. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.04.020
[7]	徐洁, 李青, 林慧, 王洪. MoO₃源漏电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的影响 . 电子科技大学学报, 2012, 41(6): 941-943. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.06.024
[8]	张健, 徐红兵, 王情. 多重分形谱在集成电路动态电流故障诊断中的应用 . 电子科技大学学报, 2011, 40(4): 544-548.
[9]	史凌峰. 新型过压保护电路设计 . 电子科技大学学报, 2011, 40(2): 210-213. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.02.010
[10]	邹见效, 袁炀, 黄其平, 郑刚, 曾斌, 彭超. 风电场有功功率控制降功率优化算法 . 电子科技大学学报, 2011, 40(6): 882-886. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.015
[11]	姜书艳, 罗毅, 罗刚, 谢永乐. 电路级栅氧短路故障的动态电流测试分析 . 电子科技大学学报, 2010, 39(1): 61-64. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.01.015
[12]	马建国, 姚明, TAN Cher Ming. 集成电路互连线电迁移建模综述 . 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 495-504. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.003
[13]	刘贵松, 晏华, 章毅. 基于ARP协议的局域网访问控制 . 电子科技大学学报, 2005, 34(2): 240-243.
[14]	李永红, 兰家隆, 黄顺康, 张允超. 一种用于集成电路的片上微调方法 . 电子科技大学学报, 2005, 34(1): 26-28.
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高速SOI-LIGBT的数值分析

1. 电子科技大学微电子所成都 610054

基金项目:

国家“九五”预研基金资助项目和国防基金资助项目

作者简介:
杨健男 26岁博士

收稿日期: 1999-05-10
刊出日期: 2000-04-15

中图分类号: TN432

关键词:

摘要: 研制出He离子注入局域寿命控制SOI横向绝缘栅双极晶体管(SOI-LIGBT),有效地提高了器件的关断速度,且与集成电路工艺相兼容。数值模拟表明,该器件的tf~VF折衷关系优于采用非局域寿命控制的器件,在相同关断速度下其正向压降可降低0.6~1.4 V,避免了阳极短路结构的正向快速返回现象。

English Abstract

杨健, 方健, 李肇基. 高速SOI-LIGBT的数值分析[J]. 电子科技大学学报, 2000, 29(2): 153-157.

引用本文:

杨健, 方健, 李肇基. 高速SOI-LIGBT的数值分析[J]. 电子科技大学学报, 2000, 29(2): 153-157.

Yang Jian, Fang Jian, Li Zhaoji. Numerical Analysis of High Speed SOI-LIGBT[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2000, 29(2): 153-157.

Citation:

Yang Jian, Fang Jian, Li Zhaoji. Numerical Analysis of High Speed SOI-LIGBT[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2000, 29(2): 153-157.

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