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基于ZnO/金刚石/Si结构的瑞利波频散特性计算

董加和 杨成韬 郑泽渔 李健雄 张树人

董加和, 杨成韬, 郑泽渔, 李健雄, 张树人. 基于ZnO/金刚石/Si结构的瑞利波频散特性计算[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 952-954,968.
引用本文: 董加和, 杨成韬, 郑泽渔, 李健雄, 张树人. 基于ZnO/金刚石/Si结构的瑞利波频散特性计算[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 952-954,968.
DONG Jia-he, YANG Cheng-tao, ZHENG Ze-yu, LI Jian-xiong, ZHANG Shu-ren. Calculation of the Dispersion Properties of Rayleigh Wave on ZnO/Diamond/Si-Layered Structure[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(5): 952-954,968.
Citation: DONG Jia-he, YANG Cheng-tao, ZHENG Ze-yu, LI Jian-xiong, ZHANG Shu-ren. Calculation of the Dispersion Properties of Rayleigh Wave on ZnO/Diamond/Si-Layered Structure[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(5): 952-954,968.

基于ZnO/金刚石/Si结构的瑞利波频散特性计算

基金项目: 

国防科研基金资助项目

详细信息
    作者简介:

    董加和(1978-),男,硕士,主要从事ZnO/金刚石/Si结构的频散特性计算及其SAWF方面的研究.

  • 中图分类号: O423;O347.4

Calculation of the Dispersion Properties of Rayleigh Wave on ZnO/Diamond/Si-Layered Structure

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出版历程
  • 收稿日期:  2005-10-13
  • 刊出日期:  2007-10-15

基于ZnO/金刚石/Si结构的瑞利波频散特性计算

    基金项目:

    国防科研基金资助项目

    作者简介:

    董加和(1978-),男,硕士,主要从事ZnO/金刚石/Si结构的频散特性计算及其SAWF方面的研究.

  • 中图分类号: O423;O347.4

摘要: 结合声表面波的基本理论和递归刚度矩阵法,通过将瑞利波从声表面波中分离,推导出基于ZNO/金刚石/Si结构的有效介电常数数学模型。根据所建立的数学模型,采用Matlab编制出相应程序,计算得到瑞利波的相速度和机电耦合系数频散曲线。该频散曲线具有较高的精确性,能很好地反映出瑞利波的频散特性。本文从解基本的波动方程理论出发,得到了三层结构的有效介电常数数学模型,并且将其程序化,最终得到了声表面波器件设计中的两个重要参数,为多层薄膜器件的设计奠定了一定的基础。

English Abstract

董加和, 杨成韬, 郑泽渔, 李健雄, 张树人. 基于ZnO/金刚石/Si结构的瑞利波频散特性计算[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 952-954,968.
引用本文: 董加和, 杨成韬, 郑泽渔, 李健雄, 张树人. 基于ZnO/金刚石/Si结构的瑞利波频散特性计算[J]. 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 952-954,968.
DONG Jia-he, YANG Cheng-tao, ZHENG Ze-yu, LI Jian-xiong, ZHANG Shu-ren. Calculation of the Dispersion Properties of Rayleigh Wave on ZnO/Diamond/Si-Layered Structure[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(5): 952-954,968.
Citation: DONG Jia-he, YANG Cheng-tao, ZHENG Ze-yu, LI Jian-xiong, ZHANG Shu-ren. Calculation of the Dispersion Properties of Rayleigh Wave on ZnO/Diamond/Si-Layered Structure[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2007, 36(5): 952-954,968.

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