掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响

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掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响

蒋洪川, 王超杰, 张万里, 向阳, 司旭, 彭斌, 李言荣

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蒋洪川, 王超杰, 张万里, 向阳, 司旭, 彭斌, 李言荣. 掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 440-442. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

引用本文:

蒋洪川, 王超杰, 张万里, 向阳, 司旭, 彭斌, 李言荣. 掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 440-442. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

JIANG Hong-chuan, WANG Chao-jie, ZHANG Wan-li, XIANG Yang, SI Xu, PENG Bin, LI Yan-rong. Influences of Aluminum Doping on the Micro-Structures and Electrical Properties of TaN Thin Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2010, 39(3): 440-442. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

Citation:

JIANG Hong-chuan, WANG Chao-jie, ZHANG Wan-li, XIANG Yang, SI Xu, PENG Bin, LI Yan-rong. Influences of Aluminum Doping on the Micro-Structures and Electrical Properties of TaN Thin Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2010, 39(3): 440-442. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

1.
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

基金项目:

电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KFJJ200804)

作者简介:
蒋洪川(1971-)，男，博士，副教授，主要从事电子薄膜与器件方面的研究.

中图分类号: TB43;TN6

Influences of Aluminum Doping on the Micro-Structures and Electrical Properties of TaN Thin Films

1.
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054

摘要: 采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜，通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量，研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜微结构及电性能的影响。XRD结果表明，TaN薄膜中掺杂Al可在2θ为38.5°和65.18°处分别有立方结构的AlN(101)和AlN(202)相出现。随Al/Ta面积比的增大，TaAlN薄膜的沉积速率、电阻率、方阻以及TCR绝对值逐渐增大。当Al/Ta面积比为零时，TaN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别为247.8μΩ⋅cm和12ppm/℃，当Al/Ta面积比增大到29%时，TaAlN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别增大到2560μΩ⋅cm和270ppm/℃。
- Al掺杂 /
- 磁控溅射 /
- TaN薄膜 /
- TCR
Abstract: TaAlN thin films were deposited on Al2O3 substrates by reactive DC magnetron sputtering. The content of Al doping in TaN thin films was controlled by adjusting Al/Ta area ratios of the composite target. The influences of Al/Ta area ratios on the micro-structures and the electrical properties of the samples were investigated in detail. The X-ray diffraction (XRD) results show that AlN (101) and AlN (202) phases precipitate out at 2θ of 38.5° and 65.18° in aluminum doping TaN films, respectively. With the increase of the Al/Ta area ratios, the deposition rate, resistivity and the absolute value of temperature coefficient of resistance (TCR) of the samples increase gradually. When the Al/Ta area ratio is zero, the resistivity and the absolute value of the TCR of the samples are 247.8 μΩ·cm and 12 ppm/℃, wit hr etshpee icnticvreelays.e Hoof wtheev eAr,l/Ta area ratio up to 29%, the resistivity and the absolute value of the TCR of the samples are increased to 2 560 μΩ·cm and 270 ppm/℃, respectively.
- Aluminum doping /
- magnetron sputtering /
- TaN thin films /
- TCR

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[4]	韩继光, 何成文, 郭永环, 张亮. SnAgCu-nano Al钎料Anand本构关系及焊点可靠性 . 电子科技大学学报, 2015, 44(3): 471-474. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.03.027
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[7]	李波, 安建欣, 徐利梅. 喷涂工艺薄膜厚度模型的构建与应用 . 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 461-465. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.031
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掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都 610054

基金项目:

电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KFJJ200804)

作者简介:
蒋洪川(1971-)，男，博士，副教授，主要从事电子薄膜与器件方面的研究.

收稿日期: 2009-07-07
修回日期: 2010-03-19
刊出日期: 2010-06-15

中图分类号: TB43;TN6

关键词:

Al掺杂 /
磁控溅射 /
TaN薄膜 /
TCR

摘要: 采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜，通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量，研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜微结构及电性能的影响。XRD结果表明，TaN薄膜中掺杂Al可在2θ为38.5°和65.18°处分别有立方结构的AlN(101)和AlN(202)相出现。随Al/Ta面积比的增大，TaAlN薄膜的沉积速率、电阻率、方阻以及TCR绝对值逐渐增大。当Al/Ta面积比为零时，TaN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别为247.8μΩ⋅cm和12ppm/℃，当Al/Ta面积比增大到29%时，TaAlN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别增大到2560μΩ⋅cm和270ppm/℃。

English Abstract

蒋洪川, 王超杰, 张万里, 向阳, 司旭, 彭斌, 李言荣. 掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 440-442. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

引用本文:

蒋洪川, 王超杰, 张万里, 向阳, 司旭, 彭斌, 李言荣. 掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响[J]. 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 440-442. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

JIANG Hong-chuan, WANG Chao-jie, ZHANG Wan-li, XIANG Yang, SI Xu, PENG Bin, LI Yan-rong. Influences of Aluminum Doping on the Micro-Structures and Electrical Properties of TaN Thin Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2010, 39(3): 440-442. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

Citation:

JIANG Hong-chuan, WANG Chao-jie, ZHANG Wan-li, XIANG Yang, SI Xu, PENG Bin, LI Yan-rong. Influences of Aluminum Doping on the Micro-Structures and Electrical Properties of TaN Thin Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2010, 39(3): 440-442. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

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