MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究

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MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究

陈勇, 于奇, 杨漠华

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陈勇, 于奇, 杨漠华. MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 666-669.

引用本文:

陈勇, 于奇, 杨漠华. MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 666-669.

Chen Yong, Yu Qi, Yang Muhua. Experimental Study of Hot-electron Degradation of MOS Device by Electron Radiation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(6): 666-669.

Citation:

Chen Yong, Yu Qi, Yang Muhua. Experimental Study of Hot-electron Degradation of MOS Device by Electron Radiation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(6): 666-669.

MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究

1.
电子科技大学微电子科学与工程系成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金,68576004

作者简介:
陈勇男 31岁硕士讲师

中图分类号: TN406

Experimental Study of Hot-electron Degradation of MOS Device by Electron Radiation

1.
Dept. of Microelectronic Science & Technology,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 在分析热电子效应与辐射效应在MOSFET产生界面态关系的基础上,给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对MOS器件热电子退化效应进行研究的方法和采用该方法对1μm工艺N沟MOSFET进行热电子退化效应的研究结果,并对热电子退化与偏置的关系进行了讨论,得到了确定热电子退化寿命的快速而简便的方法。
- OS场效应晶体管 /
- 热电子效应 /
- 辐射 /
- 界面态 /
- 器件物理
Abstract: Based on the analysis of the hot-electron effect and radiation effect on the interface state production of MOSFET,a method of using general linear electron accelerator to study the hot-electron degradation of MOSFET is given.The results of using this method upon the hot-electron degradation of 1 μm nMOSFET are reproted and the relation between the hot-electron degradation and the applied voltates is discussed.A method to determine the MOSFET lifetime of hot-electron degradation quickly and easily is obtained.
- MOS field effect transistor /
- hot-electron effect /
- radiation /
- interface state /
- physics of devices

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MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究

1. 电子科技大学微电子科学与工程系成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金,68576004

作者简介:
陈勇男 31岁硕士讲师

收稿日期: 1997-01-24
刊出日期: 1997-12-15

中图分类号: TN406

关键词:

摘要: 在分析热电子效应与辐射效应在MOSFET产生界面态关系的基础上,给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对MOS器件热电子退化效应进行研究的方法和采用该方法对1μm工艺N沟MOSFET进行热电子退化效应的研究结果,并对热电子退化与偏置的关系进行了讨论,得到了确定热电子退化寿命的快速而简便的方法。

English Abstract

陈勇, 于奇, 杨漠华. MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 666-669.

引用本文:

陈勇, 于奇, 杨漠华. MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 666-669.

Chen Yong, Yu Qi, Yang Muhua. Experimental Study of Hot-electron Degradation of MOS Device by Electron Radiation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(6): 666-669.

Citation:

Chen Yong, Yu Qi, Yang Muhua. Experimental Study of Hot-electron Degradation of MOS Device by Electron Radiation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(6): 666-669.

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