直流磁控溅射铂电阻薄膜

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直流磁控溅射铂电阻薄膜

周鸿仁, 刘秀蓉, 徐蓓娜

文章导航 > 电子科技大学学报 > 1997 > 26(6): 662-665

周鸿仁, 刘秀蓉, 徐蓓娜. 直流磁控溅射铂电阻薄膜[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 662-665.

引用本文:

周鸿仁, 刘秀蓉, 徐蓓娜. 直流磁控溅射铂电阻薄膜[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 662-665.

Zhou Hongren, Liu Xiurong, Xu Peina. Resistance Film of Platinum by D.C.Magnetron Sputtering[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(6): 662-665.

Citation:

Zhou Hongren, Liu Xiurong, Xu Peina. Resistance Film of Platinum by D.C.Magnetron Sputtering[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(6): 662-665.

直流磁控溅射铂电阻薄膜

1.
电子科技大学信息材料工程学院成都 610054

基金项目:

国家"七五"重点科研项目

作者简介:
周鸿仁男 60岁高级工程师

中图分类号: TB43

Resistance Film of Platinum by D.C.Magnetron Sputtering

1.
Institute of Information Materials Eng.,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 根据薄膜理论和通过成膜工艺实验,研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。1)对铂靶材料的纯度要求高,含杂质极少;2)淀积薄膜要有一定厚度,通常近于1μm才能有较大的α;3)成膜以后,需经过高温热处理,减少缺陷,结晶化改善。通过大量实验,使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片,溅射铂薄膜的厚度为800nm,高温热处理1h,可以获得电阻温度系数为3.850×10-3/℃的铂电阻薄膜。
- 铂薄膜 /
- 热敏电阻 /
- 磁控溅射 /
- 热处理
Abstract: The main factors effecting on TCR of the platinum resistance film are studied in this paper on the basis of film theory and experiments,the high purity of material Pt,suitable thickness of depositing film,(normally is near 1/μm)and the crystallization degree after high temperature treatment.#br#The TCR of platinum resistance film,whose thickness is 800 nm,sputtered on high alumina ceramic or microcrystal glass substrate,is 3.850×10-3/℃ after high tempenature heat-treatment for 1 hour.
- Platinum thin film /
- themistor /
- magnetron sputtering /
- heat-treetment

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直流磁控溅射铂电阻薄膜

1. 电子科技大学信息材料工程学院成都 610054

基金项目:

国家"七五"重点科研项目

作者简介:
周鸿仁男 60岁高级工程师

收稿日期: 1997-03-15
修回日期: 1997-05-09
刊出日期: 1997-12-15

中图分类号: TB43

关键词:

摘要: 根据薄膜理论和通过成膜工艺实验,研究了影响铂薄膜电阻温度系数的主要因素。1)对铂靶材料的纯度要求高,含杂质极少;2)淀积薄膜要有一定厚度,通常近于1μm才能有较大的α;3)成膜以后,需经过高温热处理,减少缺陷,结晶化改善。通过大量实验,使用高铝陶瓷基片或微晶玻璃基片,溅射铂薄膜的厚度为800nm,高温热处理1h,可以获得电阻温度系数为3.850×10-3/℃的铂电阻薄膜。

English Abstract

周鸿仁, 刘秀蓉, 徐蓓娜. 直流磁控溅射铂电阻薄膜[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 662-665.

引用本文:

周鸿仁, 刘秀蓉, 徐蓓娜. 直流磁控溅射铂电阻薄膜[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 662-665.

Zhou Hongren, Liu Xiurong, Xu Peina. Resistance Film of Platinum by D.C.Magnetron Sputtering[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(6): 662-665.

Citation:

Zhou Hongren, Liu Xiurong, Xu Peina. Resistance Film of Platinum by D.C.Magnetron Sputtering[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(6): 662-665.

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