InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生

文章导航 > 电子科技大学学报 > 1999 > 28(5): 498-501

胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生. InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 498-501.

引用本文:

胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生. InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 498-501.

Hu Ming, Liu Zhigang, Zhang Zhisheng, Wang Wensheng. Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 498-501.

Citation:

Hu Ming, Liu Zhigang, Zhang Zhisheng, Wang Wensheng. Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 498-501.

InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

1.
天津大学电子信息工程学院天津 300072

基金项目:

天津市科学基金

作者简介:
胡明女 48岁硕士副教授

中图分类号: TN382,TN305.8

Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element

1.
Electron lnformation Engineering Institute,Tianjing University Tianjin 300072

摘要: 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2/V.s,晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200~500Ω,乘积灵敏度达90~150V/A·T。
- InSb薄膜 /
- 真空蒸发 /
- 霍尔元件 /
- 电子迁移率 /
- 灵敏度
Abstract: InSb thin films are prepared by the vacuum evaporation method which has an evaporation source. The dependence of the election mobility on substrate temperature and thickness of the thin films are investigated. The electron mobility of 4×104 cm2/V·s at room temperature for InSb thin film is obtained.The input and output resistance for the InSb thin film Hall element fabricated are 200~500 Ω, and sensitivity is in the range of 90~150 V/A·T.
- InSb thin films /
- vacuum evaporation /
- Hall element electron mobility /
- sensitivity /

[1]	毛远宏, 贺占庄, 马钟. 重构迁移学习的红外目标分类 . 电子科技大学学报, 2020, 49(4): 609-614. doi: 10.12178/1001-0548.2019162
[2]	苏星松, 周飞, 许宗珂, 李圆圆, 段国韬. 紫外光驱动微纳结构薄膜的气敏特性研究 . 电子科技大学学报, 2017, 46(4): 625-629. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2017.04.024
[3]	彭倍, 周吴, 李伦, 于慧君, 彭鹏, 何晓平. 硼掺杂硅翘曲对微加速度计灵敏度的影响 . 电子科技大学学报, 2016, 45(4): 696-700. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.04.023
[4]	张林, 廖龙飞, 余娟, 朱黎丽, 朱柳, 颜伟, 赵霞. 考虑元件特性与物理约束的静态等值方法 . 电子科技大学学报, 2015, 44(5): 712-718. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.013
[5]	魏昭荣, 杨定宇, 朱兴华, 杨维清. 电子束蒸发法制备MoO₃薄膜及其性质研究 . 电子科技大学学报, 2011, 40(6): 933-936. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.024
[6]	杜丽, 肖宁聪, 黄洪钟, 何俐萍, 李海庆. 认知不确定性的谐波齿轮减速器可靠性分析研究 . 电子科技大学学报, 2011, 40(3): 470-475. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.03.028
[7]	江晓军, 刘正国, 洪晓鸥, 汪志锋. 获取平面光学元件面形偏差的方法研究 . 电子科技大学学报, 2010, 39(4): 581-584,622. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.04.023
[8]	孙永奎, 陈光礻禹, 李辉. 灵敏度分析和SVM诊断模拟电路故障的方法 . 电子科技大学学报, 2009, 38(6): 971-974. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.06.016
[9]	黄小毛, 张永刚, 王华, 唐海川. 蒸发波导环境下雷达超视距性能评估方法 . 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 36-39.
[10]	林彬. 载体催化元件恒温检测甲烷浓度的研究 . 电子科技大学学报, 2006, 35(4): 521-523.
[11]	杨啸林, 阮成礼, 葛世慧, 席力. Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究 . 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 964-966.
[12]	邹书蓉, 张家裕. 高分辨率彩管封口机电子枪激光自动对准系统 . 电子科技大学学报, 2000, 29(2): 167-169.
[13]	Rodionov A. N., Solntsev V. A., 李慎. 真空纳米微电子结构自发射阴极的电磁场研究 . 电子科技大学学报, 2000, 29(5): 531-534.
[14]	李尚俊, 刘永智. 高灵敏度、高分辨率分布式光纤应力传感器研究 . 电子科技大学学报, 2000, 29(4): 373-376.
[15]	杨存宇, 黄金源, 杨中海. 真空微电子三极管与四极管的模拟计算 . 电子科技大学学报, 1999, 28(1): 62-65.
[16]	阮世池. 声表面波器件薄膜电极脱落的电子探针分析 . 电子科技大学学报, 1998, 27(6): 605-608.
[17]	周鸿仁, 刘秀蓉, 徐蓓娜. 直流磁控溅射铂电阻薄膜 . 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 662-665.
[18]	陈金岭, 王保强, 杨秀丽. 多传感器系统的灵敏度、选择性与精度 . 电子科技大学学报, 1997, 26(3): 318-323.
[19]	李燕, 罗佳慧. 真空蒸发碲化物薄膜光电性能的研究 . 电子科技大学学报, 1997, 26(4): 394-397.
[20]	张蓉, 兰家隆. 符号网络分析算法及计算机实现 . 电子科技大学学报, 1997, 26(2): 126-131.

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 3465
HTML全文浏览量: 127
PDF下载量: 76
被引次数: 0

InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

1. 天津大学电子信息工程学院天津 300072

基金项目:

天津市科学基金

作者简介:
胡明女 48岁硕士副教授

收稿日期: 1998-12-14
刊出日期: 1999-10-15

中图分类号: TN382,TN305.8

关键词:

摘要: 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2/V.s,晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200~500Ω,乘积灵敏度达90~150V/A·T。

English Abstract

胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生. InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 498-501.

引用本文:

胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生. InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 498-501.

Hu Ming, Liu Zhigang, Zhang Zhisheng, Wang Wensheng. Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 498-501.

Citation:

Hu Ming, Liu Zhigang, Zhang Zhisheng, Wang Wensheng. Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 498-501.

全文HTML

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回

期刊在线

编辑办公

友情链接

电子科技大学

版权所有 © 《电子科技大学学报》编辑部

地址: 成都市建设北路二段四号电子科技大学主楼中350室电话: 028-83202308,83207559 Email: xuebao@uestc.edu.cn

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发