摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法，研究了Al掺杂对于MgO保护层电子结构的影响。采用Hagstrum’s 理论计算了在不同放电气体环境下，不同Al掺杂比例的Mg1-xAlxO的能带结构和态密度分布，分别获得了基于俄歇中和和俄歇退激理论的二次电子发射系数。结果表明，Al掺杂MgO能有效提高二次电子发射系数，且在氦气环境下二次电子发射系数的提高尤为显著。当Al掺杂比例为0.375时，在氦气环境下基于俄歇中和和俄歇退激理论的二次电子发射系数最大，分别为0.419 1和0.431 6(纯MgO为0.354 3、0.406 0)。