AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性

何进, 杨传仁

文章导航 > 电子科技大学学报 > 1998 > 27(1): 47-50

何进, 杨传仁. AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性[J]. 电子科技大学学报, 1998, 27(1): 47-50.

引用本文:

何进, 杨传仁. AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性[J]. 电子科技大学学报, 1998, 27(1): 47-50.

He Jin, Yang Chuanren. Resistivity Temperature Characteristics of Polysilicon Films Heavily Doped With B on AIN Substrate[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1998, 27(1): 47-50.

Citation:

He Jin, Yang Chuanren. Resistivity Temperature Characteristics of Polysilicon Films Heavily Doped With B on AIN Substrate[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1998, 27(1): 47-50.

AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性

何进,
杨传仁

1.
电子科技大学微电子所成都 610054

作者简介:
何进男 30岁博士生

中图分类号: TM544;TN304.055

Resistivity Temperature Characteristics of Polysilicon Films Heavily Doped With B on AIN Substrate

1.
Institute of Microelectron,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 研究了AlN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性。实验发现,膜电阻率随温度变化呈现出从NTC过渡到PTC的U型特性,转折温度TM的位置依赖工艺条件的变化。理论分析表明:晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值,极小值对应的转折温度正比于晶界势垒。
- 多晶硅 /
- 晶界势垒 /
- U型特性 /
- 转折温度
Abstract: The resistivity-temperature characteristics of polysilicon films heavily doped with B, which is deposited on the AlN substrate are studied. It is found that the R-T characteristics show a U type curve within a wide temperature from 25℃~450℃, and the criterion depends on the processing techniques. The theroetical analysis shows that the minium of resistivity exists due to the interface barrier,and the result can be used to adjust the criterion and TCR.
- polysilicon /
- U type curve /
- interface barrier /
- criterion

[1]	罗海燕, 李世彬, 王文武. 微结构硅基光电二极管的近红外响应特性研究 . 电子科技大学学报, 2023, 52(6): 830-834. doi: 10.12178/1001-0548.2022227
[2]	钱吉裕, 魏涛, 王韬, 李秋燕, 吴传贵. 高性能硅基微流道优化方法研究 . 电子科技大学学报, 2020, 49(1): 92-97. doi: 10.12178/1001-0548.2018250
[3]	周郁明, 穆世路, 蒋保国, 王兵, 陈兆权. SiC/SiO₂界面态电荷对SiC MOSFET短路特性影响的研究 . 电子科技大学学报, 2019, 48(6): 947-953. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2019.06.021
[4]	王智勇, 缑俊, 郭勇, 吴阳, 邱琪. 燃气管道泄漏引发的温度变化研究 . 电子科技大学学报, 2015, 44(2): 306-310. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.02.025
[5]	马奎, 杨发顺, 傅兴华. 基于超结结构的肖特基势垒二极管 . 电子科技大学学报, 2015, 44(1): 134-139. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.01.023
[6]	钟其水, 李树军, 黄波, 马建华, 李辉. 圆柱18650锂离子动力电池放电及温度特性 . 电子科技大学学报, 2014, 43(2): 311-314. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.02.030
[7]	饶云江, 陈一槐, 吴宇, 邓强. 微光纤环形谐振腔温度传感器 . 电子科技大学学报, 2012, 41(3): 384-387. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.011
[8]	吴喆, 柳建龙, 陈涛, 朱锦峰, 刘兴翀. 电化学沉积自组织生成的多晶银枝 . 电子科技大学学报, 2011, 40(2): 317-320. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2011.02.032
[9]	姚敏, 赵敏. 小卫星温度测量冗余设计方法研究 . 电子科技大学学报, 2009, 38(6): 967-970. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.06.015
[10]	张丽, 谢建良, 周佩珩, 邓龙江. α-Fe/W型六角铁氧体复合材料微波特性研究 . 电子科技大学学报, 2008, 37(3): 446-449.
[11]	冉瑞生, 黄廷祝. 迭代矩阵特征值模的界 . 电子科技大学学报, 2006, 35(1): 133-136.
[12]	江天府, 田时开, 曾葆清, 杨中海. 锥形场发射体尖端温度的分析 . 电子科技大学学报, 2006, 35(5): 784-787.
[13]	孙家讹, 陈军宁, 柯导明, 代月花, 徐超. 多晶硅量子效应及其对MOSFET阈值电压的影响 . 电子科技大学学报, 2006, 35(6): 967-969,984.
[14]	高晴, 柳钦火, 黄海洋. 地表温度过程的时间序列分析 . 电子科技大学学报, 2004, 33(3): 282-284.
[15]	宁芳青, 张世峰, 严文福. 立火道温度的广义预测控制 . 电子科技大学学报, 2004, 33(1): 53-55.
[16]	龚俊杰, 周建华, 周晓军, 邱琪, 白晓明. 分布式光纤温度传感器 . 电子科技大学学报, 2003, 32(3): 328-330.
[17]	徐俊, 姚伯威. 水泥窑表面温度自动监控系统 . 电子科技大学学报, 1999, 28(3): 266-268.
[18]	何进, 王新, 陈星弼. 硅-硅直接键合界面上SiO₂的非稳定性 . 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 494-497.
[19]	王恩信, 邓宏, 姜斌. 掺杂弛豫铁电陶瓷材料的电阻——温度特性 . 电子科技大学学报, 1999, 28(2): 136-140.
[20]	周蓉, 胡思福, 张庆中. 硅双极功率晶体管镇流技术的改进 . 电子科技大学学报, 1999, 28(5): 486-489.

WeChat

点击查看大图

计量

文章访问数: 4324
HTML全文浏览量: 156
PDF下载量: 78
被引次数: 0

AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性

何进,
杨传仁

1. 电子科技大学微电子所成都 610054

作者简介:
何进男 30岁博士生

收稿日期: 1997-06-02
修回日期: 1997-10-08
刊出日期: 1998-02-15

中图分类号: TM544;TN304.055

关键词:

摘要: 研究了AlN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性。实验发现,膜电阻率随温度变化呈现出从NTC过渡到PTC的U型特性,转折温度TM的位置依赖工艺条件的变化。理论分析表明:晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值,极小值对应的转折温度正比于晶界势垒。

English Abstract

何进, 杨传仁. AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性[J]. 电子科技大学学报, 1998, 27(1): 47-50.

引用本文:

何进, 杨传仁. AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性[J]. 电子科技大学学报, 1998, 27(1): 47-50.

He Jin, Yang Chuanren. Resistivity Temperature Characteristics of Polysilicon Films Heavily Doped With B on AIN Substrate[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1998, 27(1): 47-50.

Citation:

He Jin, Yang Chuanren. Resistivity Temperature Characteristics of Polysilicon Films Heavily Doped With B on AIN Substrate[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1998, 27(1): 47-50.

全文HTML

/

下载: 全尺寸图片幻灯片

分享

用微信扫码二维码

分享至好友和朋友圈

返回

期刊在线

编辑办公

友情链接

电子科技大学

版权所有 © 《电子科技大学学报》编辑部

地址: 成都市建设北路二段四号电子科技大学主楼中350室电话: 028-83202308,83207559 Email: xuebao@uestc.edu.cn

本系统由北京仁和汇智信息技术有限公司开发