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低速至中速采样率、高分辨率(14位以上)模数转换器(Analog-to-Digital Converter, ADC)在电力测量与保护、电机控制、自动测试设备、多路数据采集系统等场景中有广泛应用。逐次逼近寄存器型(Successive Approximation Register, SAR)ADC转换延迟小、功耗低,非常适合上述应用。然而,采样保持电路、数模转换器(Digital-to-Analog Converter, DAC)和比较器等关键电路的性能是制约SAR ADC获得高动态范围、高线性度以及低功耗的瓶颈,相关的电路设计得到持续关注和广泛研究[1-6]。
文献[1]设计了一种混合结构的电容型数模转换器(Capacitor Digital-to-Analog converter, CDAC),通过灵活编程方式补偿增益误差以及电容失配误差。文献[2]针对电容失配影响ADC线性度的问题提出了二进制窗口DAC切换以及电容随机交换方案,在无需校准时获得100 dB的SFDR,但该方法需要增加额外的译码电路和复杂的DAC控制逻辑。针对CDAC切换能耗的问题,文献[3]采用了混合电容切换方法设计了一款10位SAR ADC,文献[4]基于GND采样的单调电容切换方法设计了一款12位ADC,有效降低了功耗。针对比较器噪声,文献[5]采用基于压控振荡器的比较器自适应地根据输入电压大小调整积分时间,在功耗和噪声性能之间进行折中。文献[6]在逐次逼近过程的前若干周期使用低功耗但噪声大的比较器,剩余若干周期使用高功耗但噪声小的比较器,并增加一位冗余电容消除大噪声比较器进行转换引入的误差,减少了由比较器产生的总功耗。
本文设计了一款16位SAR ADC,针对线性度、功耗以及噪声方面的设计挑战,提出了改进的采样保持电路结构,优化采样线性度和噪声性能。采用分段电容阵列及分段式基准源驱动方案改善CDAC输出稳定速度,并采用混合电容切换方案降低能耗。比较器采用了两级预放大加锁存器的结构以及输出失调存储,显著降低了噪声和失调电压。ADC采用异步时序控制,在0.18 μm工艺上进行了流片验证,测试结果表明,采用上述改进的技术有效提升了ADC的线性度,并获得了良好的功耗和噪声性能。
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本文设计的ADC在CMOS 0.18 μm工艺上进行了流片验证,图10为测试芯片中ADC核心的照片,面积为1.15 mm2,芯片由外部5 V电源和片上1.8 V LDO供电。测试芯片包含8个ADC通道,各通道均以200 kS/s采样率工作,ADC内核对8个通道信号依次进行转换,完成一次转换需要500 ns,因此内部ADC实际转换速率可达625 kS/s。
图11为27℃下ADC各部分功耗占比,ADC转换期间总消耗功率为4.31 mW,其中比较器占比最大,主要是因为第一级预放大器需要消耗较多的电流以满足噪声和失调需求。逻辑部分需要完成数据锁存、计算和非线性校准,功耗占比次之。得益于本设计优化的CDAC架构,其开关切换所需的能量占比较小。
ADC动态性能测试通过外部信号源产生正弦波,经过片上驱动器输入ADC采样电路,转换后的数据在片外通过MATLAB程序进行快速傅里叶变换(FFT)分析计算。直流线性度测试通过输入正弦波,采集足够的转换数据点,利用码密度法计算微分非线性(DNL)和积分非线性(INL)。图12a为输入信号频率为1 kHz时,采集30 000个输出数据点得到的FFT频谱,信纳比(SINAD)为85.9 dB,有效位数(ENOB)为14位,SFDR为110.6 dB。图12b和图12c分别为输入信号频率为30 Hz时,采样2 160万个数据点分析得到的DNL和INL随转换码的分布,得到的DNL最大值为−0.27/+0.32 LSB,INL最大值为−0.58/+0.53 LSB。
图13为ADC动态性能在−55 ℃~105 ℃范围内的测试结果,可以看到,SINAD在全温区内变化不大于0.3 dB,SFDR在全温区内变化不超过5.2 dB,线性度和噪声性能具有良好的温度稳定性。
表1为本文的ADC与近几年发表的文献中SAR ADC性能的比较,可以看到,本设计的ADC具有较大的输入范围,最大的无杂散动态范围和优良的直流线性度。同时也看到,在转换速率和噪声性能方面,本设计还有一定的提升空间。
参数 架构 工艺/μm 电源/V 分辨率/bit 采样率/(kS·s−1) 输入范围/Vpp SINAD/dB SFDR/dB DNL/LSB INL/LSB 面积/mm2 功耗/mW FOMs/dB* 本文 SAR 0.18 5/1.8 16 625 8.8 85.9 110 −0.27/+0.32 −0.58/+0.53 1.15 4.31 164.5 文献[2] BW-SAR 0.18 3.3/1.8 16 1000 1.8 83 100 −0.65/+0.45 −2.2/+2.1 0.53 1.05 169.8 文献[4] SAR 0.18 1.8 12 250 / 65.0 77.8 / / 0.36 0.0257 161.9 文献[11] SAR 0.5 5 16 200 20** 88.19 103.33 −0.52/+0.57 −0.67/+0.69 5.95 20 155.2 文献[12] SAR 0.6 12 V/5 V 16 250 10 80 / 3.2 7.3 1.8 6.36 152.9 *FOMs=SINAD+10log(Fs/2/Power)
**经过内部电阻网络衰减前的输入信号幅度
A 16-Bit Low Power SAR ADC with 110 dB Spurious Free Dynamic Range
doi: 10.12178/1001-0548.2023272
- Received Date: 2023-10-31
- Rev Recd Date: 2023-11-28
- Available Online: 2024-04-01
- Publish Date: 2024-03-30
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Key words:
- analog-to-digital converter (ADC) /
- digital-to-analog converter (DAC) /
- low noise comparator /
- offset calibration /
- sample and hold /
- successive approximation register (SAR)
Abstract: A 16-bit 625 kS/s Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converter (SAR ADC) is presented. An improved sampling and hold circuit is proposed to optimize sampling linearity and noise performance. Segmented Capacitor Digital-to-Analog Converter (CDAC) is designed and hybrid capacitor switching method is adopted to reduce layout area and switching energy. Dither injection technique is used to improve ADC’s linearity. Two-stage integrating preamplifier is adopted to reduce comparator’s noise. Output offset storage and optimized circuit design techniques reduce comparator’s offset and noise induced by offset calibration. Comparator speed is also improved by circuit design. The prototype is fabricated using CMOS 0.18 μm process and occupies an active area of 1.15 mm2. With 1 kHz sinusoid input, the measured differential input peak-to-peak amplitude is 8.8 V. Signal to Noise and Distortion (SINAD) and Spurious Free Dynamic Range (SFDR) are 85.9 dB and 110 dB respectively. Differential Nonlinearity (DNL) and Integral Nonlinearity (INL) are −0.27/+0.32 LSB and −0.58/+0.53 LSB respectively with a power consumption of 4.31 mW.
Citation: | XING Xianglong, WANG Qian, KANG Cheng, PENG Jiangling, LI Qing, YU Jun. A 16-Bit Low Power SAR ADC with 110 dB Spurious Free Dynamic Range[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2024, 53(2): 185-193. doi: 10.12178/1001-0548.2023272 |