中子发生器中二次电子抑制的数值模拟

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中子发生器中二次电子抑制的数值模拟

金大志, 杨中海, 戴晶怡

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金大志, 杨中海, 戴晶怡. 中子发生器中二次电子抑制的数值模拟[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 83-86.

引用本文:

金大志, 杨中海, 戴晶怡. 中子发生器中二次电子抑制的数值模拟[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 83-86.

JIN Da-zhi, YANG Zhong-hai, DAI Jing-yi. Simulation for Suppressing of Secondary Electrons in Neutron Generator[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(1): 83-86.

Citation:

JIN Da-zhi, YANG Zhong-hai, DAI Jing-yi. Simulation for Suppressing of Secondary Electrons in Neutron Generator[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(1): 83-86.

中子发生器中二次电子抑制的数值模拟

1.
电子科技大学物理电子学院成都 610054;
2.
中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳 621900

作者简介:
金大志(1970-)，男，在职博士生，高级工程师，主要从事核技术及应用方面的研究.

中图分类号: TL501⁺.7

Simulation for Suppressing of Secondary Electrons in Neutron Generator

1.
School of Physical Electronics,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054;
2.
Institute of Electronic Engineering,China Academy of Engineering Physics Mianyang Sichuan 621900

摘要: 讨论了密封中子发生器中二次电子流的产生机制，介绍了几种不同的二次电子流的抑制方法。针对不同的抑制方法进行了粒子模拟实验，结果表明，在直接利用法拉第圆筒形状的加速电极抑制的情况下，只能抑制住部分二次电子，一部分电子还可以通过加速孔进入加速空间形成二次电子流，二次电子流约占靶面二次电子发射电流的1/5。在法拉第圆筒状加速电极的基础上加上电场抑制，能很好地抑制二次电子流的产生，当偏压为300V时，二次电子电流近似为零。
- 中子发生器 /
- 数值模拟 /
- 二次电子 /
- 抑制
Abstract: The producing mechanism of secondary electrons in sealed neutron generator is discussed and several methods to suppress secondary electrons are introduced. The PIC simulation is carried out for the different methods. The result indicates that only a part of secondary electrons can be suppressed by Faraday cylinder and a part of them can enter into the accelerating gap to form electron current. The secondary electron current is about 1/5 of emitting current of secondary electrons on target. But almost all secondary electrons can be suppressed by electrostatic field combined with Faraday cylinder and the secondary electron current is about zero when the deflection voltage is 300 V.
- neutron generator /
- PIC simulation /
- secondary electrons /
- suppressing

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中子发生器中二次电子抑制的数值模拟

1. 电子科技大学物理电子学院成都 610054;

2. 中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳 621900

作者简介:
金大志(1970-)，男，在职博士生，高级工程师，主要从事核技术及应用方面的研究.

收稿日期: 2007-09-30
修回日期: 2008-04-18
刊出日期: 2009-02-15

中图分类号: TL501⁺.7

关键词:

摘要: 讨论了密封中子发生器中二次电子流的产生机制，介绍了几种不同的二次电子流的抑制方法。针对不同的抑制方法进行了粒子模拟实验，结果表明，在直接利用法拉第圆筒形状的加速电极抑制的情况下，只能抑制住部分二次电子，一部分电子还可以通过加速孔进入加速空间形成二次电子流，二次电子流约占靶面二次电子发射电流的1/5。在法拉第圆筒状加速电极的基础上加上电场抑制，能很好地抑制二次电子流的产生，当偏压为300V时，二次电子电流近似为零。

English Abstract

金大志, 杨中海, 戴晶怡. 中子发生器中二次电子抑制的数值模拟[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 83-86.

引用本文:

金大志, 杨中海, 戴晶怡. 中子发生器中二次电子抑制的数值模拟[J]. 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 83-86.

JIN Da-zhi, YANG Zhong-hai, DAI Jing-yi. Simulation for Suppressing of Secondary Electrons in Neutron Generator[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(1): 83-86.

Citation:

JIN Da-zhi, YANG Zhong-hai, DAI Jing-yi. Simulation for Suppressing of Secondary Electrons in Neutron Generator[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2009, 38(1): 83-86.

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