高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

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高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

吴志明, 黄颖, 吕坚, 王靓, 李素

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吴志明, 黄颖, 吕坚, 王靓, 李素. 高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 453-456.

引用本文:

吴志明, 黄颖, 吕坚, 王靓, 李素. 高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 453-456.

WU Zhi-ming, HUANG Ying, Lü Jian, WANG Liang, LI Su. High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 453-456.

Citation:

WU Zhi-ming, HUANG Ying, Lü Jian, WANG Liang, LI Su. High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 453-456.

高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

1.
电子科技大学光电信息学院成都 610054

基金项目:

国家杰出青年基金(60425101)

作者简介:
吴志明(1964-),男,博士,教授,主要从事非制冷红外焦平面读出电路方面的研究.

中图分类号: TN432

High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference

1.
School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science and Technology of China Chengdu 610054

摘要: 介绍了一种采用0.5 μm CMOS N阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116 dB,在-40℃~85℃温度范围内温度系数为46 ppm/℃,功耗仅为1.45 mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。
- 带隙基准电压源 /
- 互补型金属氧化物半导体 /
- 电源抑制比 /
- 温度系数
Abstract: A bandgap voltage reference circuit using 0.5 μm complementary metal oxide semiconductor transistor (CMOS) N-well process is presented in the paper. The circuit has high power supply rejection ratio (PSRR) and low-temperature coefficient. The bias voltages of core circuit is independent to the power supply voltage, and the whole bandgap circuit has high PSRR through adding the power supply to the operational amplifier of which the output voltage is supplied for the core circuit. The simulation results for this circuit using SPECTRE show that the PSRR is 116 dB, the temperature coefficient from -40℃ to 85℃ temperature range is 46 ppm/℃ and the power consumption is only 1.45 mW. The bandgap discussed in this paper can be widely used in ADC, DAC, reference circuit and so on.
- bandgap voltage reference /
- complementary metal oxide semiconductor transistor /
- power supply rejection ratio /
- temperature coefficient

[1]	陶勇. 量子涨落与过掺杂铜氧化物超导薄膜中的反常两段标度 . 电子科技大学学报, 2022, 51(2): 314-320. doi: 10.12178/1001-0548.2021088
[2]	刘宿城, 吴亚伟, 李中鹏, 刘晓东, 方炜. 带母线电压多级补偿的直流微网下垂控制策略 . 电子科技大学学报, 2020, 49(2): 248-254. doi: 10.12178/1001-0548.2018249
[3]	贾美美, 张国山. 电压控制型Buck变换器的混沌控制 . 电子科技大学学报, 2016, 45(2): 208-214.
[4]	钟志亲, 孙子茭, 葛微微, 郑禄达, 王姝娅, 戴丽萍, 张国俊. Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究 . 电子科技大学学报, 2014, 43(2): 292-295. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.02.026
[5]	姚毅, 胡剑浩, 马上. 基于余数系统的OFDM无损峰均比抑制方法 . 电子科技大学学报, 2013, 42(5): 667-671,733. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.05.005
[6]	王巍, 邹龙庆, 徐华, 李搏, 贾培发, 李垒. 基于SEMI标准的半导体工艺设备功能仿真系统设计 . 电子科技大学学报, 2012, 41(4): 599-604. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.04.024
[7]	初秀琴, 丁睿, 来新泉, 叶强, 何惠森. 高精度电流求和型分段曲率补偿的基准电流源 . 电子科技大学学报, 2012, 41(4): 616-620. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.04.027
[8]	徐顺刚, 许建平, 曹太强. SPWM逆变电源输出谐波分析及抑制方法研究 . 电子科技大学学报, 2010, 39(5): 701-705. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.05.012
[9]	林媛, 杨丹丹, 代超, 刘升华, LUO H M, JIA Q X. 高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜 . 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 524-530. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.005
[10]	张波, 邓小川, 陈万军, 李肇基. 宽禁带功率半导体器件技术 . 电子科技大学学报, 2009, 38(5): 618-623. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.05.018
[11]	吴志明, 杨鹏, 吕坚, 蒋亚东. 非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计 . 电子科技大学学报, 2009, 38(1): 137-140.
[12]	应智花, 蒋亚东, 杜晓松, 谢光忠. 温度对聚合物QCM传感器性能的影响研究 . 电子科技大学学报, 2008, 37(6): 934-937.
[13]	陈华友. 基于Theil不等系数的组合预测模型的性质 . 电子科技大学学报, 2004, 33(1): 105-108.
[14]	滕旭东, 袁晓, 赵元英, 魏永豪. 数字分数微分器系数的快速算法 . 电子科技大学学报, 2004, 33(4): 457-460.
[15]	陈颖, 杨华军, 邱琪, 安晓强. 半导体激光器的衍射准直透镜的优化设计 . 电子科技大学学报, 2003, 32(2): 129-132.
[16]	陈文宇. 面向对象的关系数据库设计 . 电子科技大学学报, 2002, 31(1): 53-56,75.
[17]	谢华. 电力系统电压骤降特性的抑制研究 . 电子科技大学学报, 2001, 30(4): 383-386.
[18]	黎海涛, 杨亚培, 邓兴成. 窄线宽半导体激光器谱宽测试技术研究 . 电子科技大学学报, 1998, 27(5): 494-501.
[19]	李贤, 周宇, 曾广荣. 半导体激光器的光学准直 . 电子科技大学学报, 1998, 27(5): 491-493.
[20]	刘华, 胡渝, 刘盛纲. 半导体激光器光束修正实验研究 . 电子科技大学学报, 1998, 27(1): 73-77.

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高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源

1. 电子科技大学光电信息学院成都 610054

基金项目:

国家杰出青年基金(60425101)

作者简介:
吴志明(1964-),男,博士,教授,主要从事非制冷红外焦平面读出电路方面的研究.

收稿日期: 2006-09-11
修回日期: 2007-03-18
刊出日期: 2008-06-15

中图分类号: TN432

关键词:

摘要: 介绍了一种采用0.5 μm CMOS N阱工艺制作的带隙基准电压源电路,该电路具有高电源抑制比和较低的温度系数。通过将电源电压加到运算放大器上,运算放大器的输出电压为整个核心电路提供偏置电压,整个核心电路的偏置电压独立于电源电压,使得整个带隙基准电路具有非常高的电源抑制比。基于SPECTRE的仿真结果表明,其电源抑制比可达116 dB,在-40℃~85℃温度范围内温度系数为46 ppm/℃,功耗仅为1.45 mW,可以广泛应用于模/数转换器、数/模转换器、偏置电路等集成电路模块中。

English Abstract

吴志明, 黄颖, 吕坚, 王靓, 李素. 高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 453-456.

引用本文:

吴志明, 黄颖, 吕坚, 王靓, 李素. 高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源[J]. 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 453-456.

WU Zhi-ming, HUANG Ying, Lü Jian, WANG Liang, LI Su. High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 453-456.

Citation:

WU Zhi-ming, HUANG Ying, Lü Jian, WANG Liang, LI Su. High PSRR COMS Bandgap Voltage Reference[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2008, 37(3): 453-456.

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