计算VLSI电容方法的研究

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计算VLSI电容方法的研究

旷章曲, 张生才

文章导航 > 电子科技大学学报 > 2001 > 30(1): 41-45

旷章曲, 张生才. 计算VLSI电容方法的研究[J]. 电子科技大学学报, 2001, 30(1): 41-45.

引用本文:

旷章曲, 张生才. 计算VLSI电容方法的研究[J]. 电子科技大学学报, 2001, 30(1): 41-45.

Kuang Zhangqu, Zhang Shengcai. Research on Methods of Calculating Capacitance in VLSI[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2001, 30(1): 41-45.

Citation:

Kuang Zhangqu, Zhang Shengcai. Research on Methods of Calculating Capacitance in VLSI[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2001, 30(1): 41-45.

计算VLSI电容方法的研究

1.
天津大学电子信息学院天津 300072

作者简介:
旷章曲男 25岁硕士生

中图分类号: TN402

Research on Methods of Calculating Capacitance in VLSI

1.
College of Electronic and Information Engineering,Tianjin University Tianjin 300072

摘要: 讨论了几种VLSI版图中电容的计算方法;计算集成电路电容的方法有公式法和数值法两大类。利用数值法计算电容的方法包含有限差分法、有限元法、边界元法和格林法等,分析了以上各种方法的计算原理和优缺点。
- 公式法 /
- 数值法 /
- VLSI /
- 离散法
Abstract: In this paper, the methods to calculate the capacitance coefficients in VLSI circuits are discussed, which are classified as formula method and numerical method. The latter includes the finite difference method (FDM), the finite element method (FEM), the boundary element method (BEM) and the Green(s Function method, etc. The theories, advantages and disadvantages of the methods are analyzed, respectively.
- formula method /
- numerical method /
- VLSI /
- discretization

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计算VLSI电容方法的研究

1. 天津大学电子信息学院天津 300072

作者简介:
旷章曲男 25岁硕士生

收稿日期: 2000-01-20
刊出日期: 2001-02-15

中图分类号: TN402

关键词:

公式法 /
数值法 /
VLSI /
离散法

摘要: 讨论了几种VLSI版图中电容的计算方法;计算集成电路电容的方法有公式法和数值法两大类。利用数值法计算电容的方法包含有限差分法、有限元法、边界元法和格林法等,分析了以上各种方法的计算原理和优缺点。

English Abstract

旷章曲, 张生才. 计算VLSI电容方法的研究[J]. 电子科技大学学报, 2001, 30(1): 41-45.

引用本文:

旷章曲, 张生才. 计算VLSI电容方法的研究[J]. 电子科技大学学报, 2001, 30(1): 41-45.

Kuang Zhangqu, Zhang Shengcai. Research on Methods of Calculating Capacitance in VLSI[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2001, 30(1): 41-45.

Citation:

Kuang Zhangqu, Zhang Shengcai. Research on Methods of Calculating Capacitance in VLSI[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2001, 30(1): 41-45.

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