电子束蒸发法制备MoO<sub>3</sub>薄膜及其性质研究

魏昭荣; 杨定宇; 朱兴华; 杨维清

doi:10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.024

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电子束蒸发法制备MoO₃薄膜及其性质研究

魏昭荣, 杨定宇, 朱兴华, 杨维清

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魏昭荣, 杨定宇, 朱兴华, 杨维清. 电子束蒸发法制备MoO3薄膜及其性质研究[J]. 电子科技大学学报, 2011, 40(6): 933-936. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.024

引用本文:

魏昭荣, 杨定宇, 朱兴华, 杨维清. 电子束蒸发法制备MoO₃薄膜及其性质研究[J]. 电子科技大学学报, 2011, 40(6): 933-936. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.024

WEI Zhao-rong, YANG Ding-yu, ZHU Xing-hua, YANG Wei-qing. Properties of MoO3 Films Deposited by Electron Beam Evaporation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2011, 40(6): 933-936. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.024

Citation:

WEI Zhao-rong, YANG Ding-yu, ZHU Xing-hua, YANG Wei-qing. Properties of MoO₃ Films Deposited by Electron Beam Evaporation[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2011, 40(6): 933-936. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.024

电子束蒸发法制备MoO₃薄膜及其性质研究

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.024

1.
成都信息工程学院光电技术学院成都 610225

基金项目:

国家自然科学基金(50902012)

详细信息

作者简介:
魏昭荣(1966-),男,博士,副教授,主要从事光电功能材料和器件等方面的研究.

中图分类号: TB34

Properties of MoO₃ Films Deposited by Electron Beam Evaporation

1.
School of Optoelectronic Technology,Chengdu University of Information Technology Chengdu 610225

摘要: 采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备MoO3薄膜。X射线衍射谱表明制备样品属于正交晶系,沿晶向择优取向生长。随着衬底温度的升高,样品的晶粒尺寸先增大后减小,退火后又增大。此外,样品的(040)衍射峰随衬底温度升高单调向低衍射角方向移动。扫描电镜照片显示制备样品具有针状晶粒特征,退火后晶粒大小的分布趋于均匀。紫外–可见透过谱测试发现,随衬底温度的升高,一方面样品的光吸收边向长波方向移动,透过率降低;另一方面,样品的光学带隙由100 ℃时的2.93 eV降为300 ℃时的2.59 eV,经过500 ℃大气氛围下退火后,光学带隙减小至2.46 eV。
- 晶体结构 /
- 电子束蒸发 /
- MoO3薄膜 /
- 表面形貌 /
- 紫外–可见透过谱
Abstract: MoO3 films were deposited on glass substrates by electron beam evaporation method. X-ray diffraction patterns revealed that the prepared samples presented orthorhombic structure with preferred orientation of . As substrate temperature increased, the grain size increases firstly then decreases, but increases once more after annealing. Moreover, the diffraction peak of (040) plane shifts to lower angle monotonically with increased substrate temperature. Scanning electron microscope images show needle-like grains and their size becomes more uniform after annealing. With increased subsutrate temperature, the sample optical absorption edge in ultraviolet-visible spectra shift to longer wavelength and the transmittance also decreases. On the other hand, the optical gap reduces from 2.93 eV to 2.59 eV when substrate temperature increases from 100 ℃ to 300 ℃, and even reduces to 2.46 eV after air annealing under 500 ℃.
- crystal structure /
- electron beam evaporation /
- MoO3 film /
- surface morphology /
- ultravioletvisible spectrum

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[9]	张平, 张雅鑫, 周俊, 刘盛纲. 电子平行金属表面运动激励表面等离子体波研究 . 电子科技大学学报, 2013, 42(2): 234-238. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.02.011
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doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.024

1. 成都信息工程学院光电技术学院成都 610225

基金项目:

国家自然科学基金(50902012)

作者简介:
魏昭荣(1966-),男,博士,副教授,主要从事光电功能材料和器件等方面的研究.

收稿日期: 2010-03-16
修回日期: 2011-05-17
刊出日期: 2011-12-15

中图分类号: TB34

关键词:

摘要: 采用电子束蒸发法在玻璃衬底上制备MoO3薄膜。X射线衍射谱表明制备样品属于正交晶系,沿晶向择优取向生长。随着衬底温度的升高,样品的晶粒尺寸先增大后减小,退火后又增大。此外,样品的(040)衍射峰随衬底温度升高单调向低衍射角方向移动。扫描电镜照片显示制备样品具有针状晶粒特征,退火后晶粒大小的分布趋于均匀。紫外–可见透过谱测试发现,随衬底温度的升高,一方面样品的光吸收边向长波方向移动,透过率降低;另一方面,样品的光学带隙由100 ℃时的2.93 eV降为300 ℃时的2.59 eV,经过500 ℃大气氛围下退火后,光学带隙减小至2.46 eV。

English Abstract

魏昭荣, 杨定宇, 朱兴华, 杨维清. 电子束蒸发法制备MoO3薄膜及其性质研究[J]. 电子科技大学学报, 2011, 40(6): 933-936. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.024

引用本文:

魏昭荣, 杨定宇, 朱兴华, 杨维清. 电子束蒸发法制备MoO₃薄膜及其性质研究[J]. 电子科技大学学报, 2011, 40(6): 933-936. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.024

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魏昭荣(1966-),男,博士,副教授,主要从事光电功能材料和器件等方面的研究.

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作者简介:
魏昭荣(1966-),男,博士,副教授,主要从事光电功能材料和器件等方面的研究.

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