碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响

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碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响

田时开, 江天府, 杨兴华, 曾葆青

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田时开, 江天府, 杨兴华, 曾葆青. 碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 936-938.

引用本文:

田时开, 江天府, 杨兴华, 曾葆青. 碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 936-938.

TIAN Shi-kai, JIANG Tian-fu, YANG Xing-hua, ZENG Bao-qing. Synthesis of CNTs Film and Influence of Treatment of CNTs Film on Field Emission Properties[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 936-938.

Citation:

TIAN Shi-kai, JIANG Tian-fu, YANG Xing-hua, ZENG Bao-qing. Synthesis of CNTs Film and Influence of Treatment of CNTs Film on Field Emission Properties[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 936-938.

碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响

1.
中国民航飞行学院计算机学院四川广汉 618307;
2.
电子科技大学物理电子学院成都 610054

作者简介:
田时开(1974-),男,博士生,助教,主要从事阴极场致发射理论及实验方面的研究.

中图分类号: O462.4

Synthesis of CNTs Film and Influence of Treatment of CNTs Film on Field Emission Properties

1.
College of Computer Science,Civil Aviation Flight University of China Guanghan Sichuan 618307;
2.
School of Physical Electronics,Univ. of Electron. Sci. & Tech. of China Chengdu 610054

摘要: 采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1~1.2 V/μm。对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3 μA提高到34 μA。
- 碳纳米管 /
- 场发射 /
- 化学气相沉积法 /
- 老炼
Abstract: In this paper, NiCr alloy was vaporized on the silicon in vacuum as the catalyzer and synthesized Carbon NanoTubes (CNTs) film using chemical vapour deposition. We treated CNTs film with H2 plasma and measured the field emission characteristic of CNTs film. CNTs film's turn on fields was 1~1.2 V/μm and had obviously reduced compared with that not treated. The most field emission current was increased 34 μA from 12.3 μA after annealed.
- carbon nanotubes /
- field emission /
- chemical vapour deposition /
- anneal

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碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响

1. 中国民航飞行学院计算机学院四川广汉 618307;

2. 电子科技大学物理电子学院成都 610054

作者简介:
田时开(1974-),男,博士生,助教,主要从事阴极场致发射理论及实验方面的研究.

收稿日期: 2005-05-13
刊出日期: 2006-12-15

中图分类号: O462.4

关键词:

摘要: 采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄膜进行了比较,得到碳纳米管薄膜开启场强有所降低,为1~1.2 V/μm。对碳纳米管薄膜进行老炼处理,最大场发射电流由12.3 μA提高到34 μA。

English Abstract

田时开, 江天府, 杨兴华, 曾葆青. 碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 936-938.

引用本文:

田时开, 江天府, 杨兴华, 曾葆青. 碳纳米管薄膜的制备及处理对场发射特性的影响[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 936-938.

TIAN Shi-kai, JIANG Tian-fu, YANG Xing-hua, ZENG Bao-qing. Synthesis of CNTs Film and Influence of Treatment of CNTs Film on Field Emission Properties[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 936-938.

Citation:

TIAN Shi-kai, JIANG Tian-fu, YANG Xing-hua, ZENG Bao-qing. Synthesis of CNTs Film and Influence of Treatment of CNTs Film on Field Emission Properties[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 936-938.

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