RY-2W-15kΩ电阻器失效机理电子显微分析

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RY-2W-15kΩ电阻器失效机理电子显微分析

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阮世池. RY-2W-15kΩ电阻器失效机理电子显微分析[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(1): 103-107.

引用本文:

阮世池. RY-2W-15kΩ电阻器失效机理电子显微分析[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(1): 103-107.

Ruan Shichi. Analysis of Disfuction Principle of A Series of RY-2W-15k Resistor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(1): 103-107.

Citation:

Ruan Shichi. Analysis of Disfuction Principle of A Series of RY-2W-15k Resistor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(1): 103-107.

RY-2W-15kΩ电阻器失效机理电子显微分析

阮世池

1.
电子科技大学电子材料分析中心成都 610054

作者简介:
阮世池男 57岁大学副教授

中图分类号: TN16;TM544.5

Analysis of Disfuction Principle of A Series of RY-2W-15k Resistor

Ruan Shichi

1.
Analysis Center of Electronic Materials,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 利用电子显微分析法对失效电阻作了电子显微分析,查明了劣质的电阻器绝缘涂复层的防潮性能和防腐性能差。由于电阻器吸入了水汽和腐蚀性气体,引起电阻器的导电膜被电解腐蚀,最终导致电阻器失效。
- 电子显微分析 /
- 电阻器 /
- 绝缘涂复层 /
- 失效
Abstract: A series of RY-2W-15k resistor is analyzed with EPMA. It is proved that the poorer the quality of insulated coat is, the poorer function it has against wet and etch. As the resistor absorbs moisture or/and eching gas, the electroconductive film of resistor is etched for electrolysis, which results in resistor disfuction.
- electron probe microanalysis /
- resistor /
- insulated-coat /
- disfuction

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RY-2W-15kΩ电阻器失效机理电子显微分析

阮世池

1. 电子科技大学电子材料分析中心成都 610054

作者简介:
阮世池男 57岁大学副教授

收稿日期: 1998-04-07
修回日期: 1998-05-06
刊出日期: 1999-02-15

中图分类号: TN16;TM544.5

关键词:

摘要: 利用电子显微分析法对失效电阻作了电子显微分析,查明了劣质的电阻器绝缘涂复层的防潮性能和防腐性能差。由于电阻器吸入了水汽和腐蚀性气体,引起电阻器的导电膜被电解腐蚀,最终导致电阻器失效。

English Abstract

阮世池. RY-2W-15kΩ电阻器失效机理电子显微分析[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(1): 103-107.

引用本文:

阮世池. RY-2W-15kΩ电阻器失效机理电子显微分析[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(1): 103-107.

Ruan Shichi. Analysis of Disfuction Principle of A Series of RY-2W-15k Resistor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(1): 103-107.

Citation:

Ruan Shichi. Analysis of Disfuction Principle of A Series of RY-2W-15k Resistor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(1): 103-107.

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