苝四酸二酰亚胺的光电导性能研究

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苝四酸二酰亚胺的光电导性能研究

彭康, 夏都灵, 黄子强

文章导航 > 电子科技大学学报 > 2006 > 35(2): 249-252

彭康, 夏都灵, 黄子强. 苝四酸二酰亚胺的光电导性能研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 249-252.

引用本文:

彭康, 夏都灵, 黄子强. 苝四酸二酰亚胺的光电导性能研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 249-252.

PENG Kang, XIA Du-ling, HUANG Zi-qiang. Study on Photoconductivity of N,N'-Dimethyl-3,4,9,10-Perylenetetracarboxylic Diimide[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(2): 249-252.

Citation:

PENG Kang, XIA Du-ling, HUANG Zi-qiang. Study on Photoconductivity of N,N'-Dimethyl-3,4,9,10-Perylenetetracarboxylic Diimide[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(2): 249-252.

苝四酸二酰亚胺的光电导性能研究

1.
电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054;
2.
电子科技大学光电信息学院成都 610054

作者简介:
彭康(1972-),男,硕士生,主要从事有机光电材料方面的研究.

中图分类号: O472.8

Study on Photoconductivity of N,N'-Dimethyl-3,4,9,10-Perylenetetracarboxylic Diimide

1.
School of Microelectronics and Solid-State Electronics,UEST of China Chengdu 610054;
2.
School of Opto-Electronic Information,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 采用光电灵敏度计算电荷放大增益的计算方法,研究了四酸二亚酰胺的光电导性能。结果表明苝四酸二亚酰胺具有很高的电荷放大增益,在正偏压17 V时,增益高达103倍。分析实验所测的光电流与电压的关系,发现此关系能很好地符合场效应发射公式,这表明苝四酸二亚酰胺的电荷放大增益主要是由隧道击穿效应所引起的。
- 苝四酸二酰亚胺 /
- 光伏安特性 /
- 光电灵敏度 /
- 电荷放大增益
Abstract: In order to measuring photocurrent-voltage characteristics, sandwich-type cells were fabricated by the vacuum evaporation technique. The cells were investigated recording in situ current-voltage(I-V) characteristics and photoelectric sensitivity. The obtained charge intensification effect of DiMe-PTCDI under a bias voltage of 17 V is 103 times. Furthermore, the photocurrent-voltage characteristics obey fowler-nordheim equation, which indicates charge intensification effect by tunneling injection process.
- N,N'-dimethylperlene-3,4,9,10-dicarboximide /
- photocurrent-voltag echaracteristics /
- photoelectricsensitivity /
- charge intensification effect

[1]	罗海燕, 李世彬, 王文武. 微结构硅基光电二极管的近红外响应特性研究 . 电子科技大学学报, 2023, 52(6): 830-834. doi: 10.12178/1001-0548.2022227
[2]	周郁明, 穆世路, 蒋保国, 王兵, 陈兆权. SiC/SiO₂界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究 . 电子科技大学学报, 2019, 48(6): 947-953. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2019.06.021
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苝四酸二酰亚胺的光电导性能研究

1. 电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054;

2. 电子科技大学光电信息学院成都 610054

作者简介:
彭康(1972-),男,硕士生,主要从事有机光电材料方面的研究.

收稿日期: 2004-09-28
刊出日期: 2006-04-15

中图分类号: O472.8

关键词:

摘要: 采用光电灵敏度计算电荷放大增益的计算方法,研究了四酸二亚酰胺的光电导性能。结果表明苝四酸二亚酰胺具有很高的电荷放大增益,在正偏压17 V时,增益高达103倍。分析实验所测的光电流与电压的关系,发现此关系能很好地符合场效应发射公式,这表明苝四酸二亚酰胺的电荷放大增益主要是由隧道击穿效应所引起的。

English Abstract

彭康, 夏都灵, 黄子强. 苝四酸二酰亚胺的光电导性能研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 249-252.

引用本文:

彭康, 夏都灵, 黄子强. 苝四酸二酰亚胺的光电导性能研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 249-252.

PENG Kang, XIA Du-ling, HUANG Zi-qiang. Study on Photoconductivity of N,N'-Dimethyl-3,4,9,10-Perylenetetracarboxylic Diimide[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(2): 249-252.

Citation:

PENG Kang, XIA Du-ling, HUANG Zi-qiang. Study on Photoconductivity of N,N'-Dimethyl-3,4,9,10-Perylenetetracarboxylic Diimide[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(2): 249-252.

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