高速IGBT的二维数值分析

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高速IGBT的二维数值分析

张旻, 李肇基

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张旻, 李肇基. 高速IGBT的二维数值分析[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(2): 152-156.

引用本文:

张旻, 李肇基. 高速IGBT的二维数值分析[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(2): 152-156.

Zhang Min, Li Zhaoji. Two Dimension Numerical Analysis of High Speed IGBT[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(2): 152-156.

Citation:

Zhang Min, Li Zhaoji. Two Dimension Numerical Analysis of High Speed IGBT[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(2): 152-156.

高速IGBT的二维数值分析

张旻,
李肇基

1.
电子科技大学微电子所成都 610054

基金项目:

国家"八五"重点科研项目

作者简介:
李肇基男 26岁博士

中图分类号: TN389

Two Dimension Numerical Analysis of High Speed IGBT

1.
Research Institute of Microelectronics,UEST of China Chengdu 610054

摘要: 借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)传输特性的物理模型。稳态时,其工作原理与普通IGBT完全相同,但瞬态时,由于N+阳极对基区非平衡载流子的抽出作用,使其关断速度比普通IGBT大大提高。文中利用二维器件数值分析软件(PISCES-IB)对其稳态和瞬态工作特性进行了详细的模拟分析,获得了其工作时的浓度分布、电流分布等内部物理参数,并得到了它的关断时间Toff,其模拟结果与实验值比较吻合。
- 高速绝缘栅双极晶体管 /
- 双极传输理论 /
- 数值分析 /
- 稳态 /
- 瞬态
Abstract: The high speed insulated gate bipolar transistor(IGBT) transport model is derived by ambipolar transport theory in this paper.In the steady state,it opreates as the common IGBT;but in the transient state,it's turm-off time is much smaller than the common IGBT because of the extraction of non-equilibrium carriers in the base region caused by N+ anode.In this paper the steady and transient state characteristics of the high speed IGBT are analyzed by the use of two-dimension device numerical simulator(PISCES ⅡB).The insight physical parameters such as the concertration distribution,current prfiles,and the trun-off time(Toff) are acquired.Simulation results are in agreement with the experiments.
- high speed insulated gated bipolar transistor /
- ambipolar transport theory /
- numerical analysis /
- steady state /
- transient state

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[2]	曾孝平, 周雨, 简鑫, 黄杰, 李静. 非稳态三维散射场景的时域自相关特性分析 . 电子科技大学学报, 2015, 44(6): 808-813. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.002
[3]	陈淑仙, 田鹤, 秦文峰, 李梦, 杨文锋, 唐庆如. 树脂基复合材料固化过程中的温度和热应力场三维瞬态分析 . 电子科技大学学报, 2014, 43(4): 547-551. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2014.04.013
[4]	阎彬, 陈建军, 马洪波. 随机弹性杆在随机瞬态温度场下的热响应分析 . 电子科技大学学报, 2012, 41(4): 631-636. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2012.04.030
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[7]	鄢扬, 夏连城, 吴坚强, 吴峰. 220 GHz回旋管模式竞争分析和数值模拟 . 电子科技大学学报, 2009, 38(3): 372-375. doi: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.03.013
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高速IGBT的二维数值分析

张旻,
李肇基

1. 电子科技大学微电子所成都 610054

基金项目:

国家"八五"重点科研项目

作者简介:
李肇基男 26岁博士

收稿日期: 1996-06-03
修回日期: 1996-07-05
刊出日期: 1997-04-15

中图分类号: TN389

关键词:

摘要: 借助双极传输理论导出了高速绝缘栅双极晶体管(IGBT)传输特性的物理模型。稳态时,其工作原理与普通IGBT完全相同,但瞬态时,由于N+阳极对基区非平衡载流子的抽出作用,使其关断速度比普通IGBT大大提高。文中利用二维器件数值分析软件(PISCES-IB)对其稳态和瞬态工作特性进行了详细的模拟分析,获得了其工作时的浓度分布、电流分布等内部物理参数,并得到了它的关断时间Toff,其模拟结果与实验值比较吻合。

English Abstract

张旻, 李肇基. 高速IGBT的二维数值分析[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(2): 152-156.

引用本文:

张旻, 李肇基. 高速IGBT的二维数值分析[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(2): 152-156.

Zhang Min, Li Zhaoji. Two Dimension Numerical Analysis of High Speed IGBT[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(2): 152-156.

Citation:

Zhang Min, Li Zhaoji. Two Dimension Numerical Analysis of High Speed IGBT[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(2): 152-156.

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