Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

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Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

杨啸林, 阮成礼, 葛世慧, 席力

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杨啸林, 阮成礼, 葛世慧, 席力. Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 964-966.

引用本文:

杨啸林, 阮成礼, 葛世慧, 席力. Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 964-966.

YANG Xiao-lin, RUAN Cheng-li, GE Shi-hui, Xi Li. Study on Hall Effect of Fe-Si-O Granular Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 964-966.

Citation:

YANG Xiao-lin, RUAN Cheng-li, GE Shi-hui, Xi Li. Study on Hall Effect of Fe-Si-O Granular Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 964-966.

Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

1.
电子科技大学物理电子学院成都 610054;
2.
兰州大学教育部应用磁学开放实验室兰州 730000

作者简介:
杨啸林(1974-),男,讲师,主要从事磁性材料与器件方面的研究.

中图分类号: O482.54

Study on Hall Effect of Fe-Si-O Granular Films

1.
School of Physics Electronic,Univ. of Electron. Sci. & Tech. of China Chengdu 610054;
2.
Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of Ministry of Education,Lanzhou University Lanzhou 730000

摘要: 利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1-x)金属-绝缘体颗粒膜,系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3 T的磁场下,当体积分数为0.52时,霍尔电阻率有最大值为18.5 μΩ·cm。样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,饱和霍尔电阻率随温度的变化不大,样品具有良好的热稳定性,这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在300℃下的温度范围内有较好的应用前景。
- 颗粒膜 /
- 磁性 /
- 电阻率 /
- 霍尔效应
Abstract: The granular films of Fe-Si-O with different volume fraction x were fabricated by RF co-sputtering method. The microstructure, magnetic and transport properties, and Giant Hall Effect (GHE) were studied systematically. In room temperature and magnetic field of 1.3 Tesla, the maximum GHE value of 18.5 μΩ·cm was obtained at the volume fraction of 0.52. The origin of this giant Hall Effect is contributed to 3d local electron-electron interaction. The annealing temperature under 300℃, the saturated Hall resistivity of the Fe0.52(SiO2)0.48 granular film does no decrease much. Namely, the sample has good thermal stability, which implies that this sample may be considered as a magnetic field sensor for operating temperatures below 300℃.
- granular film /
- magnetic /
- resistivity /
- Hall effect

[1]	王跃峰, 姜其畅, 马紫微, 贾明理, 苏振, 孙慧霞. PCB中耐高温有机可焊保护剂成膜机理及性能研究 . 电子科技大学学报, 2024, 53(4): 487-494. doi: 10.12178/1001-0548.2023256
[2]	周丰丰, 牛甲昱. 细胞穿膜肽识别问题的多特征融合卷积网络预测算法 . 电子科技大学学报, 2022, 51(4): 494-499. doi: 10.12178/1001-0548.2021391
[3]	崔浩, 李斌成, 肖石磊, 王静, 王亚非, 高椿明. 光反馈光腔衰荡技术同时测量高反膜S和P偏振反射率 . 电子科技大学学报, 2018, 47(2): 307-310. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.02.024
[4]	田银, 尧德中. 线索化效应的返回抑制研究 . 电子科技大学学报, 2010, 39(6): 944-947. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.06.029
[5]	张德银, 黄大贵, 李金华, 但迪迪, 董政. 衬底效应对LiTaO₃薄膜制备的影响 . 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 660-662,669.
[6]	王波, 叶芸, 曾红娟, 吴志明, 蒋亚东. 纳米VO₂/PEDT复合膜的制备及阻温特性的研究 . 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 945-947.
[7]	钟智勇, 刘爽, 唐晓莉, 石玉, 张怀武. 巨磁电阻效应的非接触光学表征方法研究 . 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 657-659.
[8]	王卫东, 贾建援, 樊康旗, 李萌萌. 电容式微加速度计的气膜阻尼分析 . 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 221-224.
[9]	荆玉兰, 张怀武, 蒋向东. 快速循环热处理对(Co_0.35Fe_0.65)₉₉O₁薄膜磁性能的影响 . 电子科技大学学报, 2006, 35(2): 246-248.
[10]	高正平, 毕兆亿. 含磁性金属纤维的多层雷达吸波材料的设计 . 电子科技大学学报, 2006, 35(3): 412-414,418.
[11]	刘玉海, 唐小我, 倪得兵. 供应链牛鞭效应产生的经济机理研究 . 电子科技大学学报, 2005, 34(1): 137-140.
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[13]	邝向军. MCo₁₂原子簇的电子结构和磁性性质研究 . 电子科技大学学报, 2005, 34(3): 336-339.
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[15]	夏都灵. 聚苯胺导电膜电致变色机理研究 . 电子科技大学学报, 2000, 29(6): 669-672.
[16]	胡涛, 王守绪, 郑重德. PEMFC膜电极制作工艺的研究 . 电子科技大学学报, 2000, 29(5): 564-567.
[17]	胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生. InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作 . 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 498-501.
[18]	何进, 杨传仁. AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性 . 电子科技大学学报, 1998, 27(1): 47-50.
[19]	张怀武, 刘颖力, 王豪才. 紫蓝磁光材料的量子法拉第效应 . 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 610-613.
[20]	周鸿仁, 刘秀蓉, 徐蓓娜. 直流磁控溅射铂电阻薄膜 . 电子科技大学学报, 1997, 26(6): 662-665.

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Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究

1. 电子科技大学物理电子学院成都 610054;

2. 兰州大学教育部应用磁学开放实验室兰州 730000

作者简介:
杨啸林(1974-),男,讲师,主要从事磁性材料与器件方面的研究.

收稿日期: 2005-11-18
刊出日期: 2006-12-15

中图分类号: O482.54

关键词:

颗粒膜 /
磁性 /
电阻率 /
霍尔效应

摘要: 利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1-x)金属-绝缘体颗粒膜,系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3 T的磁场下,当体积分数为0.52时,霍尔电阻率有最大值为18.5 μΩ·cm。样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜回火,饱和霍尔电阻率随温度的变化不大,样品具有良好的热稳定性,这表明Fe0.52(SiO2)0.48颗粒膜在300℃下的温度范围内有较好的应用前景。

English Abstract

杨啸林, 阮成礼, 葛世慧, 席力. Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 964-966.

引用本文:

杨啸林, 阮成礼, 葛世慧, 席力. Fe-Si-O颗粒膜的霍尔效应研究[J]. 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 964-966.

YANG Xiao-lin, RUAN Cheng-li, GE Shi-hui, Xi Li. Study on Hall Effect of Fe-Si-O Granular Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 964-966.

Citation:

YANG Xiao-lin, RUAN Cheng-li, GE Shi-hui, Xi Li. Study on Hall Effect of Fe-Si-O Granular Films[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2006, 35(6): 964-966.

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