压痕诱发GaAs单晶的塑性变形

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压痕诱发GaAs单晶的塑性变形

李井润, 李志成, 徐永波

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李井润, 李志成, 徐永波. 压痕诱发GaAs单晶的塑性变形[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(1): 59-62.

引用本文:

李井润, 李志成, 徐永波. 压痕诱发GaAs单晶的塑性变形[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(1): 59-62.

Li Jingrun, Li Zhicheng, Xu Yongbo. Indentation-Induced Deformation in GaAs Single Crystal[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(1): 59-62.

Citation:

Li Jingrun, Li Zhicheng, Xu Yongbo. Indentation-Induced Deformation in GaAs Single Crystal[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(1): 59-62.

压痕诱发GaAs单晶的塑性变形

1.
电子科技大学中山学院广东中山 5284032;
2.
中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室沈阳 110016

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(59971069)

作者简介:
李井润(1964-),男,硕士,讲师,主要从事应用光学,材料疲劳与断裂方面的研究.

中图分类号: TN304.2

Indentation-Induced Deformation in GaAs Single Crystal

1.
Zhongshan College,UEST of China Guangdong Zhongshan 528403;
2.
Shenyang National Laboratory for Materials Science,Institute of Metal Research The Chinese Academy of Science Shenyang 110016

摘要: 利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的塑性变形结构进行了研究。结果表明,压痕周围产生了由长臂位错和短臂位错组成的非均匀分布的玫瑰型位错组态和二次对称分布的孪晶结构。利用电子衍射技术对位错类型进行了分析。结果表明位错形态与Fran-Read位错的形核、运动和相互作用有关,而孪生过程与形变过程中扩展位错的产生与运动密切相关。
- GaAs单晶 /
- 压痕 /
- 位错与孪晶 /
- 电子显微镜
Abstract: Deformation structure induced by indentation in GaAs single crystal has been studied using transmission electron microscopy. The result shows that resettle-like asymmetric dislocations, which consist of elongated-arm dislocations and short-arm ones, and twofold symmetrical twins occurres around indentation. The dislocation configuration formed by the nucleation, movement and interaction of the Frank-Read sources on six slipping planes of the GaAs crystal, and is closely related to the various mobility of the α and β dislocations in GaAs crystal. The formation of the twins is closely related to the stacking_faults.
- GaAs single crystal /
- indentation /
- dislocation and twin /
- electron microscopy

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[2]	程东升, 谭旭, 许志良, 陈宝文, 张运生. 结合四维超混沌系统和位分解的图像加密算法研究 . 电子科技大学学报, 2018, 47(6): 906-912. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.06.017
[3]	李丹, 邹见效. 基于迭代学习控制的原子力显微镜成像 . 电子科技大学学报, 2018, 47(5): 714-719. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.05.012
[4]	彭博, 谌勇, 刘东权. 超声弹性成像零相位估计算法并行化研究 . 电子科技大学学报, 2014, 43(4): 618-623. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.04.026
[5]	王忠, 龙宇. 航位推算系统非线性过程处理新方法研究 . 电子科技大学学报, 2010, 39(3): 351-354. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.005
[6]	廖剑伟, 蔡洪斌, 熊海灵, 陈善雄. 二元位运算P2P系统复制技术的研究 . 电子科技大学学报, 2009, 38(3): 406-409. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.03.021
[7]	贾哲, 尹浩, 于全. 一种多进制CPM信号的开环位同步算法 . 电子科技大学学报, 2007, 36(4): 685-687.
[8]	杨军, 佘堃, 钟守铭. 一种基于位平面分解的多分辨率数字水印算法 . 电子科技大学学报, 2007, 36(3): 563-565,572.
[9]	张德祥, 高清维, 钟维年, 陈军宁. 半连续Ag纳米薄膜显微图像的多重分形谱研究 . 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 948-951.
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压痕诱发GaAs单晶的塑性变形

1. 电子科技大学中山学院广东中山 5284032;

2. 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室沈阳 110016

基金项目:

国家自然科学基金资助项目(59971069)

作者简介:
李井润(1964-),男,硕士,讲师,主要从事应用光学,材料疲劳与断裂方面的研究.

收稿日期: 2003-05-02
刊出日期: 2004-02-15

中图分类号: TN304.2

关键词:

摘要: 利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的塑性变形结构进行了研究。结果表明,压痕周围产生了由长臂位错和短臂位错组成的非均匀分布的玫瑰型位错组态和二次对称分布的孪晶结构。利用电子衍射技术对位错类型进行了分析。结果表明位错形态与Fran-Read位错的形核、运动和相互作用有关,而孪生过程与形变过程中扩展位错的产生与运动密切相关。

English Abstract

李井润, 李志成, 徐永波. 压痕诱发GaAs单晶的塑性变形[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(1): 59-62.

引用本文:

李井润, 李志成, 徐永波. 压痕诱发GaAs单晶的塑性变形[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(1): 59-62.

Li Jingrun, Li Zhicheng, Xu Yongbo. Indentation-Induced Deformation in GaAs Single Crystal[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(1): 59-62.

Citation:

Li Jingrun, Li Zhicheng, Xu Yongbo. Indentation-Induced Deformation in GaAs Single Crystal[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(1): 59-62.

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