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嵌入吸收式单刀八掷开关电路

王玲 唐小宏 肖飞 杨刘君

王玲, 唐小宏, 肖飞, 杨刘君. 嵌入吸收式单刀八掷开关电路[J]. 电子科技大学学报, 2015, 44(6): 830-834. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006
引用本文: 王玲, 唐小宏, 肖飞, 杨刘君. 嵌入吸收式单刀八掷开关电路[J]. 电子科技大学学报, 2015, 44(6): 830-834. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006
WANG Ling, TANG Xiao-hong, XIAO Fei, YANG Liu-jun. Embedding Absorptive Single-Pole-Eight-Throw Switch[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2015, 44(6): 830-834. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006
Citation: WANG Ling, TANG Xiao-hong, XIAO Fei, YANG Liu-jun. Embedding Absorptive Single-Pole-Eight-Throw Switch[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2015, 44(6): 830-834. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006

嵌入吸收式单刀八掷开关电路

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006
详细信息
  • 中图分类号: TN99;O44

Embedding Absorptive Single-Pole-Eight-Throw Switch

  • 摘要: 提出了一种嵌入吸收式单刀八掷开关电路结构。利用PIN二极管的通断特性,设计了1个在14~18 GHz频率范围内的吸收式单刀八掷(SP8T)开关电路,导通损耗小于3.9 dB,输出端回波损耗大于10 dB;隔离度大于60 dB,输入、输出端回波损耗大于12 dB。该电路将吸收电阻嵌入在基片下接地板内,相比传统结构的吸收式开关电路,具有在导通状态下损耗略小;在关断状态下输出端反射信号较小。该嵌入吸收式结构也可应用于吸收式的衰减电路及限幅电路中。
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出版历程
  • 刊出日期:  2015-12-15

嵌入吸收式单刀八掷开关电路

doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006
  • 中图分类号: TN99;O44

摘要: 提出了一种嵌入吸收式单刀八掷开关电路结构。利用PIN二极管的通断特性,设计了1个在14~18 GHz频率范围内的吸收式单刀八掷(SP8T)开关电路,导通损耗小于3.9 dB,输出端回波损耗大于10 dB;隔离度大于60 dB,输入、输出端回波损耗大于12 dB。该电路将吸收电阻嵌入在基片下接地板内,相比传统结构的吸收式开关电路,具有在导通状态下损耗略小;在关断状态下输出端反射信号较小。该嵌入吸收式结构也可应用于吸收式的衰减电路及限幅电路中。

English Abstract

王玲, 唐小宏, 肖飞, 杨刘君. 嵌入吸收式单刀八掷开关电路[J]. 电子科技大学学报, 2015, 44(6): 830-834. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006
引用本文: 王玲, 唐小宏, 肖飞, 杨刘君. 嵌入吸收式单刀八掷开关电路[J]. 电子科技大学学报, 2015, 44(6): 830-834. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006
WANG Ling, TANG Xiao-hong, XIAO Fei, YANG Liu-jun. Embedding Absorptive Single-Pole-Eight-Throw Switch[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2015, 44(6): 830-834. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006
Citation: WANG Ling, TANG Xiao-hong, XIAO Fei, YANG Liu-jun. Embedding Absorptive Single-Pole-Eight-Throw Switch[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2015, 44(6): 830-834. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006
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