提高雪崩击穿电压新技术——深阱终端结构

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

提高雪崩击穿电压新技术——深阱终端结构

周蓉, 胡思福, 张庆中

文章导航 > 电子科技大学学报 > 1999 > 28(3): 259-261

周蓉, 胡思福, 张庆中. 提高雪崩击穿电压新技术——深阱终端结构[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(3): 259-261.

引用本文:

周蓉, 胡思福, 张庆中. 提高雪崩击穿电压新技术——深阱终端结构[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(3): 259-261.

Zhou Rong, Hu Sifu, Zhang Qinzhong. Deep Trench Termination-A New Technology for Improving Abalanche Breakdown Voltage[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(3): 259-261.

Citation:

Zhou Rong, Hu Sifu, Zhang Qinzhong. Deep Trench Termination-A New Technology for Improving Abalanche Breakdown Voltage[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(3): 259-261.

提高雪崩击穿电压新技术——深阱终端结构

1.
电子科技大学微电子科学与技术系成都 610054

基金项目:

四川省应用基础研究专项基金

作者简介:
周蓉女 29岁博士生讲师

中图分类号: TN432

Deep Trench Termination-A New Technology for Improving Abalanche Breakdown Voltage

1.
Dept. of Microelectronic Science and Engineering. UEST of China Chengdu 610054

摘要: 研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理,模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明,带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的90%。同时,深阱终端结构在不减小散热面积的情况下,还大大减小了结面积,减小了漏电流,有助于改善器件的频率特性,提高器件的稳定性。
- 深阱 /
- 终端 /
- 雪崩击穿电压 /
- 介质 /
- 场板
Abstract: The principle of deep trench termination for improving the avalanche breakdown of thedevice is studied. The effects of trench's depth and width, the field plate, the dielectric used to fill trench onthe avalanche breakdown voltage are analyzed using MEDICI. The results indicate that deep trenchtermination with field plate increases avalanche breakdown voltage of that of the device to 90% of that ofthe parallel plane junction. Meanwhile, the structure helps increase the cut-off frequency, the dissipationpower and the device reliability by decreasing the actual junction area and the surface leaking current.
- deep trench /
- termination /
- avalanche breakdown /
- dielectric /
- field plate

[1]	张腾月, 文红, 唐杰, 宋欢欢. 随机移动终端协同干扰下的安全传输增强机制 . 电子科技大学学报, 2021, 50(6): 877-882. doi: 10.12178/1001-0548.2020336
[2]	鲁合德, 朱峰, 刘庆想, 李鑫. 基于微波网络参数的非均匀传输线终端响应研究 . 电子科技大学学报, 2018, 47(5): 698-704. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.05.010
[3]	李强. 5G移动终端认证状态漫游和传递方法 . 电子科技大学学报, 2018, 47(5): 680-685. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2018.05.007
[4]	李桂萍, 王茂琰, 李海龙, 张小川, 董宇亮, 徐军. FDTD法模拟手征介质柱的波传播和洛伦兹力密度 . 电子科技大学学报, 2017, 46(6): 850-855, 860. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2017.06.010
[5]	汪昌思, 徐跃杭, 闻彰, 陈志凯, 赵晓冬, 徐锐敏. 微波场板GaN HEMTs大信号特性及其模型研究 . 电子科技大学学报, 2017, 46(3): 485-491. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2017.03.002
[6]	陈其科, 樊勇, 张永鸿, 宋开军. 用于近程被动成像的3mm波准光介质透镜天线设计 . 电子科技大学学报, 2016, 45(2): 168-173.
[7]	李鹏程, 潘锦, 杨德强, 聂在平. 适用于移动手持终端的宽带PIFA设计(GSM850-WiMAX) . 电子科技大学学报, 2014, 43(6): 829-833. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.06.006
[8]	刘海, 吕健滔, 王可嘉, 刘劲松. 随机介质内折射率分布对频谱特性的影响 . 电子科技大学学报, 2011, 40(6): 941-945. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.06.026
[9]	梁家荣, 谭红艳, 樊仲光. 广义系统的快速终端滑模控制 . 电子科技大学学报, 2011, 40(1): 11-15. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.01.002
[10]	王茂琰, 徐军, 吴健, 吴军. 基本结构变化对左手介质透射影响的研究 . 电子科技大学学报, 2008, 37(2): 251-254.
[11]	段晓勇, 彭仕政, 李龙武, 张玉强, 卫高峰, 刘晓春. 时谐偶极子在介质球头模型中的电位分布 . 电子科技大学学报, 2008, 37(1): 134-137.
[12]	李悦宝, 祝大军, 刘盛纲. 周期性介质切伦柯夫脉塞的粒子模拟 . 电子科技大学学报, 2008, 37(5): 730-732,796.
[13]	杜江锋, 赵金霞, 伍捷, 杨月寒, 武鹏, 靳翀, 陈卫. 具有场板结构GaN HEMT电场分布解析模型 . 电子科技大学学报, 2008, 37(2): 297-300.
[14]	卢子焱, 唐宗熙, 张彪. 微波电介质材料复介电常数的扫频测量 . 电子科技大学学报, 2007, 36(1): 44-46,69.
[15]	王茂琰, 徐军, 魏兵, 葛德彪. 双负介质覆盖导体球宽带散射特性分析 . 电子科技大学学报, 2007, 36(5): 880-882.
[16]	李桂萍, 徐军, 罗慎独, 薛良金. Ka频段介质稳频振荡器的研制 . 电子科技大学学报, 2003, 32(6): 652-654.
[17]	杨玉平, 李允, 熊光泽. 移动终端浏览器的设计和实现 . 电子科技大学学报, 2003, 32(1): 71-75.
[18]	杨成韬, 张鹰, 李言荣. XPS谱在磁光介质可靠性分析中的应用 . 电子科技大学学报, 2001, 30(2): 129-133.
[19]	李允, 熊光泽, 程红蓉. 普及计算终端设备的电源管理技术研究 . 电子科技大学学报, 2001, 30(5): 497-502.
[20]	薛泉, 徐军, 薛良金. E面悬置介质谐振器 . 电子科技大学学报, 1997, 26(2): 148-151.

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 4421
HTML全文浏览量: 173
PDF下载量: 78
被引次数: 0

提高雪崩击穿电压新技术——深阱终端结构

1. 电子科技大学微电子科学与技术系成都 610054

基金项目:

四川省应用基础研究专项基金

作者简介:
周蓉女 29岁博士生讲师

收稿日期: 1998-10-14
修回日期: 1998-12-03
刊出日期: 1999-06-15

中图分类号: TN432

关键词:

摘要: 研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理,模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明,带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的90%。同时,深阱终端结构在不减小散热面积的情况下,还大大减小了结面积,减小了漏电流,有助于改善器件的频率特性,提高器件的稳定性。

English Abstract

周蓉, 胡思福, 张庆中. 提高雪崩击穿电压新技术——深阱终端结构[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(3): 259-261.

引用本文:

周蓉, 胡思福, 张庆中. 提高雪崩击穿电压新技术——深阱终端结构[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(3): 259-261.

Zhou Rong, Hu Sifu, Zhang Qinzhong. Deep Trench Termination-A New Technology for Improving Abalanche Breakdown Voltage[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(3): 259-261.

Citation:

Zhou Rong, Hu Sifu, Zhang Qinzhong. Deep Trench Termination-A New Technology for Improving Abalanche Breakdown Voltage[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(3): 259-261.

全文HTML

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回

期刊在线

编辑办公

友情链接

电子科技大学

版权所有 © 《电子科技大学学报》编辑部

地址: 成都市建设北路二段四号电子科技大学主楼中350室电话: 028-83202308,83207559 Email: xuebao@uestc.edu.cn

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发