深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取

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深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取

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陈勇, 钟玲. 深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(5): 487-491.

引用本文:

陈勇, 钟玲. 深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(5): 487-491.

Chen Yong, Zhong Ling. Analysis and Parameters Extraction of Deep Submicrometre MOS Device Model BSIM2[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(5): 487-491.

Citation:

Chen Yong, Zhong Ling. Analysis and Parameters Extraction of Deep Submicrometre MOS Device Model BSIM2[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(5): 487-491.

深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取

陈勇¹,
钟玲²

1.
电子科技大学微电子科学与工程系成都 610054;
2.
北京信息工程学院北京 100101

基金项目:

电子部预研基金

作者简介:
陈勇男 31岁硕士讲师

中图分类号: TN386

Analysis and Parameters Extraction of Deep Submicrometre MOS Device Model BSIM2

Chen Yong¹,
Zhong Ling²

1.
Dept. of Microelectronic Science & Technology,UEST of China Chengdu 100101;
2.
Beijing Institute of Information Engineering Beijing 6100540

摘要: 详细分析了适用于VLSI/ULSI设计的深亚微米BSIM2MOS器件模型,并在深入讨论短沟道MOS器件物理效应的基础上,对沟道长1μm栅氧化层厚度25nm的nMOSFET进行了测试和BSIM2模型参数的提取,且对结果进行了分析和讨论。结果表明,BSIM2具有精确、参数易提取、计算速度快的特点,是VLSI/ULSI模拟设计的重要工具之一。
- 深亚微米 /
- 器件模型 /
- 参数提取 /
- 集成电路计算机辅助设计
Abstract: A deep submicrometre MOS device model BSIM2 is analyzed in this paper.Based on the discussion of physical effects of short channel devices,a nMOSFET with channel length 1 μm and gate oxides thick ness 25 nm is measured and its BSIM2 parameters are extracted.The results are analyzed,which show that BSIM2 is one of the important tools for VLSI/ULSI design.
- deep submicrometre /
- device model /
- parameter extraction /
- integrated circuits computeraid design

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深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取

陈勇¹,
钟玲²

1. 电子科技大学微电子科学与工程系成都 610054;

2. 北京信息工程学院北京 100101

基金项目:

电子部预研基金

作者简介:
陈勇男 31岁硕士讲师

收稿日期: 1996-12-31
修回日期: 1997-03-20
刊出日期: 1997-10-15

中图分类号: TN386

关键词:

摘要: 详细分析了适用于VLSI/ULSI设计的深亚微米BSIM2MOS器件模型,并在深入讨论短沟道MOS器件物理效应的基础上,对沟道长1μm栅氧化层厚度25nm的nMOSFET进行了测试和BSIM2模型参数的提取,且对结果进行了分析和讨论。结果表明,BSIM2具有精确、参数易提取、计算速度快的特点,是VLSI/ULSI模拟设计的重要工具之一。

English Abstract

陈勇, 钟玲. 深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(5): 487-491.

引用本文:

陈勇, 钟玲. 深亚微米MOS器件模型BSIM2及其参数提取[J]. 电子科技大学学报, 1997, 26(5): 487-491.

Chen Yong, Zhong Ling. Analysis and Parameters Extraction of Deep Submicrometre MOS Device Model BSIM2[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(5): 487-491.

Citation:

Chen Yong, Zhong Ling. Analysis and Parameters Extraction of Deep Submicrometre MOS Device Model BSIM2[J]. Journal of University of Electronic Science and Technology of China, 1997, 26(5): 487-491.

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