InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

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InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生

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胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生. InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 498-501.

引用本文:

胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生. InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 498-501.

Hu Ming, Liu Zhigang, Zhang Zhisheng, Wang Wensheng. Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 498-501.

Citation:

Hu Ming, Liu Zhigang, Zhang Zhisheng, Wang Wensheng. Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 498-501.

InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

1.
天津大学电子信息工程学院天津 300072

基金项目:

天津市科学基金

作者简介:
胡明女 48岁硕士副教授

中图分类号: TN382,TN305.8

Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element

1.
Electron lnformation Engineering Institute,Tianjing University Tianjin 300072

摘要: 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2/V.s,晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200~500Ω,乘积灵敏度达90~150V/A·T。
- InSb薄膜 /
- 真空蒸发 /
- 霍尔元件 /
- 电子迁移率 /
- 灵敏度
Abstract: InSb thin films are prepared by the vacuum evaporation method which has an evaporation source. The dependence of the election mobility on substrate temperature and thickness of the thin films are investigated. The electron mobility of 4×104 cm2/V·s at room temperature for InSb thin film is obtained.The input and output resistance for the InSb thin film Hall element fabricated are 200~500 Ω, and sensitivity is in the range of 90~150 V/A·T.
- InSb thin films /
- vacuum evaporation /
- Hall element electron mobility /
- sensitivity /

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InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作

1. 天津大学电子信息工程学院天津 300072

基金项目:

天津市科学基金

作者简介:
胡明女 48岁硕士副教授

收稿日期: 1998-12-14
刊出日期: 1999-10-15

中图分类号: TN382,TN305.8

关键词:

摘要: 利用单源真空蒸发方法制备InSb薄膜。研究了基片温度控制和膜层厚度对薄膜电子迁移率的影响。室温下测得InSb薄膜的电子迁移率为4×104cm2/V.s,晶粒尺寸达微米数量级。制作的磁敏霍尔元件输入与输出电阻范围为200~500Ω,乘积灵敏度达90~150V/A·T。

English Abstract

胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生. InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 498-501.

引用本文:

胡明, 刘志刚, 张之圣, 王文生. InSb薄膜的真空蒸发及磁敏霍尔元件的制作[J]. 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 498-501.

Hu Ming, Liu Zhigang, Zhang Zhisheng, Wang Wensheng. Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 498-501.

Citation:

Hu Ming, Liu Zhigang, Zhang Zhisheng, Wang Wensheng. Preparation of InSb Thin Films by Vacuum Evaporation and Fabrication of Hall Element[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1999, 28(5): 498-501.

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