LTE/WiMAX片上变压器的分析与设计

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LTE/WiMAX片上变压器的分析与设计

张华斌, 蔡敏, 武海军, 李正平

文章导航 > 电子科技大学学报 > 2014 > 43(3): 363-368

张华斌, 蔡敏, 武海军, 李正平. LTE/WiMAX片上变压器的分析与设计[J]. 电子科技大学学报, 2014, 43(3): 363-368. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.008

引用本文:

张华斌, 蔡敏, 武海军, 李正平. LTE/WiMAX片上变压器的分析与设计[J]. 电子科技大学学报, 2014, 43(3): 363-368. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.008

ZHANG Hua-bin, CAI Min, WU Hai-jun, LI Zheng-ping. Analysis and Design of On-Chip Transformers for LTE/WiMAX[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2014, 43(3): 363-368. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.008

Citation:

ZHANG Hua-bin, CAI Min, WU Hai-jun, LI Zheng-ping. Analysis and Design of On-Chip Transformers for LTE/WiMAX[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2014, 43(3): 363-368. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.008

LTE/WiMAX片上变压器的分析与设计

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.008

1.
华南理工大学电子与信息学院广州 510640;
2.
电子科技大学中山学院广东中山 528402;
3.
广州润芯信息技术有限公司广州 510663

基金项目:

国家863计划(2009AA01Z260); 广东省科技计划项目(2010A090601001)

作者简介:
张华斌(1968-),男,博士生,主要从事射频电路设计和器件建模方面的研究.

中图分类号: TN4;TN6

Analysis and Design of On-Chip Transformers for LTE/WiMAX

1.
School of Electronic and Information Engineering,South China University of Technology Guangzhou 510640;
2.
Zhongshan Institute,University of Electronic Science and Technology of China Zhongshan Guangdong 528402;
3.
Guangzhou Runxin Information Technology Co.,Ltd Guangzhou 510663

摘要: 针对TSMC 0.13m RF CMOS射频和混合信号工艺器件库中无变压器器件，而变压器器件是设计射频通信电路的关键，该器件的有无直接影响射频通信前端电路性能的优劣. 通过对多种片上变压器的性能研究，设计出应用于LTE/WiMAX的八边形片上变压器，给出了与频率无关的集总元器件等效电路模型及模型参数提取公式，并对新器件进行了流片，测试结果表明在0.1~10GHz频率范围内L、Q参数具有良好的吻合性，且耦合系数K良好，达到设计目的. 该变压器的设计成功将有助于4G通信芯片的开发和应用.
- LTE/WiMAX /
- 集总参数模型 /
- 八边形 /
- 片上变压器 /
- 射频
Abstract: Transformer is a key device in radio frequency communication circuit, which can directly effect on the performance of the RF front-end circuit. However, there is not transformer in TSMC 0.13m RF CMOS mixed-signal process library. In order to solve this problem, an octagonal transformer which is applied in LTE/WiMAX is designed and fabricated by the analysis of all kinds of on-chip transformer performance, and the frequency-independent lumped-element equivalent circuit model and the parameter-extracted expressions are given. The measurement results show that L and Q have excellent agreement with the measured data from the frequency range of 0.1GHz to 10GHz, and coupling coefficient K is perfect. The successful design of the transformer will contribute to the development and application of 4G communication chips.
- LTE/WiMAX /
- lumped parameter model /
- octagonal /
- on-chip transformer /
- radio frequency

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[3]	黄睿, 李兴源, 朱晓楠, 廖建权, 王强钢, 周念成. EFT/B引起的变压器中性点过电压识别方法 . 电子科技大学学报, 2019, 48(5): 728-733. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2019.05.011
[4]	王俊, 赵宏志, 唐友喜. 同时同频全双工射频快速自适应干扰抵消算法 . 电子科技大学学报, 2017, 46(4): 505-512. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2017.04.005
[5]	刘田. 扰中通链路射频自干扰抑制性能分析 . 电子科技大学学报, 2016, 45(3): 350-354. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.02.006
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[9]	田毅贞, 张齐军. 知识型神经网络的射频/微波器件建模方法 . 电子科技大学学报, 2011, 40(6): 815-824. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.002
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LTE/WiMAX片上变压器的分析与设计

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.008

1. 华南理工大学电子与信息学院广州 510640;

2. 电子科技大学中山学院广东中山 528402;

3. 广州润芯信息技术有限公司广州 510663

基金项目:

国家863计划(2009AA01Z260); 广东省科技计划项目(2010A090601001)

作者简介:
张华斌(1968-),男,博士生,主要从事射频电路设计和器件建模方面的研究.

收稿日期: 2013-02-20
修回日期: 2013-09-06
刊出日期: 2014-06-15

中图分类号: TN4;TN6

关键词:

摘要: 针对TSMC 0.13m RF CMOS射频和混合信号工艺器件库中无变压器器件，而变压器器件是设计射频通信电路的关键，该器件的有无直接影响射频通信前端电路性能的优劣. 通过对多种片上变压器的性能研究，设计出应用于LTE/WiMAX的八边形片上变压器，给出了与频率无关的集总元器件等效电路模型及模型参数提取公式，并对新器件进行了流片，测试结果表明在0.1~10GHz频率范围内L、Q参数具有良好的吻合性，且耦合系数K良好，达到设计目的. 该变压器的设计成功将有助于4G通信芯片的开发和应用.

English Abstract

张华斌, 蔡敏, 武海军, 李正平. LTE/WiMAX片上变压器的分析与设计[J]. 电子科技大学学报, 2014, 43(3): 363-368. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.008

引用本文:

张华斌, 蔡敏, 武海军, 李正平. LTE/WiMAX片上变压器的分析与设计[J]. 电子科技大学学报, 2014, 43(3): 363-368. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.008

ZHANG Hua-bin, CAI Min, WU Hai-jun, LI Zheng-ping. Analysis and Design of On-Chip Transformers for LTE/WiMAX[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2014, 43(3): 363-368. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.008

Citation:

ZHANG Hua-bin, CAI Min, WU Hai-jun, LI Zheng-ping. Analysis and Design of On-Chip Transformers for LTE/WiMAX[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2014, 43(3): 363-368. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.03.008

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