硅双极功率晶体管镇流技术的改进

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硅双极功率晶体管镇流技术的改进

周蓉, 胡思福, 张庆中

文章导航 > 电子科技大学学报 > 1999 > 28(5): 486-489

周蓉, 胡思福, 张庆中. 硅双极功率晶体管镇流技术的改进[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 486-489.

引用本文:

周蓉, 胡思福, 张庆中. 硅双极功率晶体管镇流技术的改进[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 486-489.

Zhou Rong, Hu Sifu, Zhang Qinzhong. Improvement of Ballasting for Silicon Bipolar Power Transistor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 486-489.

Citation:

Zhou Rong, Hu Sifu, Zhang Qinzhong. Improvement of Ballasting for Silicon Bipolar Power Transistor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 486-489.

硅双极功率晶体管镇流技术的改进

1.
电子科技大学微电子科学与工程系成都 610054

基金项目:

四川省应用基础研究专项基金

作者简介:
周蓉女 29岁在职博士生讲师

中图分类号: TN432

Improvement of Ballasting for Silicon Bipolar Power Transistor

1.
Dept of Microelectronic Science and Technology,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施。结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益。
- 硅化物 /
- 氨化钛 /
- 镇流电阻 /
- 多晶硅
Abstract: From the reliability and the gain, the existing ballasting resistor for silicon bipolar power transistor is carefully analyzed, and the improved method is proposed. The results indicate the improved compound ballasting resistor not only effectively prevents the "Runaway" and the second breakdown caused by current concentrating, improves transistor's reliability and life time, but also helps improve power transistor's power gain.
- silicide /
- TiN /
- ballasting resistor /
- poly-Si

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硅双极功率晶体管镇流技术的改进

1. 电子科技大学微电子科学与工程系成都 610054

基金项目:

四川省应用基础研究专项基金

作者简介:
周蓉女 29岁在职博士生讲师

收稿日期: 1998-12-17
刊出日期: 1999-10-15

中图分类号: TN432

关键词:

摘要: 从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施。结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益。

English Abstract

周蓉, 胡思福, 张庆中. 硅双极功率晶体管镇流技术的改进[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 486-489.

引用本文:

周蓉, 胡思福, 张庆中. 硅双极功率晶体管镇流技术的改进[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 486-489.

Zhou Rong, Hu Sifu, Zhang Qinzhong. Improvement of Ballasting for Silicon Bipolar Power Transistor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 486-489.

Citation:

Zhou Rong, Hu Sifu, Zhang Qinzhong. Improvement of Ballasting for Silicon Bipolar Power Transistor[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 486-489.

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