硅-硅直接键合界面上SiO<sub>2</sub>的非稳定性

何进; 王新; 陈星弼

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硅-硅直接键合界面上SiO₂的非稳定性

何进, 王新, 陈星弼

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何进, 王新, 陈星弼. 硅-硅直接键合界面上SiO2的非稳定性[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 494-497.

引用本文:

何进, 王新, 陈星弼. 硅-硅直接键合界面上SiO₂的非稳定性[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 494-497.

He iin Wang, Xing Chen, Xinbi. Instability of Interfacial SiO2 in Silicon Wafer Direct Bonding[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 494-497.

Citation:

He iin Wang, Xing Chen, Xinbi. Instability of Interfacial SiO₂ in Silicon Wafer Direct Bonding[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 494-497.

硅-硅直接键合界面上SiO₂的非稳定性

1.
电子科技大学微电子所成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金:69776041

详细信息

作者简介:
何进男 31岁博士生

中图分类号: TN305.4

Instability of Interfacial SiO₂ in Silicon Wafer Direct Bonding

1.
Institute of Microelectronics,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5,以类球形小岛状均匀分布于键合界面上,平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表明,为了降低界面自由能,界面SiO2必然最大限度地减少其表面积,从而以类球形小岛分布于界面上,其平均半径至少大于自然氧化层的1.5倍。假定平衡界面因子为12时,同时考虑氧扩散引起的SiO2融解和界面自由能减小引起的成核长大效应,理论计算与实验结果相吻合。
- 硅片直接键合 /
- 非化学计量比的SiO2 /
- 界面自由能 /
- 类球形小岛
Abstract: The interfacial SiO2 if layer of Silicon-to-Silicon direct bonding(SDB) has been studied in this paper by means of AES and SEM of interfacial SiO2. It is found experimentally that SiO2 disintegrates into sphere-shaped-like islands with average radius much larger than L, the thickness of the native oxide layer, and of amorphous materials, SiO1.5. The theoretic analysis shows that SiO2 spontaneously disintegrates into islands because the interface free energy will decrease as much as possible.
- SDB /
- amorphous SiO2 /
- interface free energy /
- sphere-shaped-like island

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[3]	冯立, 邝育军, 代泽洋, 付新川. 异构认知网中基于能效的协作技术研究 . 电子科技大学学报, 2017, 46(5): 666-672. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2017.05.005
[4]	周朝荣, 徐小琼, 杨柳, 马小霞. 基于小世界与能效的容迟网络路由算法 . 电子科技大学学报, 2016, 45(1): 129-134. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.01.022
[5]	汪文勇, 刘川, 赵强, 沈晓明, 丘晓彤. 直接验证的封装式特征选择方法 . 电子科技大学学报, 2016, 45(4): 607-615. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2016.04.013
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[7]	杜辉, 李洋, 梁伟正, 高敏, 张胤, 林媛. 化学计量比对BaTiO₃/Ni集成结构性能的影响 . 电子科技大学学报, 2015, 44(5): 784-788. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.05.024
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[9]	余毅, 梁晓琴, 黄平, 冯玉芳, 杨春. AlN/Al₂O₃(0001)薄膜生长与吸附的表面界面结构研究 . 电子科技大学学报, 2013, 42(5): 784-786. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2013.05.027
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硅-硅直接键合界面上SiO₂的非稳定性

1. 电子科技大学微电子所成都 610054

基金项目:

国家自然科学基金:69776041

作者简介:
何进男 31岁博士生

收稿日期: 1998-04-07
刊出日期: 1999-10-15

中图分类号: TN305.4

关键词:

摘要: 对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5,以类球形小岛状均匀分布于键合界面上,平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表明,为了降低界面自由能,界面SiO2必然最大限度地减少其表面积,从而以类球形小岛分布于界面上,其平均半径至少大于自然氧化层的1.5倍。假定平衡界面因子为12时,同时考虑氧扩散引起的SiO2融解和界面自由能减小引起的成核长大效应,理论计算与实验结果相吻合。

English Abstract

何进, 王新, 陈星弼. 硅-硅直接键合界面上SiO2的非稳定性[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 494-497.

引用本文:

何进, 王新, 陈星弼. 硅-硅直接键合界面上SiO₂的非稳定性[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 494-497.

He iin Wang, Xing Chen, Xinbi. Instability of Interfacial SiO2 in Silicon Wafer Direct Bonding[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 494-497.

Citation:

He iin Wang, Xing Chen, Xinbi. Instability of Interfacial SiO₂ in Silicon Wafer Direct Bonding[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 494-497.

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1. 电子科技大学微电子所成都 610054

作者简介:
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1. 电子科技大学微电子所 成都 610054

作者简介: 何进 男 31岁 博士生

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