工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响

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工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响

贾宇明, 杨邦朝

文章导航 > 电子科技大学学报 > 1997 > 26(5): 492-495

贾宇明, 杨邦朝. 工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(5): 492-495.

引用本文:

贾宇明, 杨邦朝. 工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(5): 492-495.

Jia Yuming, Yang Bangchao. Effect of Technological Parameters on Performance of Ta/Al Alloy Resistive Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(5): 492-495.

Citation:

Jia Yuming, Yang Bangchao. Effect of Technological Parameters on Performance of Ta/Al Alloy Resistive Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(5): 492-495.

工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响

1.
电子科技大学信息材料工程学院成都 610054

作者简介:
贾宇明男 39岁硕士副教授

中图分类号: TB33.331

Effect of Technological Parameters on Performance of Ta/Al Alloy Resistive Films

1.
Inst. of Information Materials and Engineering,UEST of China Chengdu 610054

摘要: Al原子含量约为50%的Ta/Al合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜,靶极采用了Al面积为45%的Ta/Al复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。结果表明,这种Ta/Al合金薄膜能用于制作功率稳定的电阻器或电阻网络。
- Ta/Al合金薄膜 /
- 电阻性能 /
- 共溅射 /
- 工艺参数
Abstract: The Ta/Al alloy film containing Al 50% at.has an excellent resistive performance.The film is deposited by DC co-sputtering from tantalum cathode,45% of which is covered with area of aluminum discs.The influence of technological parameters such as sputtering pressure,sputtering voltage and heat-treatment conditions etc.on the properties of the film is explored.The results show that the Ta/Al alloy film can be used for stable power resistor or resistive network.
- Ta/Al alloy film /
- resistive performance /
- co-sputtering /
- technological parameters

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工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响

1. 电子科技大学信息材料工程学院成都 610054

作者简介:
贾宇明男 39岁硕士副教授

收稿日期: 1996-12-19
修回日期: 1997-03-11
刊出日期: 1997-10-15

中图分类号: TB33.331

关键词:

摘要: Al原子含量约为50%的Ta/Al合金薄膜具有优良的电阻性能。使用直流共溅射的方法制作这种薄膜,靶极采用了Al面积为45%的Ta/Al复合靶。研究了工艺参数如溅射气压、溅射电压以及热处理条件等因素对该薄膜的性能影响。结果表明,这种Ta/Al合金薄膜能用于制作功率稳定的电阻器或电阻网络。

English Abstract

贾宇明, 杨邦朝. 工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(5): 492-495.

引用本文:

贾宇明, 杨邦朝. 工艺参数对Ta/Al合金电阻薄膜性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(5): 492-495.

Jia Yuming, Yang Bangchao. Effect of Technological Parameters on Performance of Ta/Al Alloy Resistive Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(5): 492-495.

Citation:

Jia Yuming, Yang Bangchao. Effect of Technological Parameters on Performance of Ta/Al Alloy Resistive Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(5): 492-495.

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