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真空纳米微电子结构自发射阴极的电磁场研究

Rodionov A. N. Solntsev V. A. 李慎

Rodionov A. N., Solntsev V. A., 李慎. 真空纳米微电子结构自发射阴极的电磁场研究[J]. 电子科技大学学报, 2000, 29(5): 531-534.
引用本文: Rodionov A. N., Solntsev V. A., 李慎. 真空纳米微电子结构自发射阴极的电磁场研究[J]. 电子科技大学学报, 2000, 29(5): 531-534.
Rodionov A. N., Solntsev VA, Li Shen. Study of Electronmagnetic Fields of Nanomicroelectronic Structure Cathod with Autoemitting Electrons[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2000, 29(5): 531-534.
Citation: Rodionov A. N., Solntsev VA, Li Shen. Study of Electronmagnetic Fields of Nanomicroelectronic Structure Cathod with Autoemitting Electrons[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2000, 29(5): 531-534.

真空纳米微电子结构自发射阴极的电磁场研究

详细信息
    作者简介:

    Rodionov A. N. 男 38岁 大学 工程师

  • 中图分类号: O462.4;O242

Study of Electronmagnetic Fields of Nanomicroelectronic Structure Cathod with Autoemitting Electrons

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    Author Bio:

    Rodionov A. N. 男 38岁 大学 工程师

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出版历程
  • 收稿日期:  2000-03-07
  • 刊出日期:  2000-10-15

真空纳米微电子结构自发射阴极的电磁场研究

    作者简介:

    Rodionov A. N. 男 38岁 大学 工程师

  • 中图分类号: O462.4;O242

摘要: 介绍了一种改进的"透镜"算法。用该算法和相应的实验研究了两种自发射阳极的静电场特性(尖锥直径为101nm),其电场放大系数达到102。并研究了在阴极尖锥附近的电场强度与尖锥结构的关系:分析了表面粗糙程度的影响。最后所得的计算机算法和程序适用于研究任意形状的纳米尖锥阴极。

English Abstract

Rodionov A. N., Solntsev V. A., 李慎. 真空纳米微电子结构自发射阴极的电磁场研究[J]. 电子科技大学学报, 2000, 29(5): 531-534.
引用本文: Rodionov A. N., Solntsev V. A., 李慎. 真空纳米微电子结构自发射阴极的电磁场研究[J]. 电子科技大学学报, 2000, 29(5): 531-534.
Rodionov A. N., Solntsev VA, Li Shen. Study of Electronmagnetic Fields of Nanomicroelectronic Structure Cathod with Autoemitting Electrons[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2000, 29(5): 531-534.
Citation: Rodionov A. N., Solntsev VA, Li Shen. Study of Electronmagnetic Fields of Nanomicroelectronic Structure Cathod with Autoemitting Electrons[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 2000, 29(5): 531-534.

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