Si<sub>1-<i>x</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>/Si材料外延生长技术

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Si_1-xGe_x/Si材料外延生长技术

杨沛锋, 李开成, 刘道广

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杨沛锋, 李开成, 刘道广. Si1-xGex/Si材料外延生长技术[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 490-493.

引用本文:

杨沛锋, 李开成, 刘道广. Si_1-xGe_x/Si材料外延生长技术[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 490-493.

Yang Peifeng, Li Kaicheng, Liu Daoguang. A Epitaxial Technology for Si1-xGex/Si Materials[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 490-493.

Citation:

Yang Peifeng, Li Kaicheng, Liu Daoguang. A Epitaxial Technology for Si_1-xGe_x/Si Materials[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 490-493.

Si_1-xGe_x/Si材料外延生长技术

1.
电子科技大学微电子科学与工程系成都 610054;
2.
四川固体电路研究所重庆 400060

基金项目:

国防科工委预研基金

作者简介:
杨沛锋男 27岁博士生

中图分类号: TN304.054

A Epitaxial Technology for Si_1-xGe_x/Si Materials

1.
Dept. of Microelec Sci. & Eng.,UEST of China Chendu 610054;
2.
Sichuan Institute of Solid-State Circuits Chongqing 400060

摘要: 介绍了用MBE法生长SiGe/Si新材料的无氧外延表面等关键技术,并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex/Si材料。其测试结果与分析表明,该合金材料有效组成成分(x=0.15)和电学参数符合理论设计目标。利用该材料试制成功了1-xGex-PMOS (x=0.18)器件。
- 锗硅合金 /
- 分子束外延 /
- 有效组成成分
Abstract: Key technologies such as no oxygen epitaxial surface etc. are reported for manufacturing SiGe/Si by MBE,with which both intrinsic and doping Si1-xGex/Si have been realised.In this paper, the experiments show that the components and electrical parameters of the material fit theoretical foreseeing well.which is applied and made up of Si1-xGex/Si-PMOS (x=0. 1 8).
- SiGe alloy /
- molecular beam epitaxy /
- effect components

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Si_1-xGe_x/Si材料外延生长技术

1. 电子科技大学微电子科学与工程系成都 610054;

2. 四川固体电路研究所重庆 400060

基金项目:

国防科工委预研基金

作者简介:
杨沛锋男 27岁博士生

收稿日期: 1998-12-17
刊出日期: 1999-10-15

中图分类号: TN304.054

关键词:

摘要: 介绍了用MBE法生长SiGe/Si新材料的无氧外延表面等关键技术,并据此外延生长出本征和掺杂Si1-xGex/Si材料。其测试结果与分析表明,该合金材料有效组成成分(x=0.15)和电学参数符合理论设计目标。利用该材料试制成功了1-xGex-PMOS (x=0.18)器件。

English Abstract

杨沛锋, 李开成, 刘道广. Si1-xGex/Si材料外延生长技术[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 490-493.

引用本文:

杨沛锋, 李开成, 刘道广. Si_1-xGe_x/Si材料外延生长技术[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 490-493.

Yang Peifeng, Li Kaicheng, Liu Daoguang. A Epitaxial Technology for Si1-xGex/Si Materials[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 490-493.

Citation:

Yang Peifeng, Li Kaicheng, Liu Daoguang. A Epitaxial Technology for Si_1-xGe_x/Si Materials[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 490-493.

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