掺杂弛豫铁电陶瓷材料的电阻——温度特性

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掺杂弛豫铁电陶瓷材料的电阻——温度特性

王恩信, 邓宏, 姜斌

文章导航 > 电子科技大学学报 > 1999 > 28(2): 136-140

王恩信, 邓宏, 姜斌. 掺杂弛豫铁电陶瓷材料的电阻——温度特性[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(2): 136-140.

引用本文:

王恩信, 邓宏, 姜斌. 掺杂弛豫铁电陶瓷材料的电阻——温度特性[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(2): 136-140.

Wang Enxin, Deng Hong, Jiang Bin. Resistance-temperature Characteristics of Doped Relaxor Ferroelectric Ceramics[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(2): 136-140.

Citation:

Wang Enxin, Deng Hong, Jiang Bin. Resistance-temperature Characteristics of Doped Relaxor Ferroelectric Ceramics[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(2): 136-140.

掺杂弛豫铁电陶瓷材料的电阻——温度特性

1.
成都电子科技大学信息材料工程学院成都 610054

基金项目:

国防科工委预研基金

作者简介:
王恩信男 61岁大学教授

中图分类号: TN304.9

Resistance-temperature Characteristics of Doped Relaxor Ferroelectric Ceramics

1.
Institute of information Materials Eng.,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 在比较铁电体材料与弛豫铁电体材料的异同之处的基础上,采用一般陶瓷工艺制备的U型电阻-温度特性热敏电阻电阻材料钛酸钡锶和钛酸铅锶等固溶体是一种掺杂弛豫铁电体。根据能带理论,用Heywang模型较好地解释了钛酸钡锶等材料中出现的U型电阻-温度特性。
- 铁电体 /
- 弛豫铁电体 /
- 固溶体 /
- 热敏电阻 /
- 晶粒间界势垒 /
- Heywang模型
Abstract: The ferroelectrics and relaxor ferroelectrics are discussed. It is believed that the solid solutions of barium strontium titanate and lead strontium titanate by conventional process are doped relaxor ferroelectrics. The Heywang's double Schottky barrier model is introduced to explain their U-type resistance-temperature characteristics.
- ferroelectric /
- relaxor ferroelectric /
- solid solution /
- thermoster /
- grain boundary barrier /
- Heywang's model

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掺杂弛豫铁电陶瓷材料的电阻——温度特性

1. 成都电子科技大学信息材料工程学院成都 610054

基金项目:

国防科工委预研基金

作者简介:
王恩信男 61岁大学教授

收稿日期: 1998-08-27
修回日期: 1999-01-29
刊出日期: 1999-04-15

中图分类号: TN304.9

关键词:

摘要: 在比较铁电体材料与弛豫铁电体材料的异同之处的基础上,采用一般陶瓷工艺制备的U型电阻-温度特性热敏电阻电阻材料钛酸钡锶和钛酸铅锶等固溶体是一种掺杂弛豫铁电体。根据能带理论,用Heywang模型较好地解释了钛酸钡锶等材料中出现的U型电阻-温度特性。

English Abstract

王恩信, 邓宏, 姜斌. 掺杂弛豫铁电陶瓷材料的电阻——温度特性[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(2): 136-140.

引用本文:

王恩信, 邓宏, 姜斌. 掺杂弛豫铁电陶瓷材料的电阻——温度特性[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(2): 136-140.

Wang Enxin, Deng Hong, Jiang Bin. Resistance-temperature Characteristics of Doped Relaxor Ferroelectric Ceramics[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(2): 136-140.

Citation:

Wang Enxin, Deng Hong, Jiang Bin. Resistance-temperature Characteristics of Doped Relaxor Ferroelectric Ceramics[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(2): 136-140.

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