微分脉冲极谱测定痕量铊的研究

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微分脉冲极谱测定痕量铊的研究

何为, 范中晓, 霍彩红

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何为, 范中晓, 霍彩红. 微分脉冲极谱测定痕量铊的研究[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(3): 309-311,315.

引用本文:

何为, 范中晓, 霍彩红. 微分脉冲极谱测定痕量铊的研究[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(3): 309-311,315.

He Wei, Fan Zhongxiao, Huo Caihong. Determination of Trace Amounts of Thallium by Differential Pulse Polarographiy[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(3): 309-311,315.

Citation:

He Wei, Fan Zhongxiao, Huo Caihong. Determination of Trace Amounts of Thallium by Differential Pulse Polarographiy[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(3): 309-311,315.

微分脉冲极谱测定痕量铊的研究

1.
电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054

作者简介:
何为(1957-),男,硕士,教授,主要从事应用电化学方面的研究.

中图分类号: O657.14;O649.4

Determination of Trace Amounts of Thallium by Differential Pulse Polarographiy

1.
School of Microelectronics and Solid-State Electronics,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 在pH值为5~10的范围内,铊(I)与4-吗啉二硫代羧酸钾生成不溶于水的螯合物并定量的吸附在微晶萘的表面上。用15 ml的1.5 mol/L的HCl使该不溶性螯合物脱附溶解后,在滴汞电极(DME)上用微分脉冲极谱(DPP)法测定痕量的铊(I)取得了很好的效果。该分析方法的检测限达到0.025 μg/ml,所测定的铊(I)浓度的线性范围达到0.05~10 μg/ml,标准曲线的相关系数γ=0.999 5,相对标准偏差为±0.90。
- 铊 /
- 微分脉冲极谱 /
- 滴汞电极 /
- 4-吗啉二硫代羧酸钾
Abstract: After Tl(I)-morpholine-4-carbodithioate complex is formed by the complex reaction of Tl(I) with morpholine-4-carbodithioate, the Tl(I) complex is quantitatively adsorbed onto microcrystalline naphthalene in the range of pH=5~10.The trace amount of thallium is determined by differential pulse polarography on DME after the adsorption of its morpholine-4-carbodithioate is decomposed in 15 ml of 1.5 mol/L HCl. The detection limit of thallium is 0.025 μg/ml and the linear range of concentration is 0.05~10 μg/ml with a correlation coefficient of 0.999 5 and a relative standard deviation of ±0.90.
- thallium /
- differential pulse polarography /
- dropping mercury electrode /
- morpholine-4-carbodithioate

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微分脉冲极谱测定痕量铊的研究

1. 电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054

作者简介:
何为(1957-),男,硕士,教授,主要从事应用电化学方面的研究.

收稿日期: 2003-06-18
刊出日期: 2004-06-15

中图分类号: O657.14;O649.4

关键词:

摘要: 在pH值为5~10的范围内,铊(I)与4-吗啉二硫代羧酸钾生成不溶于水的螯合物并定量的吸附在微晶萘的表面上。用15 ml的1.5 mol/L的HCl使该不溶性螯合物脱附溶解后,在滴汞电极(DME)上用微分脉冲极谱(DPP)法测定痕量的铊(I)取得了很好的效果。该分析方法的检测限达到0.025 μg/ml,所测定的铊(I)浓度的线性范围达到0.05~10 μg/ml,标准曲线的相关系数γ=0.999 5,相对标准偏差为±0.90。

English Abstract

何为, 范中晓, 霍彩红. 微分脉冲极谱测定痕量铊的研究[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(3): 309-311,315.

引用本文:

何为, 范中晓, 霍彩红. 微分脉冲极谱测定痕量铊的研究[J]. 电子科技大学学报, 2004, 33(3): 309-311,315.

He Wei, Fan Zhongxiao, Huo Caihong. Determination of Trace Amounts of Thallium by Differential Pulse Polarographiy[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(3): 309-311,315.

Citation:

He Wei, Fan Zhongxiao, Huo Caihong. Determination of Trace Amounts of Thallium by Differential Pulse Polarographiy[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2004, 33(3): 309-311,315.

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