真空微电子三极管与四极管的模拟计算

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真空微电子三极管与四极管的模拟计算

杨存宇, 黄金源, 杨中海

文章导航 > 电子科技大学学报 > 1999 > 28(1): 62-65

杨存宇, 黄金源, 杨中海. 真空微电子三极管与四极管的模拟计算[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(1): 62-65.

引用本文:

杨存宇, 黄金源, 杨中海. 真空微电子三极管与四极管的模拟计算[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(1): 62-65.

Yang Cunyu, Huang Jingyuan, Yang Zhonghai. Simulation of Vacuum-microelectronics microtriodes and microtetrodes[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(1): 62-65.

Citation:

Yang Cunyu, Huang Jingyuan, Yang Zhonghai. Simulation of Vacuum-microelectronics microtriodes and microtetrodes[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(1): 62-65.

真空微电子三极管与四极管的模拟计算

1.
电子科技大学高能电子所成都 610054

基金项目:

电子部预研基金

作者简介:
杨存宇男 26岁博士生

中图分类号: O462.4

Simulation of Vacuum-microelectronics microtriodes and microtetrodes

1.
Inst. High Energy Electronics,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 对真空微电子三极管、四极管进行了计算机模拟。模拟结果显示了发射电流与场致增强因于依赖表面的尖端半径、尖端高度等几何因素,并对微四极管的特性进行了分析。最后将微电子三极管与实验结果进行了比较,得到若干实用的结论。
- 真空微电子 /
- 场致发射 /
- 计算机模拟 /
- 福勒-诺德海姆公式
Abstract: By meas of computer simulation, the characteristics of field emission microtriodes and microtetrodes are investigates in detail. The computed results show that the emitted current and the field enhancement depend upon geometrical factors, such as tip sharpness, tip height and so on. To compare the experiment, a lot of praticable results are obtained.
- vacuum-microelectronics /
- field emission /
- computer simulation /
- Fowler-Nordheim equation

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真空微电子三极管与四极管的模拟计算

1. 电子科技大学高能电子所成都 610054

基金项目:

电子部预研基金

作者简介:
杨存宇男 26岁博士生

收稿日期: 1998-03-19
修回日期: 1998-06-15
刊出日期: 1999-02-15

中图分类号: O462.4

关键词:

摘要: 对真空微电子三极管、四极管进行了计算机模拟。模拟结果显示了发射电流与场致增强因于依赖表面的尖端半径、尖端高度等几何因素,并对微四极管的特性进行了分析。最后将微电子三极管与实验结果进行了比较,得到若干实用的结论。

English Abstract

杨存宇, 黄金源, 杨中海. 真空微电子三极管与四极管的模拟计算[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(1): 62-65.

引用本文:

杨存宇, 黄金源, 杨中海. 真空微电子三极管与四极管的模拟计算[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(1): 62-65.

Yang Cunyu, Huang Jingyuan, Yang Zhonghai. Simulation of Vacuum-microelectronics microtriodes and microtetrodes[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(1): 62-65.

Citation:

Yang Cunyu, Huang Jingyuan, Yang Zhonghai. Simulation of Vacuum-microelectronics microtriodes and microtetrodes[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(1): 62-65.

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