不同掺Al<sup>3+</sup>浓度的ZnO:Al薄膜性能研究

葛启函; 邓宏; 陈航; 徐自强

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不同掺Al³⁺浓度的ZnO:Al薄膜性能研究

葛启函, 邓宏, 陈航, 徐自强

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葛启函, 邓宏, 陈航, 徐自强. 不同掺Al3+浓度的ZnO:Al薄膜性能研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 253-256.

引用本文:

葛启函, 邓宏, 陈航, 徐自强. 不同掺Al³⁺浓度的ZnO:Al薄膜性能研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 253-256.

GE Qi-han, DENG Hong, CHEN Hang, XU Zi-qiang. Property Research of ZnO:Al Thin Films with Different Proportion of Al3+ Doping[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(2): 253-256.

Citation:

GE Qi-han, DENG Hong, CHEN Hang, XU Zi-qiang. Property Research of ZnO:Al Thin Films with Different Proportion of Al³⁺ Doping[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(2): 253-256.

不同掺Al³⁺浓度的ZnO:Al薄膜性能研究

1.
电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054

详细信息

作者简介:
葛启函(1972-),男,硕士生,工程师,主要从事材料物理化学方面的研究;邓宏(1963-),男,硕士,教授,博士生导师,主要从事材料物理化学、宽禁带半导体材料相关性能方面的研究.

葛启函(1972-),男,硕士生,工程师,主要从事材料物理化学方面的研究;邓宏(1963-),男,硕士,教授,博士生导师,主要从事材料物理化学、宽禁带半导体材料相关性能方面的研究.

中图分类号: TB43

Property Research of ZnO:Al Thin Films with Different Proportion of Al³⁺ Doping

1.
School of Microelectronics and Solid-State Electronics,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 采用溶胶-凝胶法制备ZnO:Al (ZAO)薄膜,得到了不同掺Al3+浓度的ZAO薄膜;利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器与方法对其性能进行了测试。通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3+掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340 nm。
- ZnO:Al薄膜 /
- Al3+掺杂 /
- 溶胶凝胶法 /
- 表面结构 /
- 光电性能
Abstract: ZnO:Al (ZAO) thin films with different proportion of Al3+ doping are prepared by sol-gel method. XRD, AFM, ultraviolet-visible spectroscope meter and the method of four-explorwtion-needle are adopted to test the property of ZAO thin films. Through analysis and comparison, hereinafter phenomena can be obtained:ZAO thin films prepared by sol-gel method has polycrystalline hexagonal wurtzite structure, the surface of the ZAO thin films is flat, the crystal is very thickness and symmetry. The conductivity can be improved by Al3+ doping. The transmittance in ultraviolet-visible region is higher than 80% with hypo-Al3+ doping, accompanying the phenomena of Burstein moving. The transmittance increases indistinctively, but the phenomena of burstein moving is aggravating, the most amount of Burstein moving measure up to 340 nm.
- ZnO:Al thin films /
- Al3+ doping /
- sol-gel /
- conductivity /
- transmittance

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[3]	杜辉, 李洋, 梁伟正, 高敏, 张胤, 林媛. 化学计量比对BaTiO₃/Ni集成结构性能的影响 . 电子科技大学学报, 2015, 44(5): 784-788. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.024
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不同掺Al³⁺浓度的ZnO:Al薄膜性能研究

1. 电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054

作者简介:
葛启函(1972-),男,硕士生,工程师,主要从事材料物理化学方面的研究;邓宏(1963-),男,硕士,教授,博士生导师,主要从事材料物理化学、宽禁带半导体材料相关性能方面的研究.

葛启函(1972-),男,硕士生,工程师,主要从事材料物理化学方面的研究;邓宏(1963-),男,硕士,教授,博士生导师,主要从事材料物理化学、宽禁带半导体材料相关性能方面的研究.

收稿日期: 2005-12-06
刊出日期: 2006-04-15

中图分类号: TB43

关键词:

摘要: 采用溶胶-凝胶法制备ZnO:Al (ZAO)薄膜,得到了不同掺Al3+浓度的ZAO薄膜;利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器与方法对其性能进行了测试。通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3+掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340 nm。

English Abstract

葛启函, 邓宏, 陈航, 徐自强. 不同掺Al3+浓度的ZnO:Al薄膜性能研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 253-256.

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葛启函, 邓宏, 陈航, 徐自强. 不同掺Al³⁺浓度的ZnO:Al薄膜性能研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 253-256.

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